SE8810(ESD)
SINO-IC(光宇睿芯)
查看详情候选比选
把候选型号放在同一页比选,先看品牌、封装、库存和资料,再决定加入清单。
对比摘要
当前候选已适合横向比较,建议一起加入清单确认数量、批号、包装和交期。
清单备注
当前候选在封装、品牌、分类、资料或供货状态上存在差异,不能直接视为等效替代。 这段备注可直接复制到清单需求或客服沟通里,便于继续确认库存和报价。
原型号/候选型号:SE8810(ESD) / WSP8810 / CJS8820 / HSO8810 当前建议:建议先核对再提交 不可放宽参数:封装、引脚、电压、电流、温度等级、精度、认证要求 封装信息:TSSOP-8 品牌/制造商:SINO-IC(光宇睿芯) / WINSOK(微硕) / CJ(江苏长电/长晶) / HUASHUO(华朔) 可接受替代范围:请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代 请确认制造商 PDF、批号、包装、交期、含税报价、检测资料和可发数量
SINO-IC(光宇睿芯)
查看详情WINSOK(微硕)
查看详情CJ(江苏长电/长晶)
查看详情HUASHUO(华朔)
查看详情| 比较项 | SE8810(ESD) | WSP8810 | CJS8820 | HSO8810 |
|---|---|---|---|---|
| 品牌/制造商 | SINO-IC(光宇睿芯) | WINSOK(微硕) | CJ(江苏长电/长晶) | HUASHUO(华朔) |
| 封装 | TSSOP-8 | TSSOP-8 | TSSOP-8 | TSSOP-8 |
| 类目 | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) |
| 库存 | 询盘确认 | 询盘确认 | 询盘确认 | 询盘确认 |
| 报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 |
| 资料 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 |
| 描述 | 特性:对于单个MOSFET: VDS = 20 V。 RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 4.5V @ Ids = 7A。 RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = 2.5V @ Ids = 4A。应用:电池保护。 负载开关 | Configuration Dual+ESD Type N-Ch VDS(V) 20 VGS(V) 12 ID(A)Max. 7.5 VGS(th)(v) 0.7 RDS(ON)(m?)@4.265V 11.5 Qg(nC)@4.5V 13.5 QgS(nC) 1.5 Qgd(nC) 5.8 Ciss(pF) 900 Coss(pF) 175 Crss(pF) 160 | CJS8820采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻(Rps(on))和低栅极电荷。该器件具备静电放电(ESD)保护功能。凭借其共漏极配置,此器件适用于作为单向或双向负载开关 | HSO8810 是具有强大静电放电(ESD)保护功能的低导通电阻(RDSON)沟槽型 N 沟道 MOSFET。该产品适用于锂离子电池组应用。HSO8810 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证 |
| 操作 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 |
关键差异
把封装、品牌、分类、资料和供货状态分开看,更容易判断哪些型号值得继续查看。
| 比较项 | 当前情况 | 页面信息 | 建议查看 |
|---|---|---|---|
| 封装一致性 | 封装方向接近 | TSSOP-8 | 可继续查看尺寸、引脚和订购后缀。 |
| 品牌/制造商 | 存在多品牌候选 | SINO-IC(光宇睿芯) / WINSOK(微硕) / CJ(江苏长电/长晶) / HUASHUO(华朔) | 提交需求时写明可接受品牌,避免默认等效。 |
| 分类与应用 | 用途方向接近 | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 同类目不代表参数等效,仍需核对关键电气参数。 |
| 资料完整度 | 资料入口齐全 | 4 个有资料入口 | 使用PDF核对引脚、封装、绝对最大额定值和典型应用。 |
| 供货状态 | 有公开线索 | 0 个公开现货 / 0 个需询盘 | 页面库存仅供参考,下单前请再确认数量、批号、包装、交期和报价。 |
对比结果适合用于继续筛选和提交需求。替代、同封装、同系列或同品牌候选都还需要按资料确认。
同封装更利于替代,但仍需核对尺寸、引脚和订购料号。
页面数量仅供参考,批号、包装和可发数量以人工回复为准。
多个候选型号建议一次加入清单,让业务统一确认交期和替代建议。