三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
329,010
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AON7318
AOS
Trench Power MOSFET technology · Low RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3
281,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
280,000
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AO3420
AOS
类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 6.5A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
280,000
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AO3407A
AOS
特性:VDS(max) = -30V · ID(max) = -4A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
267,724
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
249,001
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
246,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
210,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
210,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
206,700
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
201,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSOP-6
190,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
173,800
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AO3404A
AOS
特性:使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
171,000
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AON7544
AOS
AON7544采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3X3
165,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
163,268
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AO3415A
AOS
特性:使用先进沟槽技术 · 提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
162,623
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AON6354
AOS
沟槽功率MOSFET技术 · 低导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
150,812
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AO3400C
AOS
AO3400C 是电源开关器件 · 不支持高速信号
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
141,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
130,000
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AO3416
AOS
使用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
129,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
129,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
120,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
120,000
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AO4468
AOS
特性:高密度单元设计 · 超低导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
120,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3X3
120,000
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AO4606
AOS
使用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
112,695
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3X3
110,000
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AO3415
AOS
PMOS 漏源电压(Vdss):20V VGS=±12V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
108,000
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AO4435
AOS
特性:使用先进沟槽技术 · 提供出色的导通电阻、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
108,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
102,000
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AO4406A
AOS
特性:使用先进沟槽技术 · 提供出色的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
99,000
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AO4407A
AOS
使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻RDS(ON)和超低的栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
99,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
99,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
99,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6
99,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6
99,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN3.3X3.3
99,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6
99,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6
99,000
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AO4614B
AOS
使用先进的沟槽技术MOSFET · 可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
96,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
96,000
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AOD407
AOS
AOD407采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的 $\\mathsf{R}_{\\mathsf{DS}(\\
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
95,000
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AOD409
AOS
特性:高密度单元设计 · 实现超低导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
92,500
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AON7407
AOS
AON7407将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可提供极低的导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-33EP
92,000
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现货库存
TSOP-6
90,000
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AO6604
AOS
结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装 · 可提供极低的导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSOP-6
90,000
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AO6800
AOS
特性:VDS(V)=20V · RDS(ON)<22mΩ(VGS=10V)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSOP-6
90,000
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AONR21357
AOS
AONR21357采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3X3EP
89,114
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
87,000
询盘报价
AO4459
AOS
结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装 · 具有极低的导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
84,492
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
83,435
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
81,000
询盘报价
AOD444
AOS
将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可提供极低的导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
80,000
询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3X3
80,000
询盘报价
AO4805
AOS
特性:使用先进沟槽技术 · 提供出色的导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
75,000
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6
75,000
询盘报价
AOZ1360AIL
AOS
28VProgrammableCurrent-LimitedLoadSwitch
电源管理 > 功率电子开关
SOIC-8
72,000
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AON7400A
AOS
结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装 · 可提供极低的导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3
70,000
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AO4485
AOS
特性:使用先进的沟槽技术 · 提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
69,000
询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
69,000
询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
66,000
询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
66,000
询盘报价
AON6500
AOS
1个N沟道 耐压:30V 电流:71A 200A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6
66,000
询盘报价
AO4354
AOS
特性:先进的高单元密度沟槽技术 · 超低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
63,000
询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSSOP-8
63,000
询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6
62,666
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现货库存
SOT-23-3
60,000
询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
60,000
询盘报价
AO3481C
AOS
沟槽功率MOSFET技术 · 低导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
60,000
询盘报价
AO8814
AOS
2个N沟道 耐压:20V 电流:7.5A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSSOP-8
60,000
询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN3.3x3.3
60,000
询盘报价
AOD2910
AOS
使用沟槽 MOSFET 技术 · 该技术经过独特优化
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
57,518
询盘报价
AO6401A
AOS
特性:使用先进沟槽技术 · 提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSOP-6
57,000
询盘报价
AOD4132
AOS
特性:使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
55,000
询盘报价
AO4828
AOS
使用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
54,000
询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
53,000
询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
51,001
询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
51,000
询盘报价
AO4409
AOS
特性:使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻和超低的栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
51,000
询盘报价