候选比选

HYG090ND06LS1C2 / HGQ014N04B-G / MDU04N010VRH / MDU1721VRH / MDU10N070RH 型号对比

把候选型号放在同一页比选，先看品牌、封装、库存和资料，再决定加入清单。

5/6 个型号适合集中比选、核对差异和整理备注
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对比摘要

这一页先看什么

当前候选已适合横向比较，建议一起加入清单确认数量、批号、包装和交期。

2公开现货 5资料入口 PDFN56主封装 HYG090ND06LS1C2 / 47,740高库存

清单备注

对比结论与清单备注

建议先核对再提交

当前候选在封装、品牌、分类、资料或供货状态上存在差异，不能直接视为等效替代。 这段备注可直接复制到清单需求或客服沟通里，便于继续确认库存和报价。

封装一致性方向接近品牌/制造商需限定品牌资料入口可核对 PDF供货状态有公开线索
清单备注
原型号/候选型号：HYG090ND06LS1C2 / HGQ014N04B-G / MDU04N010VRH / MDU1721VRH / MDU10N070RH
当前建议：建议先核对再提交
不可放宽参数：封装、引脚、电压、电流、温度等级、精度、认证要求
封装信息：PDFN56
品牌/制造商：HUAYI(华羿微) / CRMICRO(华润微) / MagnaChip
可接受替代范围：请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代
请确认制造商 PDF、批号、包装、交期、含税报价、检测资料和可发数量
比较项HYG090ND06LS1C2HGQ014N04B-GMDU04N010VRHMDU1721VRHMDU10N070RH
品牌/制造商HUAYI(华羿微)CRMICRO(华润微)MagnaChipMagnaChipMagnaChip
封装PDFN56PDFN56PDFN56PDFN56PDFN56
类目三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
库存47,74016,850询盘确认询盘确认询盘确认
报价询盘报价询盘报价询盘报价询盘报价询盘报价
资料有资料入口有资料入口有资料入口有资料入口有资料入口
描述特性：60V/56A。 RDS(ON) = 8.0 mΩ（典型值） @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 12.2 mΩ（典型值） @ VGS = 4.5 V。 100% 雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤和环保器件（符合 RoHS 标准）。应用：开关应用。 DC/DC 电源管理HGQ014N04B-G 是一款硅 N 沟道增强型 VDMOSFET，采用高密度沟槽技术制成，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于负载开关和 PWM 应用。其封装形式为 PDFN5×6-8L，符合 RoHS 标准。MDU04N010VRHMDU1721VRHMDU10N070RH
操作加入清单加入清单加入清单加入清单加入清单

关键差异

关键差异与建议查看

把封装、品牌、分类、资料和供货状态分开看，更容易判断哪些型号值得继续查看。

比较项当前情况页面信息建议查看
封装一致性封装方向接近PDFN56可继续查看尺寸、引脚和订购后缀。
品牌/制造商存在多品牌候选HUAYI(华羿微) / CRMICRO(华润微) / MagnaChip提交需求时写明可接受品牌，避免默认等效。
分类与应用用途方向接近三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)同类目不代表参数等效，仍需核对关键电气参数。
资料完整度资料入口齐全5 个有资料入口使用PDF核对引脚、封装、绝对最大额定值和典型应用。
供货状态有公开线索2 个公开现货 / 0 个需询盘页面库存仅供参考，下单前请再确认数量、批号、包装、交期和报价。
加入清单前建议补齐
原始需求HYG090ND06LS1C2 / HGQ014N04B-G / MDU04N010VRH / MDU1721VRH目标数量每个型号分别填写需求数量不可放宽参数封装、引脚、电压、电流、温度等级、精度等可接受替代品牌范围、国产替代、同封装候选是否接受交付要求批号、包装、交期、含税报价和检测资料

对比结果适合用于继续筛选和提交需求。替代、同封装、同系列或同品牌候选都还需要按资料确认。

带这些信息去询价查看这些现货同封装继续下单前确认
先看封装

同封装更利于替代，但仍需核对尺寸、引脚和订购料号。

再看库存

页面数量仅供参考，批号、包装和可发数量以人工回复为准。

一起加入

多个候选型号建议一次加入清单，让业务统一确认交期和替代建议。