ASDM40N40E-R
ASDsemi(安森德)
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把候选型号放在同一页比选,先看品牌、封装、库存和资料,再决定加入清单。
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来自 DFN3.3x3.3-8 封装采购路径 的候选已加入清单 可返回上一页继续补充型号,也可以把当前 4 个候选直接加入清单。对比摘要
当前候选已适合横向比较,建议一起加入清单确认数量、批号、包装和交期。
清单备注
当前候选在封装、品牌、分类、资料或供货状态上存在差异,不能直接视为等效替代。 这段备注可直接复制到清单需求或客服沟通里,便于继续确认库存和报价。
原型号/候选型号:ASDM40N40E-R / ASDM30N55E-R / ASDM30N65E-R / HSCE2530 当前建议:建议先核对再提交 不可放宽参数:封装、引脚、电压、电流、温度等级、精度、认证要求 封装信息:DFN3.3x3.3-8 品牌/制造商:ASDsemi(安森德) / HUASHUO(华朔) 可接受替代范围:请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代 请确认制造商 PDF、批号、包装、交期、含税报价、检测资料和可发数量
ASDsemi(安森德)
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查看详情HUASHUO(华朔)
查看详情| 比较项 | ASDM40N40E-R | ASDM30N55E-R | ASDM30N65E-R | HSCE2530 |
|---|---|---|---|---|
| 品牌/制造商 | ASDsemi(安森德) | ASDsemi(安森德) | ASDsemi(安森德) | HUASHUO(华朔) |
| 封装 | DFN3.3x3.3-8 | DFN3.3x3.3-8 | DFN3.3x3.3-8 | DFN3.3x3.3-8 |
| 类目 | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) |
| 库存 | 询盘确认 | 询盘确认 | 询盘确认 | 询盘确认 |
| 报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 |
| 资料 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 |
| 描述 | 特性:低导通电阻。 100%雪崩测试。 快速开关速度。 良好的散热封装。应用:DC/DC转换器。 服务器板载电源 | 特性:100% EAS保证。 有绿色环保器件可供选择。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用:逆变器系统中的电源管理 | 特性:低栅极电荷。 有环保型产品。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用:台式计算机或DC/DC转换器中的电源管理。 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器 | HSCE2530 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。HSCE2530 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备全面的功能可靠性认证。 |
| 操作 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 |
关键差异
把封装、品牌、分类、资料和供货状态分开看,更容易判断哪些型号值得继续查看。
| 比较项 | 当前情况 | 页面信息 | 建议查看 |
|---|---|---|---|
| 封装一致性 | 封装方向接近 | DFN3.3x3.3-8 | 可继续查看尺寸、引脚和订购后缀。 |
| 品牌/制造商 | 存在多品牌候选 | ASDsemi(安森德) / HUASHUO(华朔) | 提交需求时写明可接受品牌,避免默认等效。 |
| 分类与应用 | 用途方向接近 | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 同类目不代表参数等效,仍需核对关键电气参数。 |
| 资料完整度 | 资料入口齐全 | 4 个有资料入口 | 使用PDF核对引脚、封装、绝对最大额定值和典型应用。 |
| 供货状态 | 有公开线索 | 0 个公开现货 / 0 个需询盘 | 页面库存仅供参考,下单前请再确认数量、批号、包装、交期和报价。 |
对比结果适合用于继续筛选和提交需求。替代、同封装、同系列或同品牌候选都还需要按资料确认。
同封装更利于替代,但仍需核对尺寸、引脚和订购料号。
页面数量仅供参考,批号、包装和可发数量以人工回复为准。
多个候选型号建议一次加入清单,让业务统一确认交期和替代建议。