ESJBA3134K
ElecSuper(静芯)
查看详情候选比选
把候选型号放在同一页比选,先看品牌、封装、库存和资料,再决定加入清单。
对比摘要
当前候选已适合横向比较,建议一起加入清单确认数量、批号、包装和交期。
清单备注
当前候选在封装、品牌、分类、资料或供货状态上存在差异,不能直接视为等效替代。 这段备注可直接复制到清单需求或客服沟通里,便于继续确认库存和报价。
原型号/候选型号:ESJBA3134K / PNM3FD20V1E / WNM2072-3/TR / FPMZ290UNE2YL / SSC8121GN1 当前建议:建议先核对再提交 不可放宽参数:封装、引脚、电压、电流、温度等级、精度、认证要求 封装信息:DFN-1006-3L 品牌/制造商:ElecSuper(静芯) / Prisemi(芯导) / WILLSEMI(韦尔) / FUXINSEMI(富芯森美) / AF(晶岳) 可接受替代范围:请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代 请确认制造商 PDF、批号、包装、交期、含税报价、检测资料和可发数量
ElecSuper(静芯)
查看详情Prisemi(芯导)
查看详情WILLSEMI(韦尔)
查看详情FUXINSEMI(富芯森美)
查看详情AF(晶岳)
查看详情| 比较项 | ESJBA3134K | PNM3FD20V1E | WNM2072-3/TR | FPMZ290UNE2YL | SSC8121GN1 |
|---|---|---|---|---|---|
| 品牌/制造商 | ElecSuper(静芯) | Prisemi(芯导) | WILLSEMI(韦尔) | FUXINSEMI(富芯森美) | AF(晶岳) |
| 封装 | DFN-1006-3L | DFN-1006-3L | DFN-1006-3L | DFN-1006-3L | DFN-1006-3L |
| 类目 | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) |
| 库存 | 询盘确认 | 29,187 | 询盘确认 | 询盘确认 | 询盘确认 |
| 报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 |
| 资料 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 |
| 描述 | N/P极性:N @@漏源电压(V):20 @@漏源电流(A):0.7 @@阈值电压(V):0.75 @@导通电阻RDS(ON)@VGS 4.5V Type(mΩ):180 @@封装:DFN1006-3 | MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 | WNM2072是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路 | FPMZ290UNE2YL | SSC8121GN1 |
| 操作 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 |
关键差异
把封装、品牌、分类、资料和供货状态分开看,更容易判断哪些型号值得继续查看。
| 比较项 | 当前情况 | 页面信息 | 建议查看 |
|---|---|---|---|
| 封装一致性 | 封装方向接近 | DFN-1006-3L | 可继续查看尺寸、引脚和订购后缀。 |
| 品牌/制造商 | 存在多品牌候选 | ElecSuper(静芯) / Prisemi(芯导) / WILLSEMI(韦尔) / FUXINSEMI(富芯森美) / AF(晶岳) | 提交需求时写明可接受品牌,避免默认等效。 |
| 分类与应用 | 用途方向接近 | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 同类目不代表参数等效,仍需核对关键电气参数。 |
| 资料完整度 | 资料入口齐全 | 5 个有资料入口 | 使用PDF核对引脚、封装、绝对最大额定值和典型应用。 |
| 供货状态 | 有公开线索 | 1 个公开现货 / 0 个需询盘 | 页面库存仅供参考,下单前请再确认数量、批号、包装、交期和报价。 |
对比结果适合用于继续筛选和提交需求。替代、同封装、同系列或同品牌候选都还需要按资料确认。
同封装更利于替代,但仍需核对尺寸、引脚和订购料号。
页面数量仅供参考,批号、包装和可发数量以人工回复为准。
多个候选型号建议一次加入清单,让业务统一确认交期和替代建议。