候选比选

ASDM40N40E-R / ASDM30N55E-R / ASDM30N65E-R / HSCE2530 型号对比

把候选型号放在同一页比选,先看品牌、封装、库存和资料,再决定加入清单。

上一页候选

来自 DFN3.3x3.3-8 封装采购路径 的候选已加入清单 可返回上一页继续补充型号,也可以把当前 4 个候选直接加入清单。
4/6 个型号适合集中比选、核对差异和整理备注

对比摘要

这一页先看什么

当前候选已适合横向比较,建议一起加入清单确认数量、批号、包装和交期。

0公开现货 4资料入口 DFN3.3x3.3-8主封装 ASDM40N40E-R / 8,390高库存

清单备注

对比结论与清单备注

建议先核对再提交

当前候选在封装、品牌、分类、资料或供货状态上存在差异,不能直接视为等效替代。 这段备注可直接复制到清单需求或客服沟通里,便于继续确认库存和报价。

封装一致性方向接近品牌/制造商需限定品牌资料入口可核对 PDF供货状态有公开线索
清单备注
原型号/候选型号:ASDM40N40E-R / ASDM30N55E-R / ASDM30N65E-R / HSCE2530
当前建议:建议先核对再提交
不可放宽参数:封装、引脚、电压、电流、温度等级、精度、认证要求
封装信息:DFN3.3x3.3-8
品牌/制造商:ASDsemi(安森德) / HUASHUO(华朔)
可接受替代范围:请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代
请确认制造商 PDF、批号、包装、交期、含税报价、检测资料和可发数量
比较项ASDM40N40E-RASDM30N55E-RASDM30N65E-RHSCE2530
品牌/制造商ASDsemi(安森德)ASDsemi(安森德)ASDsemi(安森德)HUASHUO(华朔)
封装DFN3.3x3.3-8DFN3.3x3.3-8DFN3.3x3.3-8DFN3.3x3.3-8
类目三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
库存询盘确认询盘确认询盘确认询盘确认
报价询盘报价询盘报价询盘报价询盘报价
资料有资料入口有资料入口有资料入口有资料入口
描述特性:低导通电阻。 100%雪崩测试。 快速开关速度。 良好的散热封装。应用:DC/DC转换器。 服务器板载电源特性:100% EAS保证。 有绿色环保器件可供选择。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用:逆变器系统中的电源管理特性:低栅极电荷。 有环保型产品。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用:台式计算机或DC/DC转换器中的电源管理。 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器HSCE2530 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。HSCE2530 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备全面的功能可靠性认证。
操作加入清单加入清单加入清单加入清单

关键差异

关键差异与建议查看

把封装、品牌、分类、资料和供货状态分开看,更容易判断哪些型号值得继续查看。

比较项当前情况页面信息建议查看
封装一致性封装方向接近DFN3.3x3.3-8可继续查看尺寸、引脚和订购后缀。
品牌/制造商存在多品牌候选ASDsemi(安森德) / HUASHUO(华朔)提交需求时写明可接受品牌,避免默认等效。
分类与应用用途方向接近三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)同类目不代表参数等效,仍需核对关键电气参数。
资料完整度资料入口齐全4 个有资料入口使用PDF核对引脚、封装、绝对最大额定值和典型应用。
供货状态有公开线索0 个公开现货 / 0 个需询盘页面库存仅供参考,下单前请再确认数量、批号、包装、交期和报价。
加入清单前建议补齐
原始需求ASDM40N40E-R / ASDM30N55E-R / ASDM30N65E-R / HSCE2530目标数量每个型号分别填写需求数量不可放宽参数封装、引脚、电压、电流、温度等级、精度等可接受替代品牌范围、国产替代、同封装候选是否接受交付要求批号、包装、交期、含税报价和检测资料

对比结果适合用于继续筛选和提交需求。替代、同封装、同系列或同品牌候选都还需要按资料确认。

先看封装

同封装更利于替代,但仍需核对尺寸、引脚和订购料号。

再看库存

页面数量仅供参考,批号、包装和可发数量以人工回复为准。

一起加入

多个候选型号建议一次加入清单,让业务统一确认交期和替代建议。