FTF25N35DHVT
ARK(方舟微)
查看详情候选比选
把候选型号放在同一页比选,先看品牌、封装、库存和资料,再决定加入清单。
对比摘要
当前候选已适合横向比较,建议一起加入清单确认数量、批号、包装和交期。
清单备注
当前候选在封装、品牌、分类、资料或供货状态上存在差异,不能直接视为等效替代。 这段备注可直接复制到清单需求或客服沟通里,便于继续确认库存和报价。
原型号/候选型号:FTF25N35DHVT / AGM210MAP / AGM30P05AP / AGM18N10AP / AGM612AP 当前建议:建议先核对再提交 不可放宽参数:封装、引脚、电压、电流、温度等级、精度、认证要求 封装信息:PDFN-8 品牌/制造商:ARK(方舟微) / AGMSEMI(芯控源) 可接受替代范围:请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代 请确认制造商 PDF、批号、包装、交期、含税报价、检测资料和可发数量
ARK(方舟微)
查看详情AGMSEMI(芯控源)
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查看详情| 比较项 | FTF25N35DHVT | AGM210MAP | AGM30P05AP | AGM18N10AP | AGM612AP |
|---|---|---|---|---|---|
| 品牌/制造商 | ARK(方舟微) | AGMSEMI(芯控源) | AGMSEMI(芯控源) | AGMSEMI(芯控源) | AGMSEMI(芯控源) |
| 封装 | PDFN-8 | PDFN-8 | PDFN-8 | PDFN-8 | PDFN-8 |
| 类目 | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) |
| 库存 | 询盘确认 | 询盘确认 | 询盘确认 | 询盘确认 | 询盘确认 |
| 报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 |
| 资料 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 |
| 描述 | N+N双通道集成MOSFET,采用平面工艺,PDFN3*3双芯封装,兼具高可靠性、优异散热特性。集成设计显著提高了MOSFET体二极管反向导通的最低电压(体二极管反向导通电压高于5V),集成N-MOSFET的D-S正向开启电压VGS(TH):2~5V,而S-D反向导通电压VGS(TH)_REV:5~10V,非常适合作为S-D方向能阻断一定高电压的N沟道功率开关管使用,适用于工业控制、高速检测设备等领域。 | AGM210MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。 | AGM30P05AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。 | AGM18N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。 | AGM612AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。 |
| 操作 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 |
关键差异
把封装、品牌、分类、资料和供货状态分开看,更容易判断哪些型号值得继续查看。
| 比较项 | 当前情况 | 页面信息 | 建议查看 |
|---|---|---|---|
| 封装一致性 | 封装方向接近 | PDFN-8 | 可继续查看尺寸、引脚和订购后缀。 |
| 品牌/制造商 | 存在多品牌候选 | ARK(方舟微) / AGMSEMI(芯控源) | 提交需求时写明可接受品牌,避免默认等效。 |
| 分类与应用 | 用途方向接近 | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 同类目不代表参数等效,仍需核对关键电气参数。 |
| 资料完整度 | 资料入口齐全 | 5 个有资料入口 | 使用PDF核对引脚、封装、绝对最大额定值和典型应用。 |
| 供货状态 | 有公开线索 | 0 个公开现货 / 0 个需询盘 | 页面库存仅供参考,下单前请再确认数量、批号、包装、交期和报价。 |
对比结果适合用于继续筛选和提交需求。替代、同封装、同系列或同品牌候选都还需要按资料确认。
同封装更利于替代,但仍需核对尺寸、引脚和订购料号。
页面数量仅供参考,批号、包装和可发数量以人工回复为准。
多个候选型号建议一次加入清单,让业务统一确认交期和替代建议。