MJD122
CJ/长电/长晶
查看详情候选比选
把候选型号放在同一页比选,先看品牌、封装、库存和资料,再决定加入清单。
对比摘要
当前候选已适合横向比较,建议一起加入清单确认数量、批号、包装和交期。
清单备注
当前候选在封装、品牌、分类、资料或供货状态上存在差异,不能直接视为等效替代。 这段备注可直接复制到清单需求或客服沟通里,便于继续确认库存和报价。
原型号/候选型号:MJD122 / MJD127T4G / MJD122T4G / MJD112T4 / MJD127T4G-JSM 当前建议:建议先核对再提交 不可放宽参数:封装、引脚、电压、电流、温度等级、精度、认证要求 封装信息:TO-252 品牌/制造商:CJ/长电/长晶 / onsemi(安森美) / ST(意法半导体) / JSMSEMI(杰盛微) 可接受替代范围:请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代 请确认制造商 PDF、批号、包装、交期、含税报价、检测资料和可发数量
CJ/长电/长晶
查看详情onsemi(安森美)
查看详情onsemi(安森美)
查看详情ST(意法半导体)
查看详情JSMSEMI(杰盛微)
查看详情| 比较项 | MJD122 | MJD127T4G | MJD122T4G | MJD112T4 | MJD127T4G-JSM |
|---|---|---|---|---|---|
| 品牌/制造商 | CJ/长电/长晶 | onsemi(安森美) | onsemi(安森美) | ST(意法半导体) | JSMSEMI(杰盛微) |
| 封装 | TO-252 | TO-252 | TO-252 | TO-252 | TO-252 |
| 类目 | 三极管/MOS管/晶体管 > 达林顿管 | 三极管/MOS管/晶体管 > 达林顿管 | 三极管/MOS管/晶体管 > 达林顿管 | 三极管/MOS管/晶体管 > 达林顿管 | 三极管/MOS管/晶体管 > 达林顿管 |
| 库存 | 72,300 | 50,000 | 15,000 | 询盘确认 | 询盘确认 |
| 报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 |
| 资料 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 |
| 描述 | 达林顿类型:NPN。 集电极电流IC:5A 集电极-基极击穿电压VCBO:100V 集电极-发射极击穿电压VCEO:100V | 器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有极高的增益性能和极低的饱和电压。 | 该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD122 (NPN) 和 MJD127 (PNP) 为互补器件。 | 互补硅功率达林顿晶体管 | 专为通用放大器和低速开关应用而设计 |
| 操作 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 |
关键差异
把封装、品牌、分类、资料和供货状态分开看,更容易判断哪些型号值得继续查看。
| 比较项 | 当前情况 | 页面信息 | 建议查看 |
|---|---|---|---|
| 封装一致性 | 封装方向接近 | TO-252 | 可继续查看尺寸、引脚和订购后缀。 |
| 品牌/制造商 | 存在多品牌候选 | CJ/长电/长晶 / onsemi(安森美) / ST(意法半导体) / JSMSEMI(杰盛微) | 提交需求时写明可接受品牌,避免默认等效。 |
| 分类与应用 | 用途方向接近 | 三极管/MOS管/晶体管 > 达林顿管 | 同类目不代表参数等效,仍需核对关键电气参数。 |
| 资料完整度 | 资料入口齐全 | 5 个有资料入口 | 使用PDF核对引脚、封装、绝对最大额定值和典型应用。 |
| 供货状态 | 有公开线索 | 3 个公开现货 / 0 个需询盘 | 页面库存仅供参考,下单前请再确认数量、批号、包装、交期和报价。 |
对比结果适合用于继续筛选和提交需求。替代、同封装、同系列或同品牌候选都还需要按资料确认。
同封装更利于替代,但仍需核对尺寸、引脚和订购料号。
页面数量仅供参考,批号、包装和可发数量以人工回复为准。
多个候选型号建议一次加入清单,让业务统一确认交期和替代建议。