W66DP2RQQAGJ
Winbond(华邦)
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把候选型号放在同一页比选,先看品牌、封装、库存和资料,再决定加入清单。
对比摘要
当前候选已适合横向比较,建议一起加入清单确认数量、批号、包装和交期。
清单备注
当前候选在封装、品牌、分类、资料或供货状态上存在差异,不能直接视为等效替代。 这段备注可直接复制到清单需求或客服沟通里,便于继续确认库存和报价。
原型号/候选型号:W66DP2RQQAGJ / MT53D512M32D2DS-046IT:D / W632GU6RB-11 / W634GU6RB-11 / MT41K128M16JT-125IT:K 当前建议:建议先核对再提交 不可放宽参数:封装、引脚、电压、电流、温度等级、精度、认证要求 封装信息:BGA-200 / FBGA-96 品牌/制造商:Winbond(华邦) / micron(镁光) 可接受替代范围:请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代 请确认制造商 PDF、批号、包装、交期、含税报价、检测资料和可发数量
Winbond(华邦)
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查看详情| 比较项 | W66DP2RQQAGJ | MT53D512M32D2DS-046IT:D | W632GU6RB-11 | W634GU6RB-11 | MT41K128M16JT-125IT:K |
|---|---|---|---|---|---|
| 品牌/制造商 | Winbond(华邦) | micron(镁光) | Winbond(华邦) | Winbond(华邦) | micron(镁光) |
| 封装 | BGA-200 | BGA-200 | FBGA-96 | FBGA-96 | FBGA-96 |
| 类目 | 存储器 > DDR SDRAM | 存储器 > DDR SDRAM | 存储器 > DDR SDRAM | 存储器 > DDR SDRAM | 存储器 > DDR SDRAM |
| 库存 | 15,842 | 16,000 | 285,120 | 275,628 | 106,691 |
| 报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 |
| 资料 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 |
| 描述 | W66DP2RQQAGJ | 特性:超低电压核心和I/O电源:VDD1(overline) = 1.70-1.95V(标称值1.80V),VDD2(overline) = 1.06-1.17V(标称值1.10V),VDDQ(overline) = 1.06-1.17V(标称值1.10V)或低VDDQ(overline) = 0.57-0.65V(标称值0.60V)。 频率范围2133-10MHz(数据速率范围:4266-20Mb/s/pin)。 16n预取DDR架构。 每个通道8个内部存储体,用于并发操作 | W632GU6RB-11 | W634GU6RB-11 | 1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低压版本。在1.5V兼容模式下运行时,请参考DDR3 (1.5V) SDRAM数据手册规格。 |
| 操作 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 |
关键差异
把封装、品牌、分类、资料和供货状态分开看,更容易判断哪些型号值得继续查看。
| 比较项 | 当前情况 | 页面信息 | 建议查看 |
|---|---|---|---|
| 封装一致性 | 封装差异较大 | BGA-200 / FBGA-96 | 封装不一致时不要直接替代,建议先看 PDF 封装图并确认用途。 |
| 品牌/制造商 | 存在多品牌候选 | Winbond(华邦) / micron(镁光) | 提交需求时写明可接受品牌,避免默认等效。 |
| 分类与应用 | 用途方向接近 | 存储器 > DDR SDRAM | 同类目不代表参数等效,仍需核对关键电气参数。 |
| 资料完整度 | 资料入口齐全 | 5 个有资料入口 | 使用PDF核对引脚、封装、绝对最大额定值和典型应用。 |
| 供货状态 | 有公开线索 | 5 个公开现货 / 0 个需询盘 | 页面库存仅供参考,下单前请再确认数量、批号、包装、交期和报价。 |
对比结果适合用于继续筛选和提交需求。替代、同封装、同系列或同品牌候选都还需要按资料确认。
同封装更利于替代,但仍需核对尺寸、引脚和订购料号。
页面数量仅供参考,批号、包装和可发数量以人工回复为准。
多个候选型号建议一次加入清单,让业务统一确认交期和替代建议。