制造商现货
Applied Power(应能微) 制造商型号现货与清单询价
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53匹配型号
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
AR0521P0
Applied Power(应能微)
AR0521P0是一款双向TVS二极管 · 采用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2
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AU2451D1F-T
Applied Power(应能微)
AUXXX1D1F-T 是瞬态电压抑制器 · 旨在保护敏感电子设备免受雷击和电压瞬变造成的损坏三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123FL
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AR1511D3
Applied Power(应能微)
AR1511D3是一款15V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管 · 采用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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AU2481D1F-T
Applied Power(应能微)
AU2481D1F-T是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管 · 采用先进的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123FL
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CM3407
Applied Power(应能微)
CM3407是采用高单元密度沟槽技术的P沟道增强型功率场效应晶体管 · 这种高密度工艺和设计优化了开关性能三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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CM3400
Applied Power(应能微)
CM3400是采用高单元密度沟槽技术的N沟道增强型功率场效应晶体管 · 这种高密度工艺和设计对开关性能进行了三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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AU1501D5
Applied Power(应能微)
AU1501D5是一款单向瞬态电压抑制（TVS）二极管 · 采用先进的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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CM4407
Applied Power(应能微)
CM4407 是采用沟槽技术的高单元密度 P 沟道增强型功率场效应晶体管 · 这种高密度工艺和设计优化了开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SO-8
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AU0771P1
Applied Power(应能微)
AU0771P1是一款单向瞬态电压抑制（TVS）二极管 · 采用先进的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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AU0521P0
Applied Power(应能微)
AU0521P0是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管 · 采用先进的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2
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AU1521P1
Applied Power(应能微)
AU1521P1是一款15V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管 · 采用先进的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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AR0821P1
Applied Power(应能微)
AR0821P1是一款双向TVS二极管 · 采用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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AU1871P6
Applied Power(应能微)
是单向 TVS 二极管 · 采用领先的单晶硅技术来提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1610-2
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AU0721P0
Applied Power(应能微)
AU0721P0是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管 · 采用先进的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2
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AU1201P4-3
Applied Power(应能微)
是一款高功率TVS · 采用领先的单晶硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-2020-3
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AU0701P4-3
Applied Power(应能微)
AU0701P4 - 3是一款高功率瞬态电压抑制器（TVS） · 采用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-3L
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AU0521D5
Applied Power(应能微)
AU0521D5是一款双向TVS二极管 · 采用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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GBL05C-A
Applied Power(应能微)
GBL05C-A是一款5V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管 · 采用先进的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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AU0721P1
Applied Power(应能微)
AU0721P1是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管 · 采用先进的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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AR3304P8
Applied Power(应能微)
AR3304P8是一款3.3V单向TVS二极管阵列 · 采用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-2626
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ASD18C
Applied Power(应能微)
ASDXXC专为取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）而设计 · 采用三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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AR0502P1
Applied Power(应能微)
AR0502P1是一款单向瞬态电压抑制（TVS）二极管 · 采用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-3
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AR0502S1
Applied Power(应能微)
AR0502S1是一款双线超低电容TVS二极管阵列 · 采用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-143
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AR0511D3
Applied Power(应能微)
AR0511D3 是一款 5V 双向 TVS 二极管 · 采用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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AR0521P1
Applied Power(应能微)
AR0521P1 是一种双向 TVS 二极管 · 采用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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AR3321P1S
Applied Power(应能微)
双向TVS 3.3V截止 10A峰值脉冲三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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ASD05C
Applied Power(应能微)
ASDXXC专为取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）而设计 · 采用三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ASD08C
Applied Power(应能微)
ASDXXC专为取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）而设计 · 采用三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ASD12C
Applied Power(应能微)
ASDXXC专为取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）而设计 · 采用三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ASD33C
Applied Power(应能微)
ASDXXC专为取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）而设计 · 采用三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ASD36C
Applied Power(应能微)
ASDXXC专为取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）而设计 · 采用三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ASD40C
Applied Power(应能微)
用于取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻 (MLV) · 采用单晶硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ASR05
Applied Power(应能微)
是一种低电容TVS二极管阵列 · 采用领先的单晶硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-143-4
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AU0561P1
Applied Power(应能微)
AU0561P1是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管 · 采用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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AU0771P6
Applied Power(应能微)
是单向 TVS 二极管 · 采用领先的单晶硅技术来提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1610-2
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AU0781P1
Applied Power(应能微)
AU0781P1是一款7V双向TVS二极管 · 采用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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AU1271D3
Applied Power(应能微)
AU1271D3是一款单向瞬态电压抑制（TVS）二极管 · 采用先进的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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AU1501P4-3
Applied Power(应能微)
AU1501P4 - 3是一款高功率瞬态电压抑制器（TVS） · 采用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-3L
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AU1571P6
Applied Power(应能微)
是单向 TVS 二极管 · 采用领先的单晶硅技术来提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1610-2
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AU2471P6
Applied Power(应能微)
是单向 TVS 二极管 · 采用领先的单晶硅技术来提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1610-2
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PESD12L
Applied Power(应能微)
是一款12V双向TVS二极管 · 采用领先的单晶硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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SM32C
Applied Power(应能微)
是双向 TVS 二极管阵列 · 利用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23
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