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S1P05R120HBB 库存确认、BOM配单与替代料

长期型号池扩容。库存、价格、交期以最终核实为准。

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型号S1P05R120HBB
品牌SICHAIN(清纯)
类目碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
封装插件,62.8x56.8mm
库存状态询盘确认库存
参考价格询盘报价
MOQ1
批号说明询价时确认批号和包装
交期说明询价确认交期
1

先确认库存

无公开库存或低证据型号统一按询盘确认库存处理，不作现货承诺。

2

加入BOM

补数量、品牌、封装、交期和是否接受替代，方便集中核价。

3

看替代候选

候选仅供初筛，替换前需核对封装、脚位、参数和应用条件。

应用与资料

S1P05R120HBB 采购线索

查数据手册
主要应用

驱动、电源保护和功率开关

热门原因

长期型号池扩容

推荐入口

立即询价，也可上传 BOM 做多型号配单。

相关型号

同类目、同封装或同品牌候选

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C3M0075120K

WOLFSPEED

数量:1个N沟道 · 类型:1个N沟道
状态现货可下单批号批号 21+22+起订按需交期核对后发
封装TO-247 可供数量33,550 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
33,550
询盘报价
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UJ3C065030B3

UNITEDSIC

这款碳化硅场效应管（SiC FET）基于独特的“共源共栅”电路配置 · 其中常开碳化硅结型场效应管（JFET
状态现货可下单批号批号 23+起订按需交期核对后发
封装TO-263 可供数量7,135 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263
7,135
询盘报价
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SCTWA30N120

ST(意法半导体)

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):45A
状态现货可下单批号批号 18+起订按需交期核对后发
封装TO-247 可供数量4,600 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
4,600
询盘报价
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IMW120R045M1

Infineon(英飞凌)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
状态现货可下单批号批号 22+起订按需交期核对后发
封装TO-247 可供数量1,200 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
1,200
询盘报价
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IMBF170R1K0M1XTMA1

Infineon(英飞凌)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.7kV
状态现货可下单批号批号 22+起订按需交期核对后发
封装TO-263-7 可供数量1,004 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
1,004
询盘报价
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IMZ120R090M1H

Infineon(英飞凌)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
状态现货可下单批号批号 22+起订按需交期核对后发
封装TO-247 可供数量813 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
813
询盘报价
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