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FUXINSEMI(富芯森美)
MMBT3904LT1G,FUXINSEMI(富芯森美),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-23封装,1,445,933件现货,特性:与MMBT3906互补onsemi(安森美)
MMSD4148T1G,onsemi(安森美),二极管 > 开关二极管,SOD-123封装,1,174,428件现货,此开关二极管适用于高速开关应用。强茂-MD
MMBT3904,强茂-MD,三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-23封装,1,154,384件现货,特性:与MMBT3906互补onsemi(安森美)
MMBT4403LT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-23封装,1,089,031件现货FUXINSEMI(富芯森美)
MBT3904DW1T1G,FUXINSEMI(富芯森美),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-363封装,1,083,000件现货,特性:外延平面管芯结构。 适用于低功率放大和开关WeEn(瑞能)
MAC97A8,412,WeEn(瑞能),三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块,TO-92封装,1,068,215件现货,平面钝化的高灵敏度栅极四象限三端双向可控硅,采用SOT54塑料封装,旨在直接与微控制器、逻辑集成电路和其他低功率栅极触发电路连接。杭州瑞盟股份
MS41908M,杭州瑞盟股份,现货库存,QFN-44封装,888,000件现货onsemi(安森美)
MMBTA06LT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-23封装,798,028件现货杭州瑞盟
MS3485,杭州瑞盟,通信接口芯片 > RS-485/RS-422芯片,SOP-8封装,761,000件现货,ESD达20KV,高达10MBPS, 工作电压:1.8-3.6V ESD抗静电高达20KVON超美超美超美
MMBZ27VALT1G,ON超美超美超美,TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-23封装,717,000件现货,双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用ON超美超美超美
MMUN2211LT1G,ON超美超美超美,三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管,SOT-23封装,696,000件现货,MMUN2211LT1GDIODES(美台)
MMBT4403-7-F,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-23封装,693,000件现货,特性:外延平面芯片结构。 适用于中功率放大和开关。 互补NPN类型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,环保产品onsemi(安森美)
MMSZ4688T1G,onsemi(安森美),现货库存,SOD-123封装,687,000件现货onsemi(安森美)
MBR0520LT1G,onsemi(安森美),二极管 > 肖特基二极管,SOD-123封装,658,800件现货,此肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用势垒金属,可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。该器件适用于低电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装提供了无引线 34 MELF 样式封装的替ON超美超美超美
MBR0530T1G,ON超美超美超美,二极管 > 肖特基二极管,SOD-123封装,606,000件现货,这款肖特基二极管,正向导通电压VF低,确保在大电流、低压差应用中实现卓越的能效与快速响应。适用于电源转换器、高频开关电路以及需要高性能整流功能的紧凑型设计中。MPS(芯源)
MP9943GQ-Z,MPS(芯源),电源管理 > DC-DC电源芯片,QFN-8封装,603,572件现货,DCDC降压,电源输入30V以上,3A以上(大电流)方案,onsemi(安森美)
MMBT5551LT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-23封装,546,195件现货DIODES(美台)
MMBT2222A-7-F,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-23封装,489,136件现货,特性:外延平面芯片结构。 低饱和电压:VCE(sat) < 300mV @ 150mA。 互补PNP型。 适用于低功率放大和开关。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,环保器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用onsemi(安森美)
MMBZ33VALT1G,onsemi(安森美),TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-23封装,469,000件现货,这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这onsemi(安森美)
MMBD914LT1G,onsemi(安森美),二极管 > 开关二极管,SOT-23封装,441,000件现货,此开关二极管适用于高速开关应用。 此器件采用 SOT-23 表面贴装封装,适用于自动化插入。Microchip(美国微芯)
MCP6002T-I/SN,Microchip(美国微芯),运算放大器/比较器 > 运算放大器,SOIC-8封装,434,097件现货,双低功耗轨对轨运算放大器onsemi(安森美)
MURS120T3G,onsemi(安森美),二极管 > 快恢复/高效率二极管,SOP封装,434,006件现货,该超快整流器适用于高电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。LITEON(光宝)
MOC3063S-TA1,LITEON(光宝),光耦 > 可控硅输出光耦,SOP-6封装,428,553件现货,过零触发光耦onsemi(安森美)
MBRS360T3G,onsemi(安森美),二极管 > 肖特基二极管,SOT-23封装,404,055件现货,特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。 适用于表面贴装应用。 金属硅结,多数载流子传导。 低功耗,高效率。 内置应力消除,适合自动化贴装。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接:引脚250℃/10秒LITEON(光宝)
MOC3021S-TA1,LITEON(光宝),光耦 > 可控硅输出光耦,SOP-6封装,400,000件现货,特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。6引脚DIP光电耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM:最小400V。高关态电压上升临界速率 (dV/dt):最小1000V/μs。应用:AC电机驱动器。AC电机启JSMSEMI(杰盛微)
MJD44H11T4G,JSMSEMI(杰盛微),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),TO-252封装,376,125件现货,适用于大功率开关电路与中等放大需求,是工业控制、电源转换等领域不可或缺的半导体元件。onsemi(安森美)
MMBT2907ALT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-23封装,367,294件现货西安航天民芯
MT3608,西安航天民芯,电源管理 > DC-DC电源芯片,SOT-23-6封装,360,185件现货,新版本 启动电压2.5V 高效1.2MHz 2A升压转换器onsemi(安森美)
MMBF4393LT1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 结型场效应管(JFET),SOT-23封装,334,000件现货,此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。常州星海
M7,常州星海,二极管 > 通用二极管,SOD-123封装,332,292件现货,晶圆大小为50MIL(非标准版)onsemi(安森美)
MMBT5401LT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-23封装,329,000件现货onsemi(安森美)
MM3Z3V3ST1G,onsemi(安森美),现货库存,SOD-323封装,325,593件现货MXIC(旺宏电子)
MX25L25645GM2I-08G,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,272,386件现货,256-Mbit(256M x 1/128M x 2/64M x 4),工作电压:3VAVAGO/安华高
MGA-633P8-TR1G,AVAGO/安华高,现货库存,QFN-8封装,269,490件现货ST(意法半导体)
M24C08-WMN6TP,ST(意法半导体),存储器 > EEPROM,SOP-8封装,265,000件现货,8 Kbit串行I2C总线EEPROMLITEON
MOC3021,LITEON,光耦 > 可控硅输出光耦,DIP-6封装,249,600件现货,特性:输入输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。 6引脚DIP光耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。 高重复峰值关态电压 VDRM:最小400V。应用:交流电机驱动器onsemi(安森美)
MRA4007T3G,onsemi(安森美),二极管 > 通用二极管,SMADO-214封装,241,201件现货,该标准恢复整流器具有玻璃钝化结构。适用于表面贴装汽车应用。onsemi(安森美)
MMBT4401LT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-23封装,240,000件现货onsemi(安森美)
MMBTA92LT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-23封装,240,000件现货MCC(美微科)
MMBT3906-TP,MCC(美微科),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-23封装,234,000件现货,特性:无铅涂层,符合RoHS标准(“P”后缀表示符合RoHS标准)。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 湿度敏感度等级为1。 标记:2Aonsemi(安森美)
MBRM140T1G,onsemi(安森美),二极管 > 肖特基二极管,DO-216AA封装,232,745件现货,该肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用势垒金属和外延结构,可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。这种先进的封装技术可用于实现高能效的微型、节省空间的表面贴装整流器。由于其独特的散热设计,该整流器与 SMA 具有相同的热性能,而占位减小 50%,提onsemi(安森美)
MURA120T3G,onsemi(安森美),二极管 > 快恢复/高效率二极管,DO214A封装,231,087件现货,特性:适用于表面贴装应用。 低轮廓表面贴装应用,以优化电路板空间。 内置应力消除设计。 超快速恢复时间,高效能。 玻璃钝化芯片结。 无铅部件符合RoHS要求。 符合无卤要求ON安森美
MURA220T3G,ON安森美,二极管 > 快恢复/高效率二极管,SMA封装,230,000件现货,该超快功率整流器适用于高电压、高频率整流,或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。MICRONE(南京微盟)
ME6206A33XG,MICRONE(南京微盟),电源管理 > 线性稳压器(LDO),SOT-23封装,228,000件现货,高精度、低功耗、高电压、正电压调节器,采用CMOS和激光微调技术制造。该系列可提供大电流,且压差极低。该系列与低ESR陶瓷电容兼容。电流限制器的折返电路还可作为输出电流限制器和输出引脚的短路保护。onsemi(安森美)
MURS320T3G,onsemi(安森美),二极管 > 快恢复/高效率二极管,SMC封装,221,299件现货,特性:快速开关速度。 低剖面表面贴装应用,以优化电路板空间。 表面贴装封装,非常适合自动插入。 低功耗,高效率。 高正向浪涌电流能力。 无铅部件符合RoHS要求。 符合无卤要求Microchip(美国微芯)
MCP601T-I/OT,Microchip(美国微芯),运算放大器/比较器 > 运算放大器,SOT-23-5封装,208,534件现货,Microchip的MCP601/2/3/4系列低功耗运算放大器提供单运放 (MCP601)、带片选(CS) 功能的单运放(MCP603)、双运放 (MCP602) 和四运放 (MCP604) 等配置。器件采用先进的CMOonsemi(安森美)
MGSF1N02LT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-323-3封装,208,200件现货Microchip(美国微芯)
MFI343S00177-L,Microchip(美国微芯),通信接口芯片 > USB集线器,XDFN8封装,208,131件现货,MFI343S00177-Lonsemi(安森美)
MMBFJ310LT1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 结型场效应管(JFET),SOT-23封装,207,000件现货,此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。MPS超低超低
MP1658GTF-Z,MPS超低超低,现货库存,SOT-563封装,205,000件现货onsemi(安森美)
MC33178DR2G,onsemi(安森美),运算放大器/比较器 > 运算放大器,SOP-8封装,205,000件现货,MC33178/9系列是采用双极技术的高品质单片放大器产品系列,运用了创新的高性能理念,适用于优质音频和数据信号处理应用。该器件系列采用高频PNP输入晶体管,使放大器具备低输入失调电压、低噪声和低失真的特性。此外,该放大器每个放大器仅消耗MPS/芯源
MP1605GTF-Z,MPS/芯源,现货库存,SOT-563封装,203,554件现货JSMSEMI(杰盛微)
MJD45H11T4G,JSMSEMI(杰盛微),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),TO-252封装,203,500件现货,应用于大功率、高电流开关及放大电路而设计,是电子工程师的理想选择。ON超低超低
MC78M12CDTRKG,ON超低超低,现货库存,TO-252封装,200,000件现货ON超低超低超低
MBR130LSFT1G,ON超低超低超低,二极管 > 肖特基二极管,SOD-123封装,200,000件现货,运用肖特基势垒原理,采用大面积金属-硅功率二极管。 该器件适用于低电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。 此封装还是无引线 34 封装样式的易于使用的替代产品。 由于其尺寸小巧,因而适用于onsemi(安森美)
MC33078DR2G,onsemi(安森美),运算放大器/比较器 > 运算放大器,SOP-8封装,197,000件现货,MC33078/9系列是采用双极技术的高品质单片放大器系列,运用创新高性能理念,适用于优质音频和数据信号处理应用。该系列采用高频PNP输入晶体管,使放大器具有低输入电压噪声、高增益带宽积和转换速率。全NPN输出级无死区交越失真,输出电压摆Microchip(美国微芯)
MCP6004T-I/SL,Microchip(美国微芯),运算放大器/比较器 > 运算放大器,SOIC-14封装,192,682件现货,MCP6001/2/4系列运算放大器专为通用应用而设计。该系列的增益带宽积(GBWP)为1 MHz,相位裕度典型值为90°。在连接500 pF容性负载时,其相位裕度典型值仍能保持在45°。该系列可在低至1.8V的单电源电压MPS(芯源)
MP9447GL-Z,MPS(芯源),电源管理 > DC-DC电源芯片,QFN-20封装,187,222件现货,DCDC降压,电源输入30V以上,3A以上(大电流)方案,onsemi(安森美)
MC14081BDR2G,onsemi(安森美),逻辑器件 > 逻辑门,SOIC-14封装,186,153件现货,B系列逻辑门采用P沟道和N沟道增强型器件构建在单一的单片结构中(互补金属氧化物半导体,即CMOS)。它们主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。CJ/长电/长晶
MMBTA05,CJ/长电/长晶,三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-23封装,180,200件现货,晶体三极管onsemi(安森美)
MC78M05CDTRKG,onsemi(安森美),现货库存,TO-252封装,180,000件现货ST(意法半导体)
MC33078DT,ST(意法半导体),运算放大器/比较器 > 运算放大器,SOP-8封装,180,000件现货,MC33078器件是一款单片双运算放大器,特别适用于音频应用。它具有低电压噪声(4.5 nV/√Hz)和高频性能(增益带宽积为15 MHz,压摆率为7 V/µs)。CJ/长晶
MMBT3904T,CJ/长晶,三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-523封装,180,000件现货,特性:简化电路设计。 符合RoHS标准。 环保电磁兼容性CJ/长晶
MMBT3906T,CJ/长晶,三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-523封装,180,000件现货,适用于表面贴装应用、符合欧盟RoHSTI(德州仪器)
MSP430G2553IPW28R,TI(德州仪器),现货库存,TSSOP-28封装,176,000件现货onsemi(安森美)
MM3Z15VT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOD-323封装,170,334件现货LITEON(光宝)
MOC3023S-TA1,LITEON(光宝),光耦 > 可控硅输出光耦,SOP-6封装,169,683件现货,特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。6引脚DIP光电耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM:最小400V。高关态电压上升临界速率 (dV/dt):最小1000V/μs。应用:AC电机驱动器。AC电机启MPS(芯源)
MPM3810GQB-Z,MPS(芯源),功能模块 > DC-DC电源模块,QFN-12封装,166,511件现货,MPM3810是一款内置功率MOSFET和电感的降压模块转换器。该模块集成的电感简化了电源系统设计,使用方便且高效。这款DC-DC模块采用小型表面贴装QFN-12(2.5mmx3.0mmx0.9mm)封装,在2.5V至6V输入电压下可实现1.2onsemi(安森美)
MM3Z16VT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOD-323封装,165,000件现货onsemi(安森美)
MBR0540T1G,onsemi(安森美),二极管 > 肖特基二极管,SOD-123封装,165,000件现货,特性:金属硅结,多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗,高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用MPS(芯源)
MP1530DM-LF-Z,MPS(芯源),电源管理 > DC-DC电源芯片,TSSOP-16封装,163,517件现货,MP1530 是一款三输出升压转换器加上线性稳压器,设计用于为 TFT LCD 面板供电。它结合了一个固定频率的升压转换器和正负线性稳压器,提供完整的 DC/DC 解决方案。输入电压范围为 2.7V 至 5.5V,最大开关电流限制为 2.DIODES(美台)
MMBT3904-7-F,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-23封装,162,753件现货,特性:互补PNP类型可用。 适用于中功率放大和开关。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件onsemi(安森美)
MMSZ5231BT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOD-123封装,162,000件现货onsemi(安森美)
MC74HC595ADR2G,onsemi(安森美),逻辑器件 > 移位寄存器,SOP-16封装,158,000件现货,MC74HC595A 由一个 8 位移位寄存器和一个带三态并行输出的 8 位 D 型锁存器组成。移位寄存器接收串行数据并提供串行输出,还向 8 位锁存器提供并行数据。PANJIT/强茂
MMSZ5245B_R1_00101,PANJIT/强茂,现货库存,SOD-123封装,156,000件现货ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
MAX98357AEWL+T,ADI(亚德诺)/MAXIM(美信),运算放大器/比较器 > 音频功率放大器,WLP-9封装,155,332件现货,MAX98357A/MAX98357B是一款易于使用、低成本的数字脉冲编码调制(PCM)输入D类放大器,提供行业领先的AB级音频性能和D类效率。该数字音频接口自动识别多达35种不同的PCM和TDM时钟方案,消除了编CJ/长电/长晶
MMBT2222AT,CJ/长电/长晶,三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-523封装,153,800件现货,特性:湿度敏感度等级1。 表面贴装封装,非常适合自动插入。 环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级,无卤onsemi(安森美)
MURS160T3G,onsemi(安森美),二极管 > 快恢复/高效率二极管,SMB封装,152,500件现货,该超快整流器适用于高电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。MXIC(旺宏电子)
MX25L3233FM2I-08G,MXIC(旺宏电子),存储器 > NOR FLASH,SOP-8封装,152,041件现货,3V、32Mbit [x 1/x 2/x 4] CMOS串行多I/O闪存CJ(江苏长电/长晶)
MPSA56,CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),TO-92封装,150,580件现货,特性:通用开关和放大TI(德州仪器)
MSP430G2553IRHB32R,TI(德州仪器),现货库存,VQFN-32封装,150,113件现货MICRONE(南京微盟)
ME6206A33M3G,MICRONE(南京微盟),电源管理 > 线性稳压器(LDO),SOT-23封装,150,000件现货,ME6206 系列是高纹波抑制率、低功耗、低压差,具有过流和短路保护的 CMOS 降压型电压稳压器。这些器件具有很低的静态偏置电流(8.0μA Typ.),它们能在输入、输出电压差极小的情况下提 300mA 的输出电流,并且仍能保Microchip(美国微芯)
MCP6282T-E/MS,Microchip(美国微芯),运算放大器/比较器 > 运算放大器,MSOP-8封装,149,634件现货,MCP6281/1R/2/3/4/5 系列运算放大器(运放)为电流提供了宽带宽。该系列的增益带宽积(GBWP)为 5 MHz,相位裕度为 65°。该系列还可在低至 2.2V 的单电源电压下工作,静态电流典型值为 450 µAST(意法半导体)
M24512-RMN6TP,ST(意法半导体),存储器 > EEPROM,SOP-8封装,147,500件现货,512 Kbit串行I2C总线EEPROMON超美超美超美
MURA160T3G,ON超美超美超美,二极管 > 快恢复/高效率二极管,SMA封装,147,500件现货,特性:适用于表面贴装应用。 易于拾取和放置。 内置应力消除。 低正向压降Microchip(美国微芯)
MCP1402T-E/OT,Microchip(美国微芯),电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片,SOT-23-5封装,142,775件现货,高速MOSFET驱动器,可提供500 mA的峰值电流。反相或同相单通道输出由TTL或CMOS电平(3V至18V)直接控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升/下降时间和传输时延特性,使得它们成为高开关频率应用的理想选择。可MPS(芯源)
MP2451DJ-LF-Z,MPS(芯源),电源管理 > DC-DC电源芯片,SOT-23-6封装,139,532件现货,DCDC降压,电源输入30V以上,1A以内(小电流)方案,MP2451是一款高频率(2MHz)降压开关稳压器,具有内部集成的高压侧高压MOSFET。它提供单个0.6A(或更低)的高效输出,采用电流模式控制,响应速度快。宽输入电压范围(3.onsemi(安森美)
MMBT3904TT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-523封装,138,000件现货MPS(芯源)
MP1657GTF-Z,MPS(芯源),电源管理 > DC-DC电源芯片,SOT-563封装,137,564件现货,MP1657是一款完全集成的高效同步整流降压转换器,具有内部MOSFET,可在宽输入电压范围内提供高达2A的连续输出电流。该芯片采用SOT563封装,具有低静态电流和多种保护功能。onsemi(安森美)
MBRD835LT4G,onsemi(安森美),二极管 > 肖特基二极管,TO-252-2封装,137,500件现货,此肖特基整流器采用专利壁垒金属,适用于输出整流器、续流、保护和转向二极管、开关电源、逆变器和其他感应开关电路。ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
MAX13487EESA+T,ADI(亚德诺)/MAXIM(美信),通信接口芯片 > RS-485/RS-422芯片,SOIC-8封装,135,413件现货,MAX13487E/MAX13488E是半双工、高数据速率的RS-485/RS-422兼容收发器,具有自动方向控制功能。MXIC(旺宏电子)
MX35LF2GE4AD-Z4I,MXIC(旺宏电子),存储器 > NAND FLASH,WSON-8封装,134,168件现货,MX35LF2GE4AD-Z4Ionsemi(安森美)
MURS360BT3G,onsemi(安森美),二极管 > 快恢复/高效率二极管,SMB封装,134,020件现货,适用于高压、高频整流,或作为表面贴装应用中的续流和保护二极管,在尺寸和重量对系统至关重要的情况下使用。TI(德州仪器)
MC33063ADR,TI(德州仪器),现货库存,SOIC-8封装,130,000件现货onsemi(安森美)
MGSF1N03LT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-23封装,126,000件现货LITEON(光宝)
MOC3022,LITEON(光宝),光耦 > 可控硅输出光耦,DIP-6封装,124,800件现货,特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。6引脚DIP光电耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM:最小400V。高关态电压上升临界速率 (dV/dt):最小1000V/μs。应用:AC电机驱动器。AC电机启动器LITEON(光宝)
MOC3023,LITEON(光宝),光耦 > 可控硅输出光耦,DIP-6封装,124,800件现货,特性:6引脚DIP光耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。 高输入-输出隔离电压Viso = 5000Vrms。 高重复峰值关态电压VDRM:最小400V。 高关态电压临界上升率dV/dt:最小1000V/μs。 双列直插式封装。 宽引脚间距封装。应用:电机控制LITEON(光宝)
MOC3052,LITEON(光宝),光耦 > 可控硅输出光耦,DIP-6封装,124,800件现货,特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。 6引脚DIP光耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。 高重复峰值关态电压 VDRM:最小600V。 高关态电压临界上升率 (dV/dt:最小1000V/μs)。应用:AC电机驱动器。 AC电机启动器LITEON
MOC3063,LITEON,光耦 > 可控硅输出光耦,DIP-6封装,124,800件现货,特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。 6引脚DIP过零光耦可控硅驱动器输出。 高重复峰值断态电压VDRM:最小600V。应用:交流电机驱动器onsemi(安森美)
MC33072DR2G,onsemi(安森美),运算放大器/比较器 > FET输入运放,SOP-8封装,124,772件现货,MC33071/72/74、MC34071/72/74和NCV33072/74A系列单片运算放大器采用了高质量的双极型制造工艺和创新的设计理念。这一系列运算放大器提供了4.5 MHz的增益带宽积、13 V/μs的摆率以及快速建立时间,美信
MAX485ESA+T,美信,通信接口芯片 > RS-485/RS-422芯片,SOIC-8封装,124,343件现货,MAX485ESA+T是一款4.5V~5.5V宽电源供电、总线端口ESD保护能力HBM达到15KV以上、总线耐压范围达到±15V、半双工、低功耗,功能完全满足TIA/EIA-485标准要求的RS-485收发器。onsemi(安森美)
MMBZ27VCLT1G,onsemi(安森美),TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-23封装,123,000件现货,这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电(ESD)敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路,MXIC(旺宏电子)
MX35LF1GE4AB-Z4I,MXIC(旺宏电子),存储器 > NAND FLASH,WSON-8封装,122,983件现货,MX35LFxGE4AB是一款具有串行接口的1Gb/2Gb单级单元(SLC)NAND闪存器件。该器件的存储阵列采用了与并行NAND相同的存储单元架构,但实现了行业标准的串行接口。芯片中集成了一个内部4位纠错码(ECC)逻辑,默认处onsemi(安森美)
MURD620CTT4G,onsemi(安森美),二极管 > 通用二极管,TO-252封装,122,500件现货,这些先进的器件设计用于开关电源、逆变器和续流二极管。LITEON(光宝)
MOC3052S-TA1,LITEON(光宝),光耦 > 可控硅输出光耦,SOP-6封装,122,318件现货,特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。 6引脚DIP光耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。 高重复峰值关态电压 VDRM:最小600V。 高关态电压临界上升率 (dV/dt:最小1000V/μs)。应用:AC电机驱动器。 AC电MAXIM
MAX15026BETD+T,MAXIM,现货库存,TDFN14封装,120,000件现货ON超美超美超美
MC7812BDTRKG,ON超美超美超美,现货库存,TO-252封装,120,000件现货微盟
ME6211C33M5G,微盟,现货库存,SOT-23-5封装,120,000件现货onsemi(安森美)
MMSZ5252BT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOD-123封装,120,000件现货MICRONE(南京微盟)
ME6206A30M3G,MICRONE(南京微盟),电源管理 > 线性稳压器(LDO),SOT-23封装,120,000件现货,ME6206 系列是高纹波抑制率、低功耗、低压差,具有过流和短路保护的CMOS 降压型电压稳压器。这些器件具有很低的静态偏置电流(8.0μA Typ.),它们能在输入、输出电压差极小的情况下提300mA的输出电流,并且仍能保持良好MPS(芯源)
MP174AGS-Z,MPS(芯源),电源管理 > AC-DC控制器和稳压器,SOIC-8封装,120,000件现货,MP174A是一款初级侧调节器,无需光耦合器即可提供精确的恒压(CV)调节。它支持降压、升降压、升压和反激拓扑。它集成了一个700V MOSFET,以简化结构并降低成本。这些特性使其成为离线低功率应用(如家用电器和待机电源)的理想调节器。MPonsemi(安森美)
MMBZ6V8ALT1G,onsemi(安森美),TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-23封装,119,300件现货,双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器TI(德州仪器)
MAX3232IPWR,TI(德州仪器),通信接口芯片 > RS232芯片,TSSOP-16封装,118,741件现货,MAX3232设备包括两个线驱动器、两个线接收器和一个双电荷泵电路,具有±15-kV ESD保护。该设备符合TIA/EIA-232-F和ITU V.28标准,支持3-V至5.5-V Vcc电源,数据速率高达250 kbit/s。MXIC(旺宏电子)
MX30LF2G18AC-TI,MXIC(旺宏电子),存储器 > NAND FLASH,TSSOP-48封装,117,325件现货,MX30LF2G18AC是一款2Gb/4Gb SLC NAND Flash存储器,支持4-bit ECC,具有硬件数据保护功能,宽温工作范围,低功耗,适用于嵌入式系统代码和数据存储。onsemi(安森美)
MMBFJ177LT1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 结型场效应管(JFET),SOT-23封装,117,000件现货,此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。MPS(芯源)
MP8759GD-Z,MPS(芯源),电源管理 > DC-DC电源芯片,QFN-12封装,116,836件现货,DCDC降压,电源输入7V~30V,3A以上(大电流)方案,onsemi(安森美)
MC14094BDR2G,onsemi(安森美),逻辑器件 > 移位寄存器,SOP-16封装,114,800件现货,MC14094B 将一个 8 级移位寄存器与每一级的数据锁存器以及每个锁存器的三态输出相结合。数据在时钟信号的上升沿进行移位,并从第七级移位至两个串行输出端。Qs 输出数据用于高速级联系统ON/FSC
MOC3021M,ON/FSC,光耦 > 可控硅输出光耦,DIP-6封装,114,000件现货,MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关,其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适用于电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口,可控制 115 VAC 运行的电阻LITEON(光宝)
MOC3083,LITEON(光宝),光耦 > 可控硅输出光耦,DIP-6封装,112,320件现货,特性:输入和输出之间的隔离电压 Viso: 5,000Vrms。 6 引脚 DIP 过零光耦三端双向可控硅驱动器输出。 高重复峰值关态电压 VDRM: Min. 800V。 高关态电压临界上升率 (dv/dt : MIN. 800V/μs)。 双列直插式封装MPS(芯源)
MP2359DJ-LF-Z,MPS(芯源),电源管理 > DC-DC电源芯片,SOT-23-6封装,112,000件现货,是一款内置功率MOSFET的单片降压开关模式转换器。它可在宽输入电源范围内实现1.2A的峰值输出电流,并具有出色的负载和线性调节能力。电流模式操作提供快速瞬态响应并简化环路稳定。故障保护包括逐周期电流限制和热关断。该转换器仅需少量现成的标