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TI(德州仪器)
ULN2003ADR,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 / 达林顿晶体管阵列,SOIC-16封装,1,777,595件现货,ULN2003A 高电压、大电流达林顿晶体管阵列onsemi(安森美)
UC2843BD1R2G,onsemi(安森美),电源与功率 / AC-DC控制器和稳压器,SOIC-8封装,282,996件现货,UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计,为设计人员提供了外部部件极少的经济高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、onsemi(安森美)
UC2845BD1R2G,onsemi(安森美),电源与功率 / AC-DC控制器和稳压器,SOIC-8封装,274,822件现货,UC3844B、UC3845B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计,为设计人员提供了外部部件极少的经济高效方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流感onsemi(安森美)
UC3843BD1R2G,onsemi(安森美),电源与功率 / AC-DC控制器和稳压器,SOIC-8封装,239,287件现货,UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计,为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、DIODES(美台)
US1M-13-F,DIODES(美台),二极管 / 快恢复/高效率二极管,SMA封装,215,000件现货,特性:玻璃钝化芯片结构。 超快速恢复时间,实现高效率。 浪涌过载额定值达30A峰值。 高电流能力。 非常适合自动组装。 无铅表面处理,符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件SEMTECH
UCLAMP3301P.TCT,SEMTECH,TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SLP1006P2封装,200,000件现货,A钳位瞬态电压抑制(TVS)二极管专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。与MLV相比,它们具有卓越的电气特性,如更低的钳位电压,且不会出现器件性能TI(德州仪器)
UCC27524DSDR,TI(德州仪器),电机驱动芯片 / 栅极驱动芯片,WSON-8封装,171,000件现货,UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器,能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计,UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载,此器件UTC(友顺)
UT3N06G-AE3-R,UTC(友顺),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-23封装,160,000件现货,N沟道,60V,3A,90mΩ@10VUTC(友顺)
UC3845G-S08-R,UTC(友顺),电源与功率 / AC-DC控制器和稳压器,SOP-8封装,151,880件现货,UTC UC3844/3845是高性能固定频率电流模式控制器,专为离线和直流 - 直流转换器应用而设计,所需外部元件极少。UC3844和UC3845的区别在于最大占空比范围和欠压锁定阈值。UC3844非常适合离线应用,其欠压锁定(UVLST(意法半导体)
UC3842BD1013TR,ST(意法半导体),电源与功率 / AC-DC控制器和稳压器,SOP-8封装,147,800件现货,UC384xB系列控制IC具备实现离线或直流到直流固定频率电流模式控制方案所需的特性,且外部元件数量极少。内部集成的电路包括:一个经过微调的振荡器,用于在欠压锁定状态下实现精确的占空比控制,启动电流小于0.5 mA;一个在误差放大MCC(美微科)
US2M-TP,MCC(美微科),二极管 / 快恢复/高效率二极管,SMB封装,140,000件现货,特性:玻璃钝化芯片。超快速开关,实现高效率。低正向压降和高电流能力。低反向漏电流。无铅涂层,符合 RoHS 标准。环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。湿度敏感度等级 1TI(德州仪器)
UCC27517DBVR,TI(德州仪器),电机驱动芯片 / 栅极驱动芯片,SOT-23-5封装,127,548件现货,UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流onsemi(安森美)
ULN2003ADR2G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 达林顿晶体管阵列,SOP-16封装,124,340件现货,这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7onsemi(安森美)
UC3843BVD1R2G,onsemi(安森美),电源与功率 / AC-DC控制器和稳压器,SOP-8封装,120,000件现货,UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计,为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、UTC(友顺)
UT3N06G-AB3-R,UTC(友顺),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-89封装,120,000件现货,UTC UT3N06是一款N沟道功率MOSFET,具有极低的导通电阻。它效率高且性价比出色,广泛适用于商业和工业领域。TI(德州仪器)
UCC27524ADR,TI(德州仪器),电机驱动芯片 / 栅极驱动芯片,SOIC-8封装,111,417件现货,UCC27524A 具有负输入电压能力的双路 5A,高速,低侧栅极功率 MOSFET 驱动器ST(意法半导体)
UC3843BN,ST(意法半导体),电源与功率 / AC-DC控制器和稳压器,DIP-8封装,109,000件现货,UC384xB系列控制IC具备实现离线或DC - DC固定频率电流模式控制方案所需的特性,且外部元件数量极少。内部集成的电路包括:一个经过微调的振荡器,用于在欠压锁定状态下实现精确的占空比控制,启动电流小于0.5 mA;一个在误差放大器输入端Microchip(美国微芯)
USB3300-EZK,Microchip(美国微芯),通信接口芯片 / USB转换芯片,QFN-32封装,100,000件现货,USB3300是一款工业温度级高速USB物理层收发器。它使用低引脚数接口(ULPI)连接到符合ULPI标准的链路层。TI(德州仪器)
UA78M33CDCYR,TI(德州仪器),现货库存,SOT-223封装,99,500件现货TI(德州仪器)
UCC28180DR,TI(德州仪器),电源与功率 / 功率因数校正(PFC)控制器,SOIC-8封装,97,032件现货,UCC28180 8 引脚持续传导模式 (CCM) PFC 控制器,UCC28180Microchip(美国微芯)
USX2064-AEZG-TR,Microchip(美国微芯),通信接口芯片 / USB集线器,VQFN-36封装,94,293件现货,Microchip USB251xB/xBi 集线器是一系列低功耗、可配置的多事务转换器(MTT)集线器控制器IC产品,适用于嵌入式USB解决方案。部件编号中的x表示可用的下游端口数量,而B表示支持电池充电。Microchionsemi(安森美)
UC3845BD1R2G,onsemi(安森美),电源与功率 / AC-DC控制器和稳压器,SOIC-8_150封装,93,900件现货,UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计,为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、TI(德州仪器)
UCC27524DR,TI(德州仪器),电机驱动芯片 / 栅极驱动芯片,SOIC-8封装,93,794件现货,MOS驱动芯片,UCC27524 双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器YANGJIE(扬杰)
UMX1N,YANGJIE(扬杰),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-363封装,93,090件现货,UMX1N-F2-0000HF继续看现货
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