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4 开头电子元器件型号现货索引
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4,582匹配型号
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常见品牌
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4 开头型号采购常见问题
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多个 4 开头型号如何一起询价？
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
4054
AXTEK
4054，AXTEK，现货库存，SOT-23-5封装，2,000,000件现货现货库存
SOT-23-5
2,000,000
询盘报价
查看详情 >4057
AXTEK
4057，AXTEK，现货库存，SOT-23-6封装，2,000,000件现货现货库存
SOT-23-6
2,000,000
询盘报价
查看详情 >4056
RONGHE(融和)
4056，RONGHE(融和)，电源管理 > 电池管理，ESOP8封装，2,000,000件现货，停产 1A 线性充电管理芯片电源管理 > 电池管理
ESOP8
2,000,000
询盘报价
查看详情 >4N25S-TA1
LITEON(光宝)
4N25S-TA1，LITEON(光宝)，光耦 > 晶体管输出光耦，SOP-6封装，40,000件现货，特性：高电流传输比（CTR：最小值为10%，if = 10mA，VCE = 10V）。 响应时间（ton典型值为3μs，VCC = 10V，IC = 2mA，RL = 100Ω）。 输入-输出隔离电压：4N25系列Viso = 2500Vrms；4N26系光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-6
40,000
询盘报价
查看详情 >4N35S-TA1
LITEON(光宝)
4N35S-TA1，LITEON(光宝)，光耦 > 晶体管输出光耦，SOP-6封装，30,000件现货，特性：高电流传输比：CTR最小100%（IF = 10mA，VCE = 10V）。 响应时间：ton典型值为3μs（VCC = 10V，IC = 2mA，RL = 100Ω）。 输入-输出隔离电压：4N35系列Viso = 3,550Vrms；4N37系列光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-6
30,000
询盘报价
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4TPE470MCL
Panasonic(松下)
4TPE470MCL，Panasonic(松下)，现货库存，SMD封装，29,524件现货现货库存
SMD
29,524
询盘报价
查看详情 >4N25M/CY4N25
onsemi(安森美)
4N25M/CY4N25，onsemi(安森美)，现货库存，DIP-6封装，26,501件现货现货库存
DIP-6
26,501
询盘报价
查看详情 >4N25M
ON/FSC
4N25M，ON/FSC，光耦 > 晶体管输出光耦，DIP封装，20,000件现货，该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。光耦 > 晶体管输出光耦
DIP
20,000
询盘报价
查看详情 >4N90CL-TF3-T
UTC(友顺)
4N90CL-TF3-T，UTC(友顺)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，17,000件现货，UTC 4N90C 是一款功率 MOSFET 结构器件，其设计旨在具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电力应用的 AC-DC 转换器中。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
17,000
询盘报价
查看详情 >4N35M
FSC/ON
4N35M，FSC/ON，光耦 > 晶体管输出光耦，DIP封装，5,000件现货，该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。光耦 > 晶体管输出光耦
DIP
5,000
询盘报价
查看详情 >47L04-I/SN
Microchip(美国微芯)
47L04-I/SN，Microchip(美国微芯)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，NA封装，4,500件现货，具备EEPROM备份功能的4/16 Kbit SRAM采用512×8位或2,048×8位的存储器结构，并使用I²C串行接口。它能为SRAM提供无限次的读写循环，而EEPROM单元则能提供高耐久性的数据非易失性存储。搭配外部电容使用时，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
NA
4,500
询盘报价
查看详情 >47L16-I/SN
Microchip(美国微芯)
47L16-I/SN，Microchip(美国微芯)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，SOP-8封装，3,180件现货，47L04/47C04/47L16/47C16（47XXX）是一款带EEPROM备份的4/16 Kbit SRAM。该器件的存储器组织形式为512×8位或2048×8位，并采用I²C串行接口。47XXX的SRAM可进行无限次读写存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
SOP-8
3,180
询盘报价
查看详情 >47L16T-I/ST
Microchip(美国微芯)
47L16T-I/ST，Microchip(美国微芯)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，TSSOP-8封装，2,100件现货，47L16是一款16Kbit的SRAM，带有EEPROM备份。该设备支持I2C串行接口，提供无限次读写周期，并且EEPROM单元提供高耐久性的非易失性数据存储。当外部电容器存在时，SRAM数据会在断电时自动传输到EEPRO存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
TSSOP-8
2,100
询盘报价
查看详情 >47L16-I/ST
Microchip(美国微芯)
47L16-I/ST，Microchip(美国微芯)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，MSOP-8封装，1,500件现货，47XXX 是一款带有 EEPROM 后备功能的 4/16 Kbit SRAM。该器件的存储器组织形式为 512×8 位或 2,048×8 位，并采用 I²C 串行接口。47XXX 可为 SRAM 提供无限次的读写循环，而 E存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
MSOP-8
1,500
询盘报价
查看详情 >44JR200KLFT7
BI
44JR200KLFT7，BI，现货库存，SMD封装，500件现货现货库存
SMD
500
询盘报价
查看详情 >44WR1KLFT7
BI
44WR1KLFT7，BI，现货库存，SMD封装，250件现货现货库存
SMD
250
询盘报价
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42531-2
TE Connectivity(泰科电子)
42531-2，TE Connectivity(泰科电子)，端子 > 子弹形端子，-封装，询盘确认库存，42531-2端子 > 子弹形端子
-
询盘确认
询盘报价
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40N06D
HL(富海微)
40N06D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，40N06D是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40N06D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备完整功能且可靠性经过验证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
询盘确认
询盘报价
查看详情 >42142-1
TE Connectivity(泰科电子)
42142-1，TE Connectivity(泰科电子)，端子 > 子弹形端子，-封装，询盘确认库存，42142-1端子 > 子弹形端子
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4N25VM
onsemi(安森美)
4N25VM，onsemi(安森美)，光耦 > 晶体管输出光耦，DIP-6封装，询盘确认库存，该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。光耦 > 晶体管输出光耦
DIP-6
询盘确认
询盘报价
查看详情 >42827-2
TE Connectivity(泰科电子)
42827-2，TE Connectivity(泰科电子)，端子 > 子弹形端子，-封装，询盘确认库存，42827-2端子 > 子弹形端子
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >
471KD10
Brightking(君耀电子)
471KD10，Brightking(君耀电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻，P=7.5mm封装，询盘确认库存，宽工作电压（V1mA）范围从18V到1100V。快速响应瞬态过电压。具有大能量吸收能力。低箝位比且无后续电流。符合J-STD-020标准的MSL 1级。工作温度：-40℃至+85℃。存储温度：-40℃至+125℃。安全认证：UL: E3TVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻
P=7.5mm
询盘确认
询盘报价
查看详情 >42168-2
TE Connectivity(泰科电子)
42168-2，TE Connectivity(泰科电子)，端子 > 叉型端子，-封装，询盘确认库存，42168-2端子 > 叉型端子
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >431KD07-TR
YAGEO(国巨)
431KD07-TR，YAGEO(国巨)，TVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻，-封装，询盘确认库存，431KD07-TRTVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >485073-1
TE Connectivity(泰科电子)
485073-1，TE Connectivity(泰科电子)，端子 > 叉型端子，-封装，询盘确认库存，485073-1端子 > 叉型端子
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4A2D
TECH PUBLIC(台舟)
4A2D，TECH PUBLIC(台舟)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-23-5封装，询盘确认库存，特性：70μA无负载电流。 +2%输出精度。 500mA输出电流。 限流保护。 Vout: 3.3V。应用：工业控制。 家庭自动化电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-5
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4077266011
Fair-Rite
4077266011，Fair-Rite，电感/线圈/变压器 > 电感变压器附件，-封装，询盘确认库存，4077266011电感/线圈/变压器 > 电感变压器附件
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4N35SR2M
onsemi(安森美)
4N35SR2M，onsemi(安森美)，光耦 > 晶体管输出光耦，SOP-6-2.54mm封装，询盘确认库存，该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-6-2.54mm
询盘确认
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查看详情 >479480001
MOLEX
479480001，MOLEX，射频芯片/天线 > 天线，4x3.2mm封装，询盘确认库存，这是一款采用贴片式封装的高性能天线，可满足客户需求。该天线尺寸小巧。它设计用于覆盖2.4GHz-2.5GHz的频率范围。射频芯片/天线 > 天线
4x3.2mm
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询盘报价
查看详情 >41339
TE Connectivity(泰科电子)
41339，TE Connectivity(泰科电子)，端子 > 焊接插片端子，-封装，询盘确认库存，41339端子 > 焊接插片端子
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >41854
TE Connectivity(泰科电子)
41854，TE Connectivity(泰科电子)，端子 > 子弹形端子，-封装，询盘确认库存，41854端子 > 子弹形端子
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >42868-1
TE Connectivity(泰科电子)
42868-1，TE Connectivity(泰科电子)，端子 > 子弹形端子，-封装，询盘确认库存，42868-1端子 > 子弹形端子
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4532-075-LF
Brightking(君耀电子)
4532-075-LF，Brightking(君耀电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 气体放电管(GDT)，1812封装，询盘确认库存，特性：高绝缘电阻。低电容（≤0.5pF）。2000A 8/20μs 最大浪涌电流容量，符合 IEC61000-4。4KV 10/700μs 最大浪涌额定值，符合 ITU-TK.21。表面贴装气体避雷器。微间隙设计。应用：中TVS/保险丝/板级保护 > 气体放电管(GDT)
1812
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询盘报价
查看详情 >4532-091-LF
Brightking(君耀电子)
4532-091-LF，Brightking(君耀电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 气体放电管(GDT)，1812封装，询盘确认库存，陶瓷气体放电管TVS/保险丝/板级保护 > 气体放电管(GDT)
1812
询盘确认
询盘报价
查看详情 >49SDIP
YXC(扬兴晶振)
49SDIP，YXC(扬兴晶振)，振荡器/谐振器 > 无源晶振，-封装，询盘确认库存，晶振绝缘片 适用于49U,49T,49S 俩条引线的各类晶体 10.8mm*4.45mm振荡器/谐振器 > 无源晶振
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >40N06
UMW(友台半导体)
40N06，UMW(友台半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压（VDS）为 60V。 漏极电流（ID）为 40A（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）< 14mΩ（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4-2213678-3
TE Connectivity(泰科电子)
4-2213678-3，TE Connectivity(泰科电子)，光电器件 > 光电附件，-封装，询盘确认库存，4-2213678-3光电器件 > 光电附件
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >40P30
HL(富海微)
40P30，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，40P30是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40P30符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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查看详情 >4N35-300E
Broadcom(博通)
4N35-300E，Broadcom(博通)，光耦 > 晶体管输出光耦，SMD-6P封装，询盘确认库存，4N35-300E光耦 > 晶体管输出光耦
SMD-6P
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查看详情 >4RCD0232KC1ATG8
RENESAS(瑞萨)/IDT
4RCD0232KC1ATG8，RENESAS(瑞萨)/IDT，存储器 > 存储器控制器，FCCSP-253封装，询盘确认库存，4RCD0232KC1ATG8存储器 > 存储器控制器
FCCSP-253
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询盘报价
查看详情 >4N35S(TA)
EVERLIGHT(亿光)
4N35S(TA)，EVERLIGHT(亿光)，光耦 > 晶体管输出光耦，SMD-6P封装，询盘确认库存，DC输入 隔离电压(rms):5000V光耦 > 晶体管输出光耦
SMD-6P
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4-2325811-2
TE Connectivity(泰科电子)
4-2325811-2，TE Connectivity(泰科电子)，光电器件 > 光电附件，-封装，询盘确认库存，4-2325811-2光电器件 > 光电附件
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4-1415382-1
TE Connectivity(泰科电子)
4-1415382-1，TE Connectivity(泰科电子)，继电器 > 磁保持继电器，插件封装，询盘确认库存，4-1415382-1继电器 > 磁保持继电器
插件
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询盘报价
查看详情 >42531-1
TE Connectivity(泰科电子)
42531-1，TE Connectivity(泰科电子)，端子 > 子弹形端子，-封装，询盘确认库存，42531-1端子 > 子弹形端子
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4-1879389-9
TE Connectivity(泰科电子)
4-1879389-9，TE Connectivity(泰科电子)，电感/线圈/变压器 > 功率电感，-封装，询盘确认库存，4-1879389-9电感/线圈/变压器 > 功率电感
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >41617
TE Connectivity(泰科电子)
41617，TE Connectivity(泰科电子)，端子 > 焊接插片端子，-封装，询盘确认库存，41617端子 > 焊接插片端子
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >487526-6
TE Connectivity(泰科电子)
487526-6，TE Connectivity(泰科电子)，功能模块 > 其他模块，-封装，询盘确认库存，487526-6功能模块 > 其他模块
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4056D
HL(富海微)
4056D，HL(富海微)，电源管理 > 电池管理，ESOP-8封装，询盘确认库存，9V耐压，电池正反接保护，1A电流电源管理 > 电池管理
ESOP-8
询盘确认
询盘报价
查看详情 >40P03
HL(富海微)
40P03，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：超低栅极电荷。 有环保产品可供选择。 出色的Cdv/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。 100% EAS保证。应用：PWM应用。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4N35-000E
Broadcom(博通)
4N35-000E，Broadcom(博通)，光耦 > 晶体管输出光耦，DIP-6封装，询盘确认库存，4N35-000E光耦 > 晶体管输出光耦
DIP-6
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4-1601046-1
TE Connectivity(泰科电子)
4-1601046-1，TE Connectivity(泰科电子)，端子 > 中间对接端子，-封装，询盘确认库存，4-1601046-1端子 > 中间对接端子
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4-1624108-2
TE Connectivity(泰科电子)
4-1624108-2，TE Connectivity(泰科电子)，电感/线圈/变压器 > 功率电感，-封装，询盘确认库存，4-1624108-2电感/线圈/变压器 > 功率电感
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >47L04T-E/ST
Microchip(美国微芯)
47L04T-E/ST，Microchip(美国微芯)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，TSSOP-8封装，询盘确认库存，47L04T E/ST存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
TSSOP-8
询盘确认
询盘报价
查看详情 >470KD07
Brightking(君耀电子)
470KD07，Brightking(君耀电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻，P=5mm封装，询盘确认库存，特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度：-40℃ 至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、TVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻
P=5mm
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4-2042986-1
TE Connectivity(泰科电子)
4-2042986-1，TE Connectivity(泰科电子)，射频芯片/天线 > 天线，-封装，询盘确认库存，双频段WLAN天线，适用于2.4GHz和5GHz频段，具有高增益和低驻波比。射频芯片/天线 > 天线
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4009S
HL(富海微)
4009S，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，询盘确认库存，MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 40阈值电压VGS:±20Vth(V):1～2导通电阻RDS(ON) (mΩ):12/16 连续漏极电流ID(A):9A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
询盘确认
询盘报价
查看详情 >47C16-I/P
Microchip(美国微芯)
47C16-I/P，Microchip(美国微芯)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，PDIP-8封装，询盘确认库存，47C16-I/P存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
PDIP-8
询盘确认
询盘报价
查看详情 >47C16-E/SN
Microchip(美国微芯)
47C16-E/SN，Microchip(美国微芯)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，SOIC-8封装，询盘确认库存，47C16 E/SN存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
SOIC-8
询盘确认
询盘报价
查看详情 >47C16-I/ST
Microchip(美国微芯)
47C16-I/ST，Microchip(美国微芯)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，TSSOP-8封装，询盘确认库存，47C16是一款16Kbit SRAM，带有EEPROM备份。该设备支持无限次读写操作，并且在掉电时会自动将SRAM数据存储到EEPROM中。支持3V供电，工业温度范围（-40°C至+85°C），采用8引脚TSSOP封装。存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
TSSOP-8
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4430
HL(富海微)
4430，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，询盘确认库存，4430 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4430 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
询盘确认
询盘报价
查看详情 >41290
TE Connectivity(泰科电子)
41290，TE Connectivity(泰科电子)，端子 > 焊接插片端子，-封装，询盘确认库存，FASTON 接插片端子 > 焊接插片端子
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4N25SR2M
onsemi(安森美)
4N25SR2M，onsemi(安森美)，光耦 > 晶体管输出光耦，SOP-6-2.54mm封装，询盘确认库存，该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-6-2.54mm
询盘确认
询盘报价
查看详情 >47C16-E/ST
Microchip(美国微芯)
47C16-E/ST，Microchip(美国微芯)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，TSSOP-8封装，询盘确认库存，47C16-E/ST存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
TSSOP-8
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4409A
HL(富海微)
4409A，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，询盘确认库存，30V 18A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4532-301-LF
Brightking(君耀电子)
4532-301-LF，Brightking(君耀电子)，二极管 > 气体放电管(GDT)，1812封装，询盘确认库存，特性：高绝缘电阻。低电容（≤0.5pF）。2000A 8/20μs 最大浪涌电流容量，符合 IEC61000-4。4KV 10/700μs 最大浪涌额定值，符合 ITU-TK.21。表面贴装气体避雷器。微间隙设计。应用：中继器、调制解调器。二极管 > 气体放电管(GDT)
1812
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查看详情 >47L04-I/P
Microchip(美国微芯)
47L04-I/P，Microchip(美国微芯)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，PDIP-8封装，询盘确认库存，47L04-I/P存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
PDIP-8
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Microchip(美国微芯)
47C04-E/SN，Microchip(美国微芯)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，SOIC-8封装，询盘确认库存，47C04-E/SN存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
SOIC-8
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查看详情 >40P04
HL(富海微)
40P04，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，40P04是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40P04符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，100%保证符合EAS标准。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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查看详情 >40N05
HL(富海微)
40N05，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3L封装，询盘确认库存，Tphtei o4n0N05 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40N05 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 经过耐雪崩能力（EAS）测试，具三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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MOLEX
49454-9003，MOLEX，光电器件 > 光电附件，-封装，询盘确认库存，49454-9003光电器件 > 光电附件
-
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查看详情 >4N25-500E
Broadcom(博通)
4N25-500E，Broadcom(博通)，光耦 > 晶体管输出光耦，SMD-6P封装，询盘确认库存，4N25-500E光耦 > 晶体管输出光耦
SMD-6P
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Brightking(君耀电子)
471KD14J-P7.5Z2T5.2D16E077，Brightking(君耀电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻，-封装，询盘确认库存，471KD14J-P7.5Z2T5.2D16E077TVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻
-
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HL(富海微)
4614，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，询盘确认库存，4614是高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4614符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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查看详情 >47C04T-I/SN
Microchip(美国微芯)
47C04T-I/SN，Microchip(美国微芯)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，SOIC-8封装，询盘确认库存，47C04T I/SN存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
SOIC-8
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TE Connectivity(泰科电子)
42214-1，TE Connectivity(泰科电子)，端子 > 焊接插片端子，-封装，询盘确认库存，42214-1端子 > 焊接插片端子
-
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TE Connectivity(泰科电子)
42506-2，TE Connectivity(泰科电子)，端子 > 焊接插片端子，-封装，询盘确认库存，42506-2端子 > 焊接插片端子
-
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Broadcom(博通)
4N25-560E，Broadcom(博通)，光耦 > 晶体管输出光耦，SMD-6P封装，询盘确认库存，4N25-560E光耦 > 晶体管输出光耦
SMD-6P
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Brightking(君耀电子)
471KD07，Brightking(君耀电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻，P=5mm封装，询盘确认库存，特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度：-40℃ 至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、TVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻
P=5mm
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Microchip(美国微芯)
47C16-E/P，Microchip(美国微芯)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，PDIP-8封装，询盘确认库存，47C16是一款16Kbit的SRAM，带有EEPROM备份。该设备组织为2,048 x 8位的内存，并利用I2C串行接口。47C16提供了无限次的SRAM读写周期，而EEPROM单元提供了高耐久性的非易失性数据存储。在外部电容器的存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
PDIP-8
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查看详情 >4N33M
onsemi(安森美)
4N33M，onsemi(安森美)，光耦 > 晶体管输出光耦，DIP-6封装，询盘确认库存，4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。光耦 > 晶体管输出光耦
DIP-6
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查看详情 >40P02
HL(富海微)
40P02，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，40P02是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40P02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全面的功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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查看详情 >4-2325807-3
TE Connectivity(泰科电子)
4-2325807-3，TE Connectivity(泰科电子)，光电器件 > 光电附件，-封装，询盘确认库存，4-2325807-3光电器件 > 光电附件
-
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查看详情 >4532-231-LF
Brightking(君耀电子)
4532-231-LF，Brightking(君耀电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 气体放电管(GDT)，1812封装，询盘确认库存，特性：高绝缘电阻。低电容（≤0.5pF）。2000A 8/20μs 最大浪涌电流容量，符合 IEC61000-4。4KV 10/700μs 最大浪涌额定值，符合 ITU-TK.21。表面贴装气体避雷器。微间隙设计。应用：中TVS/保险丝/板级保护 > 气体放电管(GDT)
1812
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TE Connectivity(泰科电子)
42865-3，TE Connectivity(泰科电子)，端子 > 子弹形端子，-封装，询盘确认库存，42865-3端子 > 子弹形端子
-
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查看详情 >40P04F
HL(富海微)
40P04F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-40，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-1～-2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):10/13，连续漏极电流ID(A):-40A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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查看详情 >4559A
HL(富海微)
4559A，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，询盘确认库存，MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 60阈值电压VGS:±20V th(V):1.0～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):30-36 连续漏极电流ID(A):6A\nMOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V): -6三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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查看详情 >49MD-16.000-20-20-20/A
LIMING(利明)
49MD-16.000-20-20-20/A，LIMING(利明)，振荡器/谐振器 > 无源晶振，HC-49S-SMD封装，询盘确认库存，特性：典型12.5 × 4.5 × 4.0mm金属罐贴片封装。 24mm宽带盘封装，便于自动组装。应用：汽车。 蓝牙振荡器/谐振器 > 无源晶振
HC-49S-SMD
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查看详情 >40N02
HL(富海微)
40N02，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-4R封装，询盘确认库存，40N02是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4R
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查看详情 >42559-1
TE Connectivity(泰科电子)
42559-1，TE Connectivity(泰科电子)，端子 > 焊接插片端子，-封装，询盘确认库存，42559-1端子 > 焊接插片端子
-
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查看详情 >4056H
IDCHIP(英锐芯)
4056H，IDCHIP(英锐芯)，电源管理 > 电池管理，ESOP-8封装，询盘确认库存，4056H是一款输入极限耐压 33V，最大充电电流 1.2A 的线性锂电池充电芯片，采用涓流/恒流/恒压充电方式。电源管理 > 电池管理
ESOP-8
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晶扬电子
4953，晶扬电子，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，询盘确认库存，这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度沟槽工艺，以实现低导通电阻（RDS(on)），并确保将功率损耗和散热降至最低。典型应用包括便携式和电池供电产品（如计算机、打印机和PCMCIA卡、移动电话和无绳电话）中的DC-DC转换器和电源管理。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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查看详情 >4-2213480-1
TE Connectivity(泰科电子)
4-2213480-1，TE Connectivity(泰科电子)，光电器件 > 光电附件，-封装，询盘确认库存，4-2213480-1光电器件 > 光电附件
-
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查看详情 >4532-600-LF
KUU
4532-600-LF，KUU，二极管 > 气体放电管(GDT)，1812封装，询盘确认库存，GDT陶瓷放电管二极管 > 气体放电管(GDT)
1812
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查看详情 >49SAC08000182060
JGHC(晶光华)
49SAC08000182060，JGHC(晶光华)，振荡器/谐振器 > 无源晶振，HC-49S封装，询盘确认库存，国产化 工作温度：-40℃~+85℃ 消费、工业、车载、通讯振荡器/谐振器 > 无源晶振
HC-49S
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查看详情 >4056A
HL(富海微)
4056A，HL(富海微)，电源管理 > 电池管理，ESOP-8封装，询盘确认库存，耐压：12V 功能：电源、电池防反接、双灯电源管理 > 电池管理
ESOP-8
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查看详情 >4056V
HL(富海微)
4056V，HL(富海微)，电源管理 > 电池管理，ESOP-8封装，询盘确认库存，耐压：12V 功能：电源、电池防反接、OVP、双灯电源管理 > 电池管理
ESOP-8
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查看详情 >4532-401-LF-(SZZY)
Brightking(君耀电子)
4532-401-LF-(SZZY)，Brightking(君耀电子)，二极管 > 气体放电管(GDT)，1812封装，询盘确认库存，特性：高绝缘电阻。低电容（≤0.5pF）。2000A 8/20μs 最大浪涌电流容量，符合 IEC61000-4。4KV 10/700μs 最大浪涌额定值，符合 ITU-TK.21。表面贴装气体避雷器。微间隙设计。应用：中继器二极管 > 气体放电管(GDT)
1812
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查看详情 >49SAC26000152040
JGHC(晶光华)
49SAC26000152040，JGHC(晶光华)，振荡器/谐振器 > 无源晶振，HC-49S封装，询盘确认库存，国产化 工作温度：-40℃~+85℃ 消费、工业、车载、通讯振荡器/谐振器 > 无源晶振
HC-49S
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查看详情 >4886D
HL(富海微)
4886D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，4886D是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4886D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过有效雪崩耐量（EAS）保证，且通过了全功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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查看详情 >4407A
HL(富海微)
4407A，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，询盘确认库存，4407A是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4407A符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过全功能可靠性认证，确保产品质量。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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查看详情 >47L04T-E/SN
Microchip(美国微芯)
47L04T-E/SN，Microchip(美国微芯)，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)，SOIC-8封装，询盘确认库存，47L04T E/SN存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
SOIC-8
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查看详情 >4485
HL(富海微)
4485，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，询盘确认库存，4485 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。4485 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 保证，且经过全功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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查看详情 >4N65KG-TC-TN3-R
UTC(友顺)
4N65KG-TC-TN3-R，UTC(友顺)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，UTC 4N65K-TC 是一款高压功率 MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻，且具有高抗雪崩特性。该功率 MOSFET 通常用于高速开关应用，包括电源、PWM 电机控制、高效 AC - DC三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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查看详情 >4400-683LF
Tusonix
4400-683LF，Tusonix，磁珠/滤波器/EMI优化 > 馈通电容滤波器，插件封装，询盘确认库存，4400-683LF磁珠/滤波器/EMI优化 > 馈通电容滤波器
插件
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查看详情 >49MD-5.5296-20-20-20/A
LIMING(利明)
49MD-5.5296-20-20-20/A，LIMING(利明)，振荡器/谐振器 > 无源晶振，HC-49S-SMD封装，询盘确认库存，-振荡器/谐振器 > 无源晶振
HC-49S-SMD
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查看详情 >40MHZ/3225/15PF/10PPM
CJ(江苏长电/长晶)
40MHZ/3225/15PF/10PPM，CJ(江苏长电/长晶)，振荡器/谐振器 > 无源晶振，SMD3225-4P封装，询盘确认库存，40MHZ/3225/15PF/10PPM振荡器/谐振器 > 无源晶振
SMD3225-4P
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查看详情 >4N32M
onsemi(安森美)
4N32M，onsemi(安森美)，光耦 > 晶体管输出光耦，DIP-6封装，询盘确认库存，4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。光耦 > 晶体管输出光耦
DIP-6
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查看详情 >4F2.5A250V
xcfuse(旭程)
4F2.5A250V，xcfuse(旭程)，TVS/保险丝/板级保护 > 一次性保险丝，4x11mm封装，询盘确认库存，4F2.5A250V 陶瓷快断带脚TVS/保险丝/板级保护 > 一次性保险丝
4x11mm
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查看详情 >4054H-MS
MSKSEMI(美森科)
4054H-MS，MSKSEMI(美森科)，电源管理 > 电池管理，SOT-23-5封装，询盘确认库存，是一款输入耐压高达32V，具有电源OVP功能的500mA单节锂离子电池线性充电器，采用恒定电流/恒定电压的充电模式。采用内部PMOSFET架构，加防倒充电路，不需要外部隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自适应调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片充电源管理 > 电池管理
SOT-23-5
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查看详情 >4061
HL(富海微)
4061，HL(富海微)，电源管理 > 电池管理，SOT-23-6封装，询盘确认库存，耐压：12V 功能：电源、电池防反接、双灯电源管理 > 电池管理
SOT-23-6
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查看详情 >42327D561KJ
JUXING(钜兴)
42327D561KJ，JUXING(钜兴)，TVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻，10.4x8mm封装，询盘确认库存，最大冲击电流（8/20μs）Imax1/2（A）1700ATVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻
10.4x8mm
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查看详情 >4060
HL(富海微)
4060，HL(富海微)，电源管理 > 电池管理，SOT-23-5封装，询盘确认库存，耐压：12V 功能：电池防反接、单灯电源管理 > 电池管理
SOT-23-5
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查看详情 >450-0152R
Laird(莱尔德)
450-0152R，Laird(莱尔德)，物联网/通信模块 > WiFi模块，SMD-151P封装，询盘确认库存，450-0152R物联网/通信模块 > WiFi模块
SMD-151P
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查看详情 >49MD-6.000-20-10-10/B
LIMING(利明)
49MD-6.000-20-10-10/B，LIMING(利明)，振荡器/谐振器 > 无源晶振，HC-49S-SMD封装，询盘确认库存，特性：典型的12.5×4.5×4.0mm金属罐贴片封装。 24mm宽卷带包装，便于自动组装。应用：汽车。 蓝牙振荡器/谐振器 > 无源晶振
HC-49S-SMD
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查看详情 >40MHZ/3225/12PF/10PPM
CJ(江苏长电/长晶)
40MHZ/3225/12PF/10PPM，CJ(江苏长电/长晶)，振荡器/谐振器 > 无源晶振，SMD3225-4P封装，询盘确认库存，特性：石英谐振器类型:SMCE3225 4pads。额定频率:40MHz。负载电容:12pF。频率公差:±10ppm。频率温度稳定性:±20ppm(参考温度25°C)。谐振电阻:最大30Ω。振荡模式:基模。并联电容:<2p振荡器/谐振器 > 无源晶振
SMD3225-4P
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查看详情 >40MHZ/2016/9PF/10PPM
CJ(江苏长电/长晶)
40MHZ/2016/9PF/10PPM，CJ(江苏长电/长晶)，振荡器/谐振器 > 无源晶振，SMD2016-4P封装，询盘确认库存，40MHZ/2016/9PF/10PPM振荡器/谐振器 > 无源晶振
SMD2016-4P
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查看详情 >4616
HL(富海微)
4616，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，询盘确认库存，4616是具备极高单元密度的高性能沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4616符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），且通过了全功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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查看详情 >4078377511
Fair-Rite
4078377511，Fair-Rite，电感/线圈/变压器 > 电感变压器附件，-封装，询盘确认库存，4078377511电感/线圈/变压器 > 电感变压器附件
-
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查看详情 >4532-075
R+O(宏嘉诚)
4532-075，R+O(宏嘉诚)，二极管 > 气体放电管(GDT)，1812封装，询盘确认库存，贴片1812封装陶瓷气体放电管，8/20μs 2KA,可用于电源口/信号口防雷击浪涌二极管 > 气体放电管(GDT)
1812
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查看详情 >4532-600
R+O(宏嘉诚)
4532-600，R+O(宏嘉诚)，二极管 > 气体放电管(GDT)，1812封装，询盘确认库存，贴片1812封装陶瓷气体放电管，8/20μs 2KA,可用于电源口/信号口防雷击浪涌二极管 > 气体放电管(GDT)
1812
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