Cmos(广东场效应半导体) 制造商型号现货与清单询价

CMSA6504A

Cmos(广东场效应半导体)

CMSA6504A采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷

CMD25P15

Cmos(广东场效应半导体)

P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计 · 可提供出色的RDS(ON)

CMN2309M

Cmos(广东场效应半导体)

CMN2309M 是 P 沟道增强型功率 MOSFET · 采用串联设计

CMD30P02

Cmos(广东场效应半导体)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计 · 可提供出色的导通电阻

CMSA180P04A

Cmos(广东场效应半导体)

MOS管 · DFN-8 5x6

CMSA015N06

Cmos(广东场效应半导体)

MOS管 · DFN-8 5x6

CMD25N20A

Cmos(广东场效应半导体)

这些MOSFET采用先进的制造工艺 · 以实现单位硅片面积极低的导通电阻

CMSA5950A

Cmos(广东场效应半导体)

CMSA5950A采用先进技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)

CMSA150N03L

Cmos(广东场效应半导体)

CMSA150N03L采用先进技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)

CMSC3606

Cmos(广东场效应半导体)

CMSC3606是具有高单元密度的高性能沟槽式N沟道和P沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提

CMSA65R380Q

Cmos(广东场效应半导体)

CMSA65R380Q采用先进技术 · 具备出色的RDS(ON)

CMSA070N10

Cmos(广东场效应半导体)

CMSA070N10采用先进的SGT技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)

CMN2042M

Cmos(广东场效应半导体)

CMN2042M将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)

CMD5970

Cmos(广东场效应半导体)

P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计 · 以提供出色的RDS(ON)

CMD80P06A

Cmos(广东场效应半导体)

P-Channel增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计 · 可提供出色的RDS(ON)

CMSC1653

Cmos(广东场效应半导体)

设计用于提供高效同步降压功率级 · 优化布局和电路板空间利用

CMN12P04M

Cmos(广东场效应半导体)

场效应管 MOS管 · SOT-23-3L

CMN3100M

Cmos(广东场效应半导体)

CMN3100M采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷

CMN2308M

Cmos(广东场效应半导体)

使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS(ON) · 该产品适用于电池保护或其他开关应用

MBRD3045CT

Cmos(广东场效应半导体)

设备针对超低正向压降进行了优化 · 以最大限度提高电源应用的效率

CMSA050N15

Cmos(广东场效应半导体)

这款N沟道MOSFET采用先进的CMOS工艺制造 · 适用于对效率要求极高的最严苛的DC-DC转换器应用场景

CMN3J332M

Cmos(广东场效应半导体)

CMN3J332M采用先进的沟槽技术 · 具备出色的导通电阻RDS(ON)

CMD019N04L

Cmos(广东场效应半导体)

MOS管 · 封装：TO-252

CMN2308MS

Cmos(广东场效应半导体)

CMN2308MS是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造

CMSC012N06

Cmos(广东场效应半导体)

CMSC012N06旨在提供一个高效同步降压功率级 · 实现最佳布局和电路板空间利用

CMSA63P04L

Cmos(广东场效应半导体)

CMSA63P04L采用先进技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)

CMD060N10

Cmos(广东场效应半导体)

060N10采用先进的技术和设计 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)

CMSA80P06A

Cmos(广东场效应半导体)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计 · 可提供出色的导通电阻

CMD40N20

Cmos(广东场效应半导体)

40N20采用先进的沟槽技术和设计 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)

CMD4932L

Cmos(广东场效应半导体)

4932L采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)

CMD3N120

Cmos(广东场效应半导体)

MOS管 · 封装：TO-252

CMD609

Cmos(广东场效应半导体)

CMD609采用先进的沟槽技术MOSFET · 可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷

CMD40N03B

Cmos(广东场效应半导体)

40N03B是一款N沟道MOSFET器件 · 具有低导通电阻和出色的开关特性

CMD60R360D

Cmos(广东场效应半导体)

COOLMOS · TO-252

CMD510B

Cmos(广东场效应半导体)

CMD510B采用先进的沟槽技术MOSFET · 可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷

CMSL007N04A

Cmos(广东场效应半导体)

MOS管 · TOLL-8

CMSC5006A

Cmos(广东场效应半导体)

MOS管 · DFN-8 3.3x3.3

CMD060N12

Cmos(广东场效应半导体)

使用先进SGT技术提供出色的RDS(ON) · 适用于高频开关和同步整流

CMSL130N85A

Cmos(广东场效应半导体)

MOS管 · TOLL

CMD65R580

Cmos(广东场效应半导体)

65R580系列采用先进的MOSFET技术 · 具备低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色

CMS4614

Cmos(广东场效应半导体)

CMS4614采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷

CMSA120P03A

Cmos(广东场效应半导体)

CMSA120P03A采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)

CME10N04

Cmos(广东场效应半导体)

MOS管 · SOT-89

CMD020N12

Cmos(广东场效应半导体)

020N12采用先进的沟槽技术和设计 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)

CMD130N85A

Cmos(广东场效应半导体)

130N85A采用先进的技术和设计 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)

CMSA150P03

Cmos(广东场效应半导体)

CMSA150P03采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)

CMSC045N15

Cmos(广东场效应半导体)

CMSC045N15采用先进的SGT技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)

CMD045N15

Cmos(广东场效应半导体)

045N15采用先进的沟槽技术和设计 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)

CMS8447B

Cmos(广东场效应半导体)

CMS8447B采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)

CMD4003B

Cmos(广东场效应半导体)

4003B采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的RDS(ON)

CMN2N15M

Cmos(广东场效应半导体)

CMN2N15M采用先进的沟槽技术和设计 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)

2SK3065

Cmos(广东场效应半导体)

2SK3065采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)

CMSC3006

Cmos(广东场效应半导体)

Cmos公司的先进功率MOSFET为设计师提供了快速开关和低导通电阻的最佳组合 · 该器件非常适合笔记本电脑

CMN3621M

Cmos(广东场效应半导体)

场效应管 MOS管 · SOT-23-3

P1403EK

Cmos(广东场效应半导体)

使用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻 (RDS(ON))

CMSA80P06

Cmos(广东场效应半导体)

CMSA08P06采用先进技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)

CMD85N03A

Cmos(广东场效应半导体)

85N03A采用先进的沟槽技术 · 以实现出色的RDS(ON)

CMSC63P04L

Cmos(广东场效应半导体)

CMSC63P04L将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)

CMSA65R280Q

Cmos(广东场效应半导体)

采用先进的超结技术 · 可实现极低的导通电阻和栅极电荷

CMD30P03

Cmos(广东场效应半导体)

P- Channel 增强模式功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计 · 以提供出色的RDS(ON)

CMD1402T

Cmos(广东场效应半导体)

1402T将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 以实现极低的RDS(ON)

CMD85P03A

Cmos(广东场效应半导体)

P-Channel 增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计 · 可提供出色的 RDS(ON)

2SJ356

Cmos(广东场效应半导体)

此MOSFET采用独特结构 · 结合了低导通电阻和快速开关速度的优点

CMSA040N10

Cmos(广东场效应半导体)

CMSA040N10采用先进的工艺技术和设计 · 提供出色的导通电阻RDS(ON)

CMD40N04

Cmos(广东场效应半导体)

这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术制造 · 可实现低导通电阻（RDS(on)）和优化的漏源击穿电压（B

CMD1402

Cmos(广东场效应半导体)

1402将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 以实现极低的RDS(ON)

CMB40N20P

Cmos(广东场效应半导体)

MOS管 · TO-263

CMB75NF75

Cmos(广东场效应半导体)

75NF75是N沟道MOSFET · 专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷

CMD90P04B

Cmos(广东场效应半导体)

P-Channel增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计 · 以提供出色的RDS(ON)

CMD11N40

Cmos(广东场效应半导体)

11N40采用先进的高压MOSFET工艺制造 · 这些器件非常适用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基

CMD20P06

Cmos(广东场效应半导体)

MOS管 · TO-252

CMB120P04

Cmos(广东场效应半导体)

120P04是一款P沟道功率MOSFET · 它们采用先进的沟槽技术

CMP5970

Cmos(广东场效应半导体)

1个P沟道 耐压:150V 电流:30A

CMSA046N10A

Cmos(广东场效应半导体)

CMSA046N10A采用沟槽式MOSFET技术 · 该技术经过独特优化

CMD50N06T

Cmos(广东场效应半导体)

50N06T将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)

CMSC20P03

Cmos(广东场效应半导体)

CMSC20P03采用先进的工艺技术和设计 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)

CMB1405A

Cmos(广东场效应半导体)

1405A 是一款 N 沟道功率 MOSFET · 它专门为降低输入电容和栅极电荷而设计

CMB5950A

Cmos(广东场效应半导体)

5950A采用先进的沟槽技术和设计 · 在低栅极电荷的情况下仍能提供出色的导通电阻RDS(ON)

CMD50P06

Cmos(广东场效应半导体)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计 · 可提供出色的导通电阻

CMS4892

Cmos(广东场效应半导体)

CMS4892采用先进技术 · 具备低导通电阻、高开关性能和出色的可靠性