GC3M0120100K
SUPSiC(国晶微半导体)
查看详情候选比选
GC3M0120100K / GC3M0075120K / TW048Z65C-VB / C3M0075120K / UJ3C065030B3 型号对比
把候选型号放在同一页比选，先看品牌、封装、库存和资料，再决定加入清单。
对比摘要
这一页先看什么
当前候选已适合横向比较，建议一起加入清单确认数量、批号、包装和交期。
2公开现货
5资料入口
TO-247-4主封装
C3M0075120K / 33,550高库存
清单备注
对比结论与清单备注
建议先核对再提交当前候选在封装、品牌、分类、资料或供货状态上存在差异，不能直接视为等效替代。 这段备注可直接复制到清单需求或客服沟通里，便于继续确认库存和报价。
封装一致性差异待确认品牌/制造商需限定品牌资料入口可核对 PDF供货状态有公开线索
清单备注
原型号/候选型号：GC3M0120100K / GC3M0075120K / TW048Z65C-VB / C3M0075120K / UJ3C065030B3 当前建议：建议先核对再提交 不可放宽参数：封装、引脚、电压、电流、温度等级、精度、认证要求 封装信息：TO-247-4 / TO-247 / TO-263 品牌/制造商：SUPSiC(国晶微半导体) / VBsemi(微碧半导体) / WOLFSPEED / UNITEDSIC 可接受替代范围：请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代 请确认制造商 PDF、批号、包装、交期、含税报价、检测资料和可发数量
GC3M0075120K
SUPSiC(国晶微半导体)
查看详情TW048Z65C-VB
VBsemi(微碧半导体)
查看详情C3M0075120K
WOLFSPEED
查看详情UJ3C065030B3
UNITEDSIC
查看详情| 比较项 | GC3M0120100K | GC3M0075120K | TW048Z65C-VB | C3M0075120K | UJ3C065030B3 |
|---|---|---|---|---|---|
| 品牌/制造商 | SUPSiC(国晶微半导体) | SUPSiC(国晶微半导体) | VBsemi(微碧半导体) | WOLFSPEED | UNITEDSIC |
| 封装 | TO-247-4 | TO-247-4 | TO-247-4 | TO-247 | TO-263 |
| 类目 | 碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET) | 碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET) | 碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET) | 碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET) | 碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET) |
| 库存 | 询盘确认 | 询盘确认 | 询盘确认 | 33,550 | 7,135 |
| 报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 |
| 资料 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 |
| 描述 | 特性：优化封装，带有独立的驱动源引脚。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器 | 特性：优化封装，带有独立的驱动器源极引脚。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器 | 漏极源极电压VDS(V)：650V；电流：40A；导通电阻：50(mΩ) | 特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 采用独立驱动源引脚的优化封装，漏源之间爬电距离为8mm。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷 (Qrr)。 无卤，符合RoHS标准。应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器 | 这款碳化硅场效应管（SiC FET）基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开碳化硅结型场效应管（JFET）与硅金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）共同封装，形成常关碳化硅场效应管。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管（IGBT）、硅场效应管、碳化硅MOSFET或硅超结器件。该器件采用D2PAK-3封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。 |
| 操作 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 |
关键差异
关键差异与建议查看
把封装、品牌、分类、资料和供货状态分开看，更容易判断哪些型号值得继续查看。
| 比较项 | 当前情况 | 页面信息 | 建议查看 |
|---|---|---|---|
| 封装一致性 | 封装差异较大 | TO-247-4 / TO-247 / TO-263 | 封装不一致时不要直接替代，建议先看 PDF 封装图并确认用途。 |
| 品牌/制造商 | 存在多品牌候选 | SUPSiC(国晶微半导体) / VBsemi(微碧半导体) / WOLFSPEED / UNITEDSIC | 提交需求时写明可接受品牌，避免默认等效。 |
| 分类与应用 | 用途方向接近 | 碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET) | 同类目不代表参数等效，仍需核对关键电气参数。 |
| 资料完整度 | 资料入口齐全 | 5 个有资料入口 | 使用PDF核对引脚、封装、绝对最大额定值和典型应用。 |
| 供货状态 | 有公开线索 | 2 个公开现货 / 0 个需询盘 | 页面库存仅供参考，下单前请再确认数量、批号、包装、交期和报价。 |
原始需求GC3M0120100K / GC3M0075120K / TW048Z65C-VB / C3M0075120K目标数量每个型号分别填写需求数量不可放宽参数封装、引脚、电压、电流、温度等级、精度等可接受替代品牌范围、国产替代、同封装候选是否接受交付要求批号、包装、交期、含税报价和检测资料
对比结果适合用于继续筛选和提交需求。替代、同封装、同系列或同品牌候选都还需要按资料确认。
同封装更利于替代，但仍需核对尺寸、引脚和订购料号。
页面数量仅供参考，批号、包装和可发数量以人工回复为准。
多个候选型号建议一次加入清单，让业务统一确认交期和替代建议。