制造商现货
ALLPOWER(铨力) 制造商型号现货与清单询价
按制造商聚合公开现货、可询库存和资料库匹配型号，帮助采购用户区分品牌字段与官方制造商资料。当前匹配 288 个公开可查询型号。
288匹配型号
1库存品牌线索
8常见封装
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
AP2302B
ALLPOWER(铨力)
特性：TrenchFET功率MOSFET · 应用：便携式设备负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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AP2003
ALLPOWER(铨力)
AP2003采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻Rps(on)和低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6L
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AP5N10S
ALLPOWER(铨力)
AP5N10S采用先进的沟槽技术和设计 · 在低栅极电荷的情况下可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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AP30P30Q
ALLPOWER(铨力)
AP30P30Q将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合 · 可实现极低的导通电阻RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3333-8
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AP1002
ALLPOWER(铨力)
AP1002采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（Rds(on)）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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AP6800
ALLPOWER(铨力)
AP6800采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的Rps（导通）和低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6
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AP68N06G
ALLPOWER(铨力)
AP68N06系列采用创新设计和硅工艺技术 · 以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AP50N06K
ALLPOWER(铨力)
AP50N06K采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 $\\mathsf{三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2L
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AP3910GD
ALLPOWER(铨力)
AP3910GD采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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AP4438
ALLPOWER(铨力)
AP4438系列采用创新设计和硅工艺技术 · 以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-89
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AP2045Q
ALLPOWER(铨力)
AP2045Q系列采用创新设计和硅工艺技术 · 以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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AP2012
ALLPOWER(铨力)
AP2012采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSSOP-8
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AP4580
ALLPOWER(铨力)
全桥MOSFET 2个N沟道+2个P沟道 耐压:20V 电流:2A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-8L
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APED12M4.0-10
ALLPOWER(铨力)
VESD：±30KV · Cj：15pF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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APED24M6.0-10
ALLPOWER(铨力)
VESD：±30KV · Cj：15pF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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APED3.3M10-06
ALLPOWER(铨力)
VESD：±30KV · Cj：17pF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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APED3.3M10-10
ALLPOWER(铨力)
VESD：±30KV · Cj：21pF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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APED3.3M7.0-06
ALLPOWER(铨力)
VESD：±30KV · Cj：12pF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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APED3.3M7.0-10
ALLPOWER(铨力)
VESD：±30KV · Cj：12pF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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APED36L4.0-10
ALLPOWER(铨力)
VESD：±30KV · Cj：9pF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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APED5.0L2.0-10
ALLPOWER(铨力)
VESD：±20KV · Cj：5.3pF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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APED5.0L3.0-10
ALLPOWER(铨力)
VESD：±20KV · Cj：3.5pF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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APED5.0L4.0-06
ALLPOWER(铨力)
VESD：±15KV · Cj：0.35pF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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APED5.0M8.0-06
ALLPOWER(铨力)
VESD：±30KV · Cj：17pF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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APED7.0M4.0-06
ALLPOWER(铨力)
VESD：±15KV · Cj：12pF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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APED7.0M7.0-06
ALLPOWER(铨力)
VESD：±30KV · Cj：17pF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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APED7.0M7.0-10
ALLPOWER(铨力)
VESD：±30KV · Cj：17pF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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APED3.3L4.0-10
ALLPOWER(铨力)
VESD：±15KV · Cj：0.25pF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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APED5.0L4.0-10
ALLPOWER(铨力)
VESD：±15KV · Cj：0.3pF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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APED5.0M4.0-10
ALLPOWER(铨力)
VESD：±25KV · Cj：12pF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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APED7.0M6.0-10
ALLPOWER(铨力)
VESD：±30KV · Cj：17pF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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APM9435
ALLPOWER(铨力)
特性：30V · -5.3A时RDS(ON) < 58mΩ（VGS = -10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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AP30H100KA
ALLPOWER(铨力)
AP30H100KA采用创新设计和硅工艺技术 · 以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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AP9565K
ALLPOWER(铨力)
AP9565K系列采用创新设计和硅工艺技术 · 以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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AP25P06K
ALLPOWER(铨力)
AP25P06K采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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APG038N01G
ALLPOWER(铨力)
特性：100V · RDS(ON) <3.8mΩ @VGS=10V（典型值：3.1mΩ）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8
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AP25N06K
ALLPOWER(铨力)
25N06采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻Rps(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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AP040N03G
ALLPOWER(铨力)
AP040N03G通过创新设计和硅工艺技术 · 实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8
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