鑫飞宏 制造商型号现货与清单询价

FH6211N28

鑫飞宏

低压差（LDO）、低功耗线性稳压器系列可提供非常高的电源抑制比（PSRR） · 同时保持极低的40μA接地电

FH9261-DBF

鑫飞宏

可再充电电池保护IC 过充电压4.280V · 过放电压2.800V

FH9261-DCJ

鑫飞宏

4.35V±25mV · 2.3V±50mV

FH9261-DBE

鑫飞宏

可再充电电池保护IC 过充电压4.425V · 过放电压3.000V

FH3016FDY

鑫飞宏

4.425V±20mV · 3.0V±50mV

FH8617G1

鑫飞宏

二合一锂保IC 过充电压:4.300V 过放电压：2.720V 过充恢复电压：4.075V 过放恢复电压:2

FH9261-DBG

鑫飞宏

4.425V±25mV · 3.0V±50mV

FH1304G6

鑫飞宏

使用先进的沟槽技术和设计 · 可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷

FH4606B

鑫飞宏

特性：超高密度电池设计 · 可靠耐用

FH8206

鑫飞宏

4.3V±50mV · 2.5V±75mV

FH8902K

鑫飞宏

VDS:30V · ID(atVGS=10v)5.0a

FH7071DZ

鑫飞宏

过充电压4.450V±25mV · 过放电压2.520V

FH2120-NB

鑫飞宏

过充电保护电压3.500V~4.400V · 过充电解除电压3.200V~4.300V

FH7071HZ

鑫飞宏

过充电压4.425V±25mV · 过放电压2.510V

FH3080G

鑫飞宏

1个N沟道 耐压:30V 电流:75A

FH4056C

鑫飞宏

FH4056C电源电压4.5V～6.0V 最大充电电流1000mA · 单节锂电池充电管理IC

FH32P03G6

鑫飞宏

是高性能沟槽P沟道MOSFET · 具有极高的单元密度

FH3415M

鑫飞宏

Type · P

FH8609A2

鑫飞宏

过充电压4.300V±50mV · 过放电压2.400V

FH9261-G3M

鑫飞宏

4.28V±25mV · 2.8V±50mV

FH7071GZ

鑫飞宏

过充电压4.400V±25mV · 过放电压3.000V

FH2310

鑫飞宏

Type · N

FH3040G6

鑫飞宏

FH3040G6采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)

FH2300

鑫飞宏

特性：TrenchFET功率MOSFET

FH8904G6

鑫飞宏

特性：表面贴装封装 · 先进的沟槽单元设计

FH45P16G6

鑫飞宏

Type · P

FH1904G

鑫飞宏

Type · N

FH2050D

鑫飞宏

使用先进的沟槽技术和设计 · 提供出色的导通电阻和低栅极电荷

FH2120-CB

鑫飞宏

4.28V±25mV · 2.9V±80mV

FH2314

鑫飞宏

Type · N

FH3080K

鑫飞宏

特性：使用先进的沟槽技术和设计 · 提供出色的导通电阻和低栅极电荷

FH8812A

鑫飞宏

VDS(MIN)20V · ID25℃(8.2A)

FH2311A

鑫飞宏

Type · P

FH4604D

鑫飞宏

使用先进的沟槽技术和设计 · 提供出色的导通电阻和低栅极电荷

FH1304GS6

鑫飞宏

使用先进的沟槽技术和设计 · 以低栅极电荷提供出色的导通电阻RDS(ON)

FH8809A

鑫飞宏

是高性能沟槽N沟道MOSFET · 具有极高的单元密度

FH3304GS

鑫飞宏

FH3304GS采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计 · 在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)

FH8802G

鑫飞宏

FH8802G采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)

FH3055GS

鑫飞宏

是N- 通道增强模式MOSFET · 采用Trench技术

FH8707G3

鑫飞宏

FH8707G3采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷

FH1610GS

鑫飞宏

Type · N

FH3210GS

鑫飞宏

1个N沟道 耐压:100V 电流:78A

FH8838G3

鑫飞宏

FH8838G3采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷

FH3406GS

鑫飞宏

单N沟道 · 漏源电压(Vdss): 60V

FH8807G3B

鑫飞宏

采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻、低栅极电荷

FH1510GS

鑫飞宏

FH1510GS采用先进的沟槽技术和设计 · 在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)

FH3060G6

鑫飞宏

使用先进的沟槽技术和设计 · 提供出色的导通电阻和低栅极电荷

FH25P03G6

鑫飞宏

是高性能沟槽P沟道MOSFET · 具有极高的单元密度

FH8215

鑫飞宏

4.3V±50mV · 2.4V±75mV

FH4008GS

鑫飞宏

特性：SGT沟槽技术 · 低RDS(on)和FOM

FH1204S

鑫飞宏

使用先进超级沟槽技术和设计 · 提供低栅极电荷的出色导通电阻RDS(ON)

FH8608C

鑫飞宏

4.3V±50mV · 2.4V±75mV

FH8614G1

鑫飞宏

4.3V±50mV · 2.8V±75mV

FH0210

鑫飞宏

Type · N

FH8913P

鑫飞宏

FH8913P是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导

FH30120GS

鑫飞宏

FH30120GS采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计 · 在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)

FH4407A2

鑫飞宏

是P沟道增强型MOSFET · 采用沟槽技术

FH1604G

鑫飞宏

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术 · 这种先进技术经过特别设计

FH3415C+

鑫飞宏

特性：VDS = -20V · ID = -4.2A

FH9926

鑫飞宏

内部包括两个独立的、N沟道金属氧化物场效应管 · 它有高密度超低的导通电阻

FH3030G3B

鑫飞宏

采用先进的沟槽技术和设计 · 可提供出色的导通电阻和低栅极电荷

FH1504G6

鑫飞宏

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷

FH8208

鑫飞宏

4.3V±50mV · 2.4V±75mV

FH4608

鑫飞宏

特性：超高密度电池设计 · 可靠耐用

FH8808G2

鑫飞宏

Type · N+N

FH2301S

鑫飞宏

特性：低导通电阻：Low Rds(on)@VGS=-4.5V · 沟道功率MOS管：TrenchFET Po

FH3415P

鑫飞宏

特性：VDS = -20V · ID = -4.6A

FH3415Q

鑫飞宏

沟槽功率低压MOSFET技术 · 高功率和电流处理能力

FH8214

鑫飞宏

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷

FH7071BZ

鑫飞宏

过充电压4.400V±25mV · 过放电压2.500V

FH45P03G6

鑫飞宏

P-Channel 增强模式 MOSFET 采用 Trench 技术 · 封装为 PDFN3.3x3.3-8

FH3016FDZ

鑫飞宏

4.475V±20mV · 3.0V±50mV

FH2120-ZG

鑫飞宏

可再充电电池保护IC 过充电压4.425V · 过放电压2.500V

FH9261-G3JZ

鑫飞宏

可再充电电池保护IC 过充电压4.280V · 过放电压3.000V

FH8712K2

鑫飞宏

使用先进的沟槽技术 · 可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷

FH9261-DAA

鑫飞宏

4.28V±20mV · 3.0V±50mV

FH3016FDA

鑫飞宏

4.28V±20mV · 3.0V±50mV

FH3415G+

鑫飞宏

采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻 (RDS(ON))、低栅极电荷

FHE75

鑫飞宏

工作电压1.5V-5.5V · 内置4MHz 晶振

FH8254AAV

鑫飞宏

4.25V±25mV · 2.7V±80mV