制造商现货
CJ(江苏长电/长晶) 制造商型号现货与清单询价
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2,779匹配型号
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
ESDBL5V0Y1
CJ(江苏长电/长晶)
旨在保护电压敏感型电子元件免受静电放电（ESD）和其他瞬态影响 · 出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
WBFBP-02C
302,500
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CJ2301
CJ(江苏长电/长晶)
特性：TrenchFET功率MOSFET · 应用：便携式设备负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
240,000
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CJ1012
CJ(江苏长电/长晶)
这款单N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计 · 旨在优化导通电阻RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-523
180,000
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SCJA1117B-3.3-A
CJ(江苏长电/长晶)
SCJA1117B-XXX-A 是一系列低压差三端稳压器 · 其应用电路非常简单：固定版本仅需两个电容电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89
156,500
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CESDLC5V0M5
CJ(江苏长电/长晶)
旨在保护电压敏感的电子元件免受静电放电（ESD）和其他瞬态影响 · 出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-563
93,000
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SCJT1117B-3.3-A
CJ(江苏长电/长晶)
SCJT1117B-XXX-A 是一系列低压差三端稳压器 · 在输出电流为 1A 时电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-223
80,500
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CJ7533S
CJ(江苏长电/长晶)
CJ75XXS系列是采用CMOS技术制造的一组正电压稳压器 · 具有低功耗和低压差的特点电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89
51,500
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CJAC70SN15
CJ(江苏长电/长晶)
CJAC70SN15采用屏蔽栅沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFNWB5x6-
31,000
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CJU1117B-5.0
CJ(江苏长电/长晶)
CJU1117B-XXX 是一系列低压差三端稳压器 · 在输出电流为 1A 时电源管理 > 线性稳压器(LDO)
TO-252
30,000
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CJ7805B-TFN-ARG
CJ(江苏长电/长晶)
是一组具有多个固定输出电压的三端正电压线性稳压器 · 在散热良好的情况下电源管理 > 线性稳压器(LDO)
TO-252
25,300
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CJAC70P06
CJ(江苏长电/长晶)
CJAC70P06采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFNWB5x6-
23,500
询盘报价
CJQ13P04
CJ(江苏长电/长晶)
CJQ13P04将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
23,250
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CJAC50P03
CJ(江苏长电/长晶)
CJAC50P03采用先进的沟槽技术和设计 · 在实现低栅极电荷的同时三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFNWB5x6-
21,000
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CJAE10P06
CJ(江苏长电/长晶)
CJAE10P06采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷条件下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFNWB3x3-8
15,000
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P6SMB300A
CJ(江苏长电/长晶)
特性：Ppp 600W-VRWM 5.8V-513V-玻璃钝化芯片 · 应用：钳位电压三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SMD
6,000
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MMBT5551(RANGE:200-300)
CJ(江苏长电/长晶)
特性：与MMBT5401互补 · 非常适合中功率放大和开关三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
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MMBT5551(RANGE:100-200)
CJ(江苏长电/长晶)
特性：与MMBT5401互补 · 非常适合中功率放大和开关三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
询盘确认
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CESDBLC5V0D7
CJ(江苏长电/长晶)
旨在保护电压敏感型电子元件免受静电放电（ESD）和其他瞬变影响 · 出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-723
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BCX56(RANGE:100-250)
CJ(江苏长电/长晶)
特性：PNP与BCX51、BCX52、BCX53互补 · 低电压三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-89-3L
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MMBT2907A(RANGE:100-300)
CJ(江苏长电/长晶)
特性：外延平面管芯结构 · 有互补的NPN类型三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
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BCX53-16(RANGE:100-250)
CJ(江苏长电/长晶)
特性：NPN互补于BCX54、BCX55、BCX56 · 低电压三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-89-3L
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CESD3V3D3YU
CJ(江苏长电/长晶)
旨在保护电压敏感型电子元件免受静电放电（ESD）和其他瞬态影响 · 出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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MMBT3904T(RANGE:100-300)
CJ(江苏长电/长晶)
特性：与MMBT3906T互补 · 小封装三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-523
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CESD5V0D1
CJ(江苏长电/长晶)
旨在保护电压敏感型电子元件免受静电放电（ESD）和其他瞬态影响 · 出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123
询盘确认
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