制造商现货
APM(永源微电子) 制造商型号现货与清单询价
按制造商聚合公开现货、可询库存和资料库匹配型号，帮助采购用户区分品牌字段与官方制造商资料。当前匹配 123 个公开可查询型号。
123匹配型号
1库存品牌线索
8常见封装
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先看型号再下单制造商页主要用于找型号和资料入口，库存、交期和报价仍以人工确认结果为准。
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
AP120N04P
APM(永源微电子)
提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷 · 并能在低至10V的栅极电压下工作三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220-3L
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AP90N02NF
APM(永源微电子)
AP90N02NF采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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AP50N06Y
APM(永源微电子)
AP50N06Y采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-251
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AP60N03NF
APM(永源微电子)
采用先进的沟槽技术 · 提供优异的导通电阻 (RDS(ON))、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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AP20P04D
APM(永源微电子)
AP20P04D采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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AP60N04DF
APM(永源微电子)
AP60N04DF采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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AP10N04S
APM(永源微电子)
采用先进的沟槽技术 · 提供优异的导通电阻 (RDS(ON))、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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AP13P06D
APM(永源微电子)
AP13P06D采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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AP20P02BF
APM(永源微电子)
AP20P02BF采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PQFN-6-EP
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AP20P03D
APM(永源微电子)
AP20P03D采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3
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AP2300AI
APM(永源微电子)
AP2300AI采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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AP2302AI
APM(永源微电子)
AP2302AI采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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AP2305AI
APM(永源微电子)
AP2305AI采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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AP2305MI
APM(永源微电子)
AP2305MI 采用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻 (RDS(ON))、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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AP2307AI
APM(永源微电子)
AP2307AI采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23L
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AP2312AI
APM(永源微电子)
AP2312AI采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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AP2N7002AI
APM(永源微电子)
AP2N7002A采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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AP30N15D
APM(永源微电子)
150V N沟道增强型MOSFET 采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3
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AP3400CI
APM(永源微电子)
AP3400CI采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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AP3400DI
APM(永源微电子)
AP3400DI采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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AP3404BI
APM(永源微电子)
AP3404BI采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻Rds(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23L
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AP3404MI
APM(永源微电子)
AP3404MI采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻Rds(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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AP34N20P
APM(永源微电子)
是硅 N 沟道增强型 VDMOSFET · 采用自对准平面技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220-3L
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AP3P10MI
APM(永源微电子)
AP3P10MI采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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AP40P04D
APM(永源微电子)
AP40P04D采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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AP50N03DF
APM(永源微电子)
AP50N03DF采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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AP50N10P
APM(永源微电子)
AP50N10P采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220-3L
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