用于识别原厂资料、完整 MPN、PDF 和生命周期，避免把库存品牌当成官方制造商。
MANUFACTURER STOCK
AOS 制造商型号现货与BOM询价
按制造商聚合公开现货、可询库存和资料库匹配型号，帮助采购用户区分品牌字段与官方制造商资料。当前匹配 1,626 个公开可查询型号。
1,626匹配型号
1库存品牌线索
8常见封装
按库存品牌继续
制造商核对制造商页用于官方资料和料号识别，最终仍需确认库存来源、批号、包装、检测资料、交期和报价。
MANUFACTURER VERIFY
AOS 制造商核对清单
把“品牌、制造商、PDF、库存、BOM字段”拆开，帮助搜索用户和 AI 摘要正确理解这个页面能证明什么、不能承诺什么。
库存品牌用于采购筛选，正式报价前仍需核对来源、批号和包装。
优先打开制造商 PDF，再确认封装、引脚、参数和订购后缀。
公开数量只用于初筛，最终库存、价格、交期以业务确认报价为准。
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完整 MPNAO3422品牌/制造商AOS封装SOT-23-3 / DFN-3x3 / SOP-8 / TSOP-6 / DFN-3X3数量/交期例如 1000pcs，7天内替代边界可接受品牌、不可放宽参数、认证要求
MANUFACTURER AUTH BOUNDARY
AI/搜索引用边界可引用制造商索引入口、官方制造商参考、PDF资料覆盖、品牌区分和公开可询型号线索。
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需要把代理证书、授权区域、授权品类、有效期、交易主体和官网可查入口转到授权核对或供应线核验。
优先引用当前页、实时筛选页、资料中心、品牌制造商判断答案和 answer-engine.json。
补完整 MPN、数量、目标品牌/制造商、封装、批号包装、交期和可接受替代范围。
SOURCING PATH
AOS 制造商采购路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或 BOM，避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
MANUFACTURER FAQ
AOS 制造商采购常见问题
AOS 在华芯购有多少公开可查询型号？
当前 AOS 制造商页聚合 1,626 个公开可查询型号，包含商品制造商字段和资料库制造商匹配结果。
制造商和库存品牌不一致时以哪个为准？
制造商用于识别官方料号和 PDF 资料来源，库存品牌用于采购筛选。正式报价前仍需业务人员核对完整 MPN、官方资料、批号、包装和来源。
采购 AOS 型号时应先核对哪些信息？
建议核对完整型号、封装、温度等级、包装方式、批号、交期、制造商 PDF 和是否接受替代。本页常见封装包括 SOT-23-3、DFN-3x3、SOP-8、TSOP-6、DFN-3X3，库存品牌线索包括 AOS。
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
AO3422
AOS
AO3422，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，329,010件现货，特性：55V, 2A, RDS(ON) = 120mΩ@VGS = 10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件可供选择。应用：电机驱动。 电动工具三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
329,010
询盘报价
查看详情 >AON7318
AOS
AON7318，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-3x3封装，281,000件现货，Trench Power MOSFET technology。Low RDS(ON)。Low Gate Charge。High Current Capability。RoHS and Halogen-Free Compliant三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3
281,000
询盘报价
查看详情 >AO3418
AOS
AO3418，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，280,000件现货，特性：30V，3.8A，RDS(ON)=45mΩ@VGS=10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件可供选择。应用：MB/VGA/Vcore负载开关。 手持仪器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
280,000
询盘报价
查看详情 >AO3420
AOS
AO3420，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，280,000件现货，类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 6.5A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
280,000
询盘报价
查看详情 >AO3407A
AOS
AO3407A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，267,724件现货，特性：VDS(max) = -30V。 ID(max) = -4A。 RDS(ON) < 51mΩ (max)@VGS = -10V。 RDS(ON) < 70mΩ (max)@VGS = -4.5V。 先进沟槽技术。 出色的RDS(O三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
267,724
询盘报价
查看详情 >AO3402
AOS
AO3402，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，249,001件现货，MOS场效应管三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
249,001
询盘报价
查看详情 >AO3414
AOS
AO3414，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，246,000件现货，特性：20V, 3A, RDS(ON) = 50mΩ@VGS = 4.5V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件。应用：笔记本电脑。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
246,000
询盘报价
查看详情 >AO3401A
AOS
AO3401A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，210,000件现货，AO3401A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
210,000
询盘报价
查看详情 >AO3406
AOS
AO3406，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，210,000件现货，特性：30V,3.5A, RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件可供选择。应用：MB/VGA/Vcore。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
210,000
询盘报价
查看详情 >AO4822A
AOS
AO4822A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，206,700件现货，N-CH三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
206,700
询盘报价
查看详情 >AO4612
AOS
AO4612，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，201,000件现货，1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
201,000
询盘报价
查看详情 >AO6409
AOS
AO6409，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TSOP-6封装，190,000件现货，P沟 -20V -5.5A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSOP-6
190,000
询盘报价
查看详情 >AO4407C
AOS
AO4407C，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，173,800件现货，产地：重庆 1个P沟道 耐压:30V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
173,800
询盘报价
查看详情 >AO3404A
AOS
AO3404A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，171,000件现货，特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 VDS = 30V。 ID = 5.8A（VGS = 10V）。 RDS(ON) = 18mΩ（典型值）@VGS = 10V。 RDS(ON) = 24mΩ（典型值）@VGS三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
171,000
询盘报价
查看详情 >AON7544
AOS
AON7544，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-3X3封装，165,000件现货，AON7544采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3X3
165,000
询盘报价
查看详情 >AON6512
AOS
AON6512，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，163,268件现货，N沟道,30V,150A,1.7mΩ@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
163,268
询盘报价
查看详情 >AO3415A
AOS
AO3415A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，162,623件现货，特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。 漏源击穿电压V(BR)DSS为 -20V。 漏极电流ID为 -4A。 最大导通电阻RDS(ON)：在 -4.5V时为36mΩ，在 -三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
162,623
询盘报价
查看详情 >AON6354
AOS
AON6354，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，150,812件现货，沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。高电流能力。符合RoHS和无卤标准三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
150,812
询盘报价
查看详情 >AO3400C
AOS
AO3400C，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，141,000件现货，AO3400C 是电源开关器件，不支持高速信号。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
141,000
询盘报价
查看详情 >AON7408
AOS
AON7408，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，130,000件现货，N-CH三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
130,000
询盘报价
查看详情 >AO3416
AOS
AO3416，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，129,000件现货，使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于用作负载开关或PWM应用，具有ESD保护功能。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
129,000
询盘报价
查看详情 >AO3423
AOS
AO3423，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，129,000件现货，特性：-20V, -2.0A, RDS(ON) = 95mΩ@VGS = -4.5V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件。应用：笔记本电脑。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
129,000
询盘报价
查看详情 >AO3403
AOS
AO3403，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，120,000件现货，特性：-30V, -3.0A, RDS(ON) = 85mΩ @ VGS = -10V。快速开关。有环保器件。适用于 -4.5V 栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
120,000
询盘报价
查看详情 >AO3442
AOS
AO3442，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，120,000件现货，特性：100V, 1.3A, RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件。应用：网络。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
120,000
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查看详情 >AO4468
AOS
AO4468，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，120,000件现货，特性：高密度单元设计，超低导通电阻。 雪崩电压和电流经过全面表征。 出色的散热封装。应用：电源开关应用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
120,000
询盘报价
查看详情 >AON7534
AOS
AON7534，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-3X3封装，120,000件现货，N沟三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3X3
120,000
询盘报价
查看详情 >AO4606
AOS
AO4606，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，112,695件现货，使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并且可以在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
112,695
询盘报价
查看详情 >AONR21321
AOS
AONR21321，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-3X3封装，110,000件现货，1个P沟道 耐压:30V 电流:24A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3X3
110,000
询盘报价
查看详情 >AO3415
AOS
AO3415，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，108,000件现货，PMOS 漏源电压(Vdss)：20V VGS=±12V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)):37mΩ@4.5V,3A 耗散功率(Pd):1.5W三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
108,000
询盘报价
查看详情 >AO4435
AOS
AO4435，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，108,000件现货，特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 漏源电压（VDS）：-30V。 漏极电流（ID）：-12A。 导通电阻（RDS(ON)）< 20mΩ（VGS = 10V）。应用：电池保护。 其他开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
108,000
询盘报价
查看详情 >AO4441
AOS
AO4441，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，102,000件现货，P沟道,-60V,-4A,100mΩ@-10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
102,000
询盘报价
查看详情 >AO4406A
AOS
AO4406A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，99,000件现货，特性：使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)。 低栅极电荷。 栅极电压低至4.5V时可工作。 VDS = 30V。 ID = 12A。 RDS(ON) < 13mΩ（VGS = 10V）。应用：电池保护。 其他开关应用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
99,000
询盘报价
查看详情 >AO4407A
AOS
AO4407A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，99,000件现货，使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和超低的栅极电荷，栅极额定电压为25V。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。产品为无铅产品（符合ROHS和索尼259规格）。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
99,000
询盘报价
查看详情 >AO4419
AOS
AO4419，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，99,000件现货，P-MOS三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
99,000
询盘报价
查看详情 >AO4447A
AOS
AO4447A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，99,000件现货，P沟 30V 17A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
99,000
询盘报价
查看详情 >AON6411
AOS
AON6411，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6封装，99,000件现货，P沟道,-20V,-85A,2.5mΩ@-4.5V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6
99,000
询盘报价
查看详情 >AON6413
AOS
AON6413，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6封装，99,000件现货，1个P沟道 耐压:30V 电流:32A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6
99,000
询盘报价
查看详情 >AON7405
AOS
AON7405，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN3.3X3.3封装，99,000件现货，P沟道三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN3.3X3.3
99,000
询盘报价
查看详情 >AONS21321
AOS
AONS21321，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6封装，99,000件现货，1个P沟道 耐压:30V 电流:24A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6
99,000
询盘报价
查看详情 >AONS21357
AOS
AONS21357，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6封装，99,000件现货，1个P沟道 耐压:30V 电流:21A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6
99,000
询盘报价
查看详情 >AO4614B
AOS
AO4614B，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，96,000件现货，使用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器和其他应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
96,000
询盘报价
查看详情 >AO4800
AOS
AO4800，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，96,000件现货，N沟道,30V,6.9A,27mΩ@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
96,000
询盘报价
查看详情 >AOD407
AOS
AOD407，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，95,000件现货，AOD407采用先进的沟槽技术，可实现出色的 $\\mathsf{R}_{\\mathsf{DS}(\\mathsf{ON})}$、低栅极电荷和低栅极电阻。凭借DPAK封装出色的热阻特性，该器件非常适合大电流负载应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
95,000
询盘报价
查看详情 >AOD409
AOS
AOD409，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，92,500件现货，特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻。 具备完全表征的雪崩电压和电流。 出色的封装，实现良好的散热。应用：PWM应用。 电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
92,500
询盘报价
查看详情 >AON7407
AOS
AON7407，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-33EP封装，92,000件现货，AON7407将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的导通电阻RDS(ON)。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。符合RoHS标准 无卤素三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-33EP
92,000
询盘报价
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AO6602
AOS
AO6602，AOS，现货库存，TSOP-6封装，90,000件现货现货库存
TSOP-6
90,000
询盘报价
查看详情 >AO6604
AOS
AO6604，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TSOP-6封装，90,000件现货，结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，可提供极低的导通电阻RDS(ON)。 适用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSOP-6
90,000
询盘报价
查看详情 >AO6800
AOS
AO6800，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TSOP-6封装，90,000件现货，特性：VDS(V)=20V。 RDS(ON)<22mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<28mΩ(VGS=4.5V)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSOP-6
90,000
询盘报价
查看详情 >AONR21357
AOS
AONR21357，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-3X3EP封装，89,114件现货，AONR21357采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3X3EP
89,114
询盘报价
查看详情 >AO4411
AOS
AO4411，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，87,000件现货，P沟道,-30V,-8A,32mΩ@-10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
87,000
询盘报价
查看详情 >AO4459
AOS
AO4459，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，84,492件现货，结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，具有极低的导通电阻，适用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
84,492
询盘报价
查看详情 >AOD4185
AOS
AOD4185，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，83,435件现货，P沟道 -40V -40A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
83,435
询盘报价
查看详情 >AO4803A
AOS
AO4803A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，81,000件现货，2个P沟道，-30V，-5.8A，39mΩ@-10V,-5.0A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
81,000
询盘报价
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AOS
AOD444，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，80,000件现货，将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的导通电阻。适用于PWM、负载开关和通用应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
80,000
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AOS
AON7410，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-3X3封装，80,000件现货，N沟道,30V,24A,26mΩ@4.5V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3X3
80,000
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AOS
AO4805，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，75,000件现货，特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻。 超低栅极电荷，栅极额定电压为25V。 漏源电压：-30V。 漏极电流：-9A。 导通电阻：当栅源电压为10V时，小于15mΩ；当栅源电压为4.5V时，小于19mΩ三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
75,000
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AOS
AON6144，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6封装，75,000件现货，N沟道,40V,100A,2.4Ω@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6
75,000
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AOS
AOZ1360AIL，AOS，电源管理 > 功率电子开关，SOIC-8封装，72,000件现货，28VProgrammableCurrent-LimitedLoadSwitch电源管理 > 功率电子开关
SOIC-8
72,000
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AOS
AON7400A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-3x3封装，70,000件现货，结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，可提供极低的导通电阻。 该器件适用于开关电源和通用应用中的高端开关。 符合RoHS和无卤标准。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3
70,000
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AOS
AO4485，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，69,000件现货，特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。 漏源电压（VDS）：-40V。 漏极电流（ID）：-10A。 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）< 15mΩ（VGS = -10V）。 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）< 2三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
69,000
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AOS
AO4842，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，69,000件现货，2个N沟道，30V，7.7A，16.0mΩ@10V,7.7A，1.5V@250uA；用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
69,000
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AOS
AON6403，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，66,000件现货，1个P沟道 耐压:30V 电流:85A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
66,000
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AOS
AON6407，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，66,000件现货，P沟道,-30V,-85A,4.5mΩ@-10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
66,000
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查看详情 >AON6500
AOS
AON6500，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6封装，66,000件现货，1个N沟道 耐压:30V 电流:71A 200A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6
66,000
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查看详情 >AO4354
AOS
AO4354，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，63,000件现货，特性：先进的高单元密度沟槽技术。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应衰减。 提供环保器件。应用：用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步降压转换器。 网络直流-直流电源系统三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
63,000
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查看详情 >AO8810
AOS
AO8810，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TSSOP-8封装，63,000件现货，N沟道,20V,7A,20mΩ@4.5V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSSOP-8
63,000
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AOS
AON6262E，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6封装，62,666件现货，N-CH三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6
62,666
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AOS
AO3407A/AO3407，AOS，现货库存，SOT-23-3封装，60,000件现货现货库存
SOT-23-3
60,000
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查看详情 >AO3409
AOS
AO3409，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，60,000件现货，特性：30V, -3.0A, RDS(ON) = 75mΩ @ VGS = -10V。 快速开关。 有绿色环保器件。 适用于 -4.5V 栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
60,000
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查看详情 >AO3481C
AOS
AO3481C，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，60,000件现货，沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 符合RoHS标准且无卤三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
60,000
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查看详情 >AO8814
AOS
AO8814，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TSSOP-8封装，60,000件现货，2个N沟道 耐压:20V 电流:7.5A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSSOP-8
60,000
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查看详情 >AON7423
AOS
AON7423，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN3.3x3.3封装，60,000件现货，P沟道三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN3.3x3.3
60,000
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AOS
AOD2910，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，57,518件现货，使用沟槽 MOSFET 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于 RDS(ON)、Ciss 和 Coss 的极低组合，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和 LED 背光的升压转换器和同步整流三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
57,518
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AOS
AO6401A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TSOP-6封装，57,000件现货，特性：使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并可在低至1.8V的栅极电压下工作。 VDS(V) = -30V。 ID = -5A(VGS = -10V)。 RDS(ON) < 47mΩ(VGS = -10V)。 RDS(ON三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSOP-6
57,000
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查看详情 >AOD4132
AOS
AOD4132，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，55,000件现货，特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。 漏源电压（VDS）：30V。 漏极电流（ID）：85A（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）< 4mΩ（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）<三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
55,000
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AOS
AO4828，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，54,000件现货，使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并可在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
54,000
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AOS
AO4620，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，53,000件现货，1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
53,000
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AOS
AOSP21357，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，51,001件现货，1个P沟道 耐压:30V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
51,001
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AOS
AO4404B，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，51,000件现货，N沟 30V 8.5A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
51,000
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查看详情 >AO4409
AOS
AO4409，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，51,000件现货，特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和超低的栅极电荷。 漏源电压（VDS）：-30V。 连续漏极电流（ID）：-15A。 导通电阻（RDS(ON)）：当栅源电压（VGS）为 -10V 时，小于 7.5mΩ；当栅源电压（VGS）为 -4.5三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
51,000
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