候选比选

EM6K7T2R / PJX8802_R1_00001 / PJX8603_R1_00001 / EM6K6T2R / SP2002KDTL 型号对比

把候选型号放在同一页比选，先看品牌、封装、库存和资料，再决定加入清单。

5/6 个型号适合集中比选、核对差异和整理备注
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对比摘要

这一页先看什么

当前候选已适合横向比较，建议一起加入清单确认数量、批号、包装和交期。

0公开现货 5资料入口 SOT-563主封装 PJX8802_R1_00001 / 44,000高库存

清单备注

对比结论与清单备注

建议先核对再提交

当前候选在封装、品牌、分类、资料或供货状态上存在差异，不能直接视为等效替代。 这段备注可直接复制到清单需求或客服沟通里，便于继续确认库存和报价。

封装一致性方向接近品牌/制造商需限定品牌资料入口可核对 PDF供货状态有公开线索
清单备注
原型号/候选型号：EM6K7T2R / PJX8802_R1_00001 / PJX8603_R1_00001 / EM6K6T2R / SP2002KDTL
当前建议：建议先核对再提交
不可放宽参数：封装、引脚、电压、电流、温度等级、精度、认证要求
封装信息：SOT-563
品牌/制造商：ROHM(罗姆) / PANJIT(强茂) / Siliup(矽普)
可接受替代范围：请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代
请确认制造商 PDF、批号、包装、交期、含税报价、检测资料和可发数量
比较项EM6K7T2RPJX8802_R1_00001PJX8603_R1_00001EM6K6T2RSP2002KDTL
品牌/制造商ROHM(罗姆)PANJIT(强茂)PANJIT(强茂)ROHM(罗姆)Siliup(矽普)
封装SOT-563SOT-563SOT-563SOT-563SOT-563
类目三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
库存询盘确认询盘确认询盘确认询盘确认询盘确认
报价询盘报价询盘报价询盘报价询盘报价询盘报价
资料有资料入口有资料入口有资料入口有资料入口有资料入口
描述特性：MOSFET元件相互独立，消除相互干扰。 可将安装成本和面积减半。 低导通电阻。 低电压驱动（1.8V），适用于便携式设备。 无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：开关2个N沟道 耐压:20V 电流:700mA1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 耐压:50V 电流:360mA 电流:200mA特性：MOSFET元件相互独立，消除相互干扰。 可将安装成本和面积减半。 低导通电阻。 低电压驱动（1.8V），适用于便携式设备。 无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：开关小电流MOSFET产品，两个N沟道，ESD防护，耐压：20V，电流：0.75A, Rdson：250mR
操作加入清单加入清单加入清单加入清单加入清单

关键差异

关键差异与建议查看

把封装、品牌、分类、资料和供货状态分开看，更容易判断哪些型号值得继续查看。

比较项当前情况页面信息建议查看
封装一致性封装方向接近SOT-563可继续查看尺寸、引脚和订购后缀。
品牌/制造商存在多品牌候选ROHM(罗姆) / PANJIT(强茂) / Siliup(矽普)提交需求时写明可接受品牌，避免默认等效。
分类与应用用途方向接近三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)同类目不代表参数等效，仍需核对关键电气参数。
资料完整度资料入口齐全5 个有资料入口使用PDF核对引脚、封装、绝对最大额定值和典型应用。
供货状态有公开线索0 个公开现货 / 0 个需询盘页面库存仅供参考，下单前请再确认数量、批号、包装、交期和报价。
加入清单前建议补齐
原始需求EM6K7T2R / PJX8802_R1_00001 / PJX8603_R1_00001 / EM6K6T2R目标数量每个型号分别填写需求数量不可放宽参数封装、引脚、电压、电流、温度等级、精度等可接受替代品牌范围、国产替代、同封装候选是否接受交付要求批号、包装、交期、含税报价和检测资料

对比结果适合用于继续筛选和提交需求。替代、同封装、同系列或同品牌候选都还需要按资料确认。

带这些信息去询价查看这些现货同封装继续下单前确认
先看封装

同封装更利于替代，但仍需核对尺寸、引脚和订购料号。

再看库存

页面数量仅供参考，批号、包装和可发数量以人工回复为准。

一起加入

多个候选型号建议一次加入清单，让业务统一确认交期和替代建议。