候选比选

TMH3025DF / CSD17308Q3T / WSD3056DN33 / CSD16409Q3 / TMN3020DF 型号对比

把候选型号放在同一页比选，先看品牌、封装、库存和资料，再决定加入清单。

上一页候选

来自 TMH3025DF 商品详情 的候选已加入清单 可返回上一页继续补充型号，也可以把当前 5 个候选直接加入清单。
返回上一页 加入清单
5/6 个型号适合集中比选、核对差异和整理备注
查看库存 加入清单

对比摘要

这一页先看什么

当前候选已适合横向比较，建议一起加入清单确认数量、批号、包装和交期。

0公开现货 5资料入口 DFN-8主封装 CSD17308Q3T / 25,000高库存

清单备注

对比结论与清单备注

建议先核对再提交

当前候选在封装、品牌、分类、资料或供货状态上存在差异，不能直接视为等效替代。 这段备注可直接复制到清单需求或客服沟通里，便于继续确认库存和报价。

封装一致性方向接近品牌/制造商需限定品牌资料入口可核对 PDF供货状态有公开线索
清单备注
原型号/候选型号：TMH3025DF / CSD17308Q3T / WSD3056DN33 / CSD16409Q3 / TMN3020DF
当前建议：建议先核对再提交
不可放宽参数：封装、引脚、电压、电流、温度等级、精度、认证要求
封装信息：DFN-8
品牌/制造商：TMC(台懋) / TI(德州仪器) / WINSOK(微硕)
可接受替代范围：请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代
请确认制造商 PDF、批号、包装、交期、含税报价、检测资料和可发数量
比较项TMH3025DFCSD17308Q3TWSD3056DN33CSD16409Q3TMN3020DF
品牌/制造商TMC(台懋)TI(德州仪器)WINSOK(微硕)TI(德州仪器)TMC(台懋)
封装DFN-8DFN-8DFN-8DFN-8DFN-8
类目三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
库存询盘确认询盘确认询盘确认询盘确认询盘确认
报价询盘报价询盘报价询盘报价询盘报价询盘报价
资料有资料入口有资料入口有资料入口有资料入口有资料入口
描述N沟道,30V,25A,14mΩ@10vCSD17308Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETWsD3056DN33是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻Rps(on)和栅极电荷。WsD3056DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过功能可靠性认证，确保产品质量。CSD16409Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、12.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETN沟道,30V,20A,15mΩ@10v
操作加入清单加入清单加入清单加入清单加入清单

关键差异

关键差异与建议查看

把封装、品牌、分类、资料和供货状态分开看，更容易判断哪些型号值得继续查看。

比较项当前情况页面信息建议查看
封装一致性封装方向接近DFN-8可继续查看尺寸、引脚和订购后缀。
品牌/制造商存在多品牌候选TMC(台懋) / TI(德州仪器) / WINSOK(微硕)提交需求时写明可接受品牌，避免默认等效。
分类与应用用途方向接近三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)同类目不代表参数等效，仍需核对关键电气参数。
资料完整度资料入口齐全5 个有资料入口使用PDF核对引脚、封装、绝对最大额定值和典型应用。
供货状态有公开线索0 个公开现货 / 0 个需询盘页面库存仅供参考，下单前请再确认数量、批号、包装、交期和报价。
加入清单前建议补齐
原始需求TMH3025DF / CSD17308Q3T / WSD3056DN33 / CSD16409Q3目标数量每个型号分别填写需求数量不可放宽参数封装、引脚、电压、电流、温度等级、精度等可接受替代品牌范围、国产替代、同封装候选是否接受交付要求批号、包装、交期、含税报价和检测资料

对比结果适合用于继续筛选和提交需求。替代、同封装、同系列或同品牌候选都还需要按资料确认。

带这些信息去询价查看这些现货同封装继续下单前确认
先看封装

同封装更利于替代，但仍需核对尺寸、引脚和订购料号。

再看库存

页面数量仅供参考，批号、包装和可发数量以人工回复为准。

一起加入

多个候选型号建议一次加入清单，让业务统一确认交期和替代建议。