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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
NSV40200LT1G
onsemi(安森美)
NSV40200LT1G，onsemi(安森美)，现货库存，SOT-23封装，1,888,000件现货现货库存
SOT-23
1,888,000
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查看详情 >NX7002AK,215
Nexperia(安世)
NX7002AK,215，Nexperia(安世)，现货库存，SOT-23封装，1,089,679件现货现货库存
SOT-23
1,089,679
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查看详情 >NCP18XH103F03RB
Murata(村田)
NCP18XH103F03RB，Murata(村田)，传感器 / NTC热敏电阻，SMD封装，800,000件现货，10kΩ 3380K 100mW传感器 > NTC热敏电阻
SMD
800,000
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查看详情 >NTMFS5C430NLT1G
ON超低超低超低
NTMFS5C430NLT1G，ON超低超低超低，现货库存，DFN-56封装，783,000件现货现货库存
DFN-56
783,000
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查看详情 >NTA7002NT1G
Leiditech(雷卯电子)
NTA7002NT1G，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，SOT-523封装，729,950件现货，特性：低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动，适用于便携式设备。 易于设计驱动电路。 易于并联。应用：接口。 开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-523
729,950
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查看详情 >NSVBC114EDXV6T1G
onsemi(安森美)
NSVBC114EDXV6T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SOT-563封装，500,000件现货，此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
SOT-563
500,000
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查看详情 >NUP2105LT1G
ON超美超美超美
NUP2105LT1G，ON超美超美超美，TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOT-23封装，491,888件现货，PPP(W) 350 VRWM(V) 24 VBR(V) 32 VC(V) 46 IPP(A) 5 IR(uA) 0.1 CJ(pF) 30TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23
491,888
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查看详情 >NCE3407
NCE(无锡新洁能)
NCE3407，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，478,066件现货，P沟道，-30V，-4.1A，60毫欧。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
478,066
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查看详情 >NC7SZ04M5X
onsemi(安森美)
NC7SZ04M5X，onsemi(安森美)，逻辑器件 / 反相器，SOT-23-5封装，460,500件现货，NC7SZ04 是安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列单逆变器。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当逻辑器件 > 反相器
SOT-23-5
460,500
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查看详情 >NCP398FCCT1G
onsemi(安森美)
NCP398FCCT1G，onsemi(安森美)，电源与功率 / 功率电子开关，UFBGA-4封装，452,010件现货，NCP398是一种过电压保护器件。它在VCONN直接从VBUS电源获取的应用中保护VCONN免受过电压的影响。在上电时，集成的功率MOSFET会自动控制以减少浪涌电流。该IC持续监测欠压、过压和热事件。在发生过电压的情况下，一个非常高速的电源管理 > 功率电子开关
UFBGA-4
452,010
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查看详情 >NSI45020AT1G
onsemi(安森美)
NSI45020AT1G，onsemi(安森美)，电源与功率 / LED驱动，SOD-123封装，446,920件现货，线性恒流调节器（CCR）是一种简单、经济且耐用的设备，旨在为调节LED中的电流提供经济高效的解决方案。CCR基于自偏置晶体管（SBT）技术，可在较宽的电压范围内调节电流。它设计有负温度系数，以保护LED在极端电压和电流下免受热失控的影响。C电源管理 > LED驱动
SOD-123
446,920
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查看详情 >NC7WZ04P6X
onsemi(安森美)
NC7WZ04P6X，onsemi(安森美)，逻辑器件 / 反相器，SC70-6封装，404,999件现货，NC7WZ04是一款双反相器门电路，在正逻辑中可实现布尔函数Y = A(非)。该器件具备掉电保护电路，可防止器件在掉电时损坏。逻辑器件 > 反相器
SC70-6
404,999
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查看详情 >NSR0530HT1G
onsemi(安森美)
NSR0530HT1G，onsemi(安森美)，二极管 / 肖特基二极管，SOD-323封装，400,000件现货，肖特基势垒二极管针对非常低的正向压降和低泄漏电流进行了优化，用于便携式设备中的各种直流-直流转换器、钳位和保护应用。SOD-323微型封装使设计人员能够应对实现更高效率和满足更小空间要求的挑战。二极管 > 肖特基二极管
SOD-323
400,000
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查看详情 >NCE6080K
NCE(无锡新洁能)
NCE6080K，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，397,500件现货，NCE6080K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种领域。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
397,500
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查看详情 >NTA4001NT1G
ON超美超美超美
NTA4001NT1G，ON超美超美超美，现货库存，SOT-523封装，319,000件现货现货库存
SOT-523
319,000
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NE5532DR
TI(德州仪器)
NE5532DR，TI(德州仪器)，现货库存，SOIC-8封装，317,500件现货现货库存
SOIC-8
317,500
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查看详情 >NCE2301
NCE(无锡新洁能)
NCE2301，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，312,000件现货，P沟道，-20V,-3A，64毫欧。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
312,000
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查看详情 >NCS333ASN2T1G
onsemi(安森美)
NCS333ASN2T1G，onsemi(安森美)，运算放大器/比较器 / 精密运放，SOT-23-5封装，301,000件现货，零漂移运算放大器系列在1.8V至5.5V电源电压范围内，失调电压低至10μV。零漂移架构将失调漂移降至低至0.07μV/°C，可实现跨时间和温度的高精度测量。该系列在宽动态范围内具有低功耗，并提供节省空间的封装。这些特性使其非常适运算放大器/比较器 > 精密运放
SOT-23-5
301,000
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查看详情 >NSVR0240V2T1G
onsemi(安森美)
NSVR0240V2T1G，onsemi(安森美)，二极管 / 肖特基二极管，SOD-523封装，300,000件现货，肖特基整流器经过优化，可实现极低的正向压降和低泄漏电流，并广泛用于便携式设备中的 DC-DC 转换器、箝位和保护应用。NSR0240V2 采用 SOD-523 微型封装，有助于设计人员完成具有挑战性的任务：提高能效并满足缩小空间的要求。二极管 > 肖特基二极管
SOD-523
300,000
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查看详情 >NE555DR
TI(德州仪器)
NE555DR，TI(德州仪器)，时钟和定时 / 555定时器/计时器，SOIC-8封装，288,550件现货，NE555是一款高稳定性的定时器集成电路，可在无稳态和单稳态两种模式下工作。在单稳态工作模式下，时间延迟由一个外部电阻和一个电容精确控制。时钟和定时 > 555定时器/计时器
SOIC-8
288,550
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查看详情 >NC7WZ14P6X
onsemi(安森美)
NC7WZ14P6X，onsemi(安森美)，逻辑器件 / 反相器，SOT-363封装，267,000件现货，NC7WZ14P6X 是一款双反相器门电路，在正逻辑中可实现布尔函数 Y = A(非)。该器件具备掉电保护电路，可防止其在掉电时损坏。逻辑器件 > 反相器
SOT-363
267,000
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查看详情 >NTS4101PT1G
ON超美超美超美
NTS4101PT1G，ON超美超美超美，现货库存，SOT-323封装，263,421件现货现货库存
SOT-323
263,421
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查看详情 >NDS0605
onsemi(安森美)
NDS0605，onsemi(安森美)，现货库存，SOT-23-3封装，256,000件现货现货库存
SOT-23-3
256,000
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查看详情 >NSA2860_SSOP16
NOVOSENSE刚到
NSA2860_SSOP16，NOVOSENSE刚到，现货库存，SSOP-16封装，255,660件现货现货库存
SSOP-16
255,660
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