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4 开头电子元器件型号现货索引
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4,582匹配型号
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
4054
AXTEK
4054，AXTEK，现货库存，SOT-23-5封装，2,000,000件现货现货库存
SOT-23-5
2,000,000
询盘报价
查看详情 >4057
AXTEK
4057，AXTEK，现货库存，SOT-23-6封装，2,000,000件现货现货库存
SOT-23-6
2,000,000
询盘报价
查看详情 >4056
RONGHE(融和)
4056，RONGHE(融和)，电源与功率 / 电池管理，ESOP8封装，2,000,000件现货，停产 1A 线性充电管理芯片电源管理 > 电池管理
ESOP8
2,000,000
询盘报价
查看详情 >4N25S-TA1
LITEON(光宝)
4N25S-TA1，LITEON(光宝)，光耦 / 晶体管输出光耦，SOP-6封装，40,000件现货，特性：高电流传输比（CTR：最小值为10%，if = 10mA，VCE = 10V）。 响应时间（ton典型值为3μs，VCC = 10V，IC = 2mA，RL = 100Ω）。 输入-输出隔离电压：4N25系列Viso = 2500Vrms；4N26系光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-6
40,000
询盘报价
查看详情 >4N35S-TA1
LITEON(光宝)
4N35S-TA1，LITEON(光宝)，光耦 / 晶体管输出光耦，SOP-6封装，30,000件现货，特性：高电流传输比：CTR最小100%（IF = 10mA，VCE = 10V）。 响应时间：ton典型值为3μs（VCC = 10V，IC = 2mA，RL = 100Ω）。 输入-输出隔离电压：4N35系列Viso = 3,550Vrms；4N37系列光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-6
30,000
询盘报价
查看详情 >
4TPE470MCL
Panasonic(松下)
4TPE470MCL，Panasonic(松下)，现货库存，SMD封装，29,524件现货现货库存
SMD
29,524
询盘报价
查看详情 >4N25M/CY4N25
onsemi(安森美)
4N25M/CY4N25，onsemi(安森美)，现货库存，DIP-6封装，26,501件现货现货库存
DIP-6
26,501
询盘报价
查看详情 >4N25M
ON/FSC
4N25M，ON/FSC，光耦 / 晶体管输出光耦，DIP封装，20,000件现货，该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。光耦 > 晶体管输出光耦
DIP
20,000
询盘报价
查看详情 >4N90CL-TF3-T
UTC(友顺)
4N90CL-TF3-T，UTC(友顺)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，17,000件现货，UTC 4N90C 是一款功率 MOSFET 结构器件，其设计旨在具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电力应用的 AC-DC 转换器中。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
17,000
询盘报价
查看详情 >4N35M
FSC/ON
4N35M，FSC/ON，光耦 / 晶体管输出光耦，DIP封装，5,000件现货，该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。光耦 > 晶体管输出光耦
DIP
5,000
询盘报价
查看详情 >47L04-I/SN
Microchip(美国微芯)
47L04-I/SN，Microchip(美国微芯)，存储器 / 静态随机存取存储器(SRAM)，NA封装，4,500件现货，具备EEPROM备份功能的4/16 Kbit SRAM采用512×8位或2,048×8位的存储器结构，并使用I²C串行接口。它能为SRAM提供无限次的读写循环，而EEPROM单元则能提供高耐久性的数据非易失性存储。搭配外部电容使用时，存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
NA
4,500
询盘报价
查看详情 >47L16-I/SN
Microchip(美国微芯)
47L16-I/SN，Microchip(美国微芯)，存储器 / 静态随机存取存储器(SRAM)，SOP-8封装，3,180件现货，47L04/47C04/47L16/47C16（47XXX）是一款带EEPROM备份的4/16 Kbit SRAM。该器件的存储器组织形式为512×8位或2048×8位，并采用I²C串行接口。47XXX的SRAM可进行无限次读写存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
SOP-8
3,180
询盘报价
查看详情 >47L16T-I/ST
Microchip(美国微芯)
47L16T-I/ST，Microchip(美国微芯)，存储器 / 静态随机存取存储器(SRAM)，TSSOP-8封装，2,100件现货，47L16是一款16Kbit的SRAM，带有EEPROM备份。该设备支持I2C串行接口，提供无限次读写周期，并且EEPROM单元提供高耐久性的非易失性数据存储。当外部电容器存在时，SRAM数据会在断电时自动传输到EEPRO存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
TSSOP-8
2,100
询盘报价
查看详情 >47L16-I/ST
Microchip(美国微芯)
47L16-I/ST，Microchip(美国微芯)，存储器 / 静态随机存取存储器(SRAM)，MSOP-8封装，1,500件现货，47XXX 是一款带有 EEPROM 后备功能的 4/16 Kbit SRAM。该器件的存储器组织形式为 512×8 位或 2,048×8 位，并采用 I²C 串行接口。47XXX 可为 SRAM 提供无限次的读写循环，而 E存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)
MSOP-8
1,500
询盘报价
查看详情 >44JR200KLFT7
BI
44JR200KLFT7，BI，现货库存，SMD封装，500件现货现货库存
SMD
500
询盘报价
查看详情 >44WR1KLFT7
BI
44WR1KLFT7，BI，现货库存，SMD封装，250件现货现货库存
SMD
250
询盘报价
查看详情 >
42531-2
TE Connectivity(泰科电子)
42531-2，TE Connectivity(泰科电子)，端子 / 子弹形端子，-封装，询盘确认库存，42531-2端子 > 子弹形端子
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >
40N06D
HL(富海微)
40N06D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，40N06D是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40N06D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备完整功能且可靠性经过验证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
询盘确认
询盘报价
查看详情 >42142-1
TE Connectivity(泰科电子)
42142-1，TE Connectivity(泰科电子)，端子 / 子弹形端子，-封装，询盘确认库存，42142-1端子 > 子弹形端子
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >4N25VM
onsemi(安森美)
4N25VM，onsemi(安森美)，光耦 / 晶体管输出光耦，DIP-6封装，询盘确认库存，该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。光耦 > 晶体管输出光耦
DIP-6
询盘确认
询盘报价
查看详情 >42827-2
TE Connectivity(泰科电子)
42827-2，TE Connectivity(泰科电子)，端子 / 子弹形端子，-封装，询盘确认库存，42827-2端子 > 子弹形端子
-
询盘确认
询盘报价
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471KD10
Brightking(君耀电子)
471KD10，Brightking(君耀电子)，TVS/保险丝/板级保护 / 压敏电阻，P=7.5mm封装，询盘确认库存，宽工作电压（V1mA）范围从18V到1100V。快速响应瞬态过电压。具有大能量吸收能力。低箝位比且无后续电流。符合J-STD-020标准的MSL 1级。工作温度：-40℃至+85℃。存储温度：-40℃至+125℃。安全认证：UL: E3TVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻
P=7.5mm
询盘确认
询盘报价
查看详情 >42168-2
TE Connectivity(泰科电子)
42168-2，TE Connectivity(泰科电子)，端子 / 叉型端子，-封装，询盘确认库存，42168-2端子 > 叉型端子
-
询盘确认
询盘报价
查看详情 >431KD07-TR
YAGEO(国巨)
431KD07-TR，YAGEO(国巨)，TVS/保险丝/板级保护 / 压敏电阻，-封装，询盘确认库存，431KD07-TRTVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻
-
询盘确认
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