ASDM30N120Q-R
ASDsemi(安森德)
查看详情候选比选
把候选型号放在同一页比选,先看品牌、封装、库存和资料,再决定加入清单。
对比摘要
当前候选已适合横向比较,建议一起加入清单确认数量、批号、包装和交期。
清单备注
当前候选在封装、品牌、分类、资料或供货状态上存在差异,不能直接视为等效替代。 这段备注可直接复制到清单需求或客服沟通里,便于继续确认库存和报价。
原型号/候选型号:ASDM30N120Q-R / WSD40120DN56G / WSD40L60DN56 / DON100N04 / DON70N03 当前建议:建议先核对再提交 不可放宽参数:封装、引脚、电压、电流、温度等级、精度、认证要求 封装信息:DFN-5x6-8 品牌/制造商:ASDsemi(安森德) / WINSOK(微硕) / DOINGTER(杜因特) 可接受替代范围:请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代 请确认制造商 PDF、批号、包装、交期、含税报价、检测资料和可发数量
ASDsemi(安森德)
查看详情WINSOK(微硕)
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查看详情DOINGTER(杜因特)
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查看详情| 比较项 | ASDM30N120Q-R | WSD40120DN56G | WSD40L60DN56 | DON100N04 | DON70N03 |
|---|---|---|---|---|---|
| 品牌/制造商 | ASDsemi(安森德) | WINSOK(微硕) | WINSOK(微硕) | DOINGTER(杜因特) | DOINGTER(杜因特) |
| 封装 | DFN-5x6-8 | DFN-5x6-8 | DFN-5x6-8 | DFN-5x6-8 | DFN-5x6-8 |
| 类目 | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) |
| 库存 | 询盘确认 | 询盘确认 | 询盘确认 | 询盘确认 | 询盘确认 |
| 报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 | 询盘报价 |
| 资料 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 | 有资料入口 |
| 描述 | 特性:增强模式。 极低导通电阻RDS(on),VCS = 4.5 V。 快速开关。 100%雪崩测试。 无铅引脚电镀;符合RoHS标准 | 使用先进的SOCT MOSFET技术,提供低RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。本器件经过专门设计,具有更好的耐用性。 | WSD40L60DN56是高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSD40L60DN56符合RoHS标准和绿色产品要求,经过全面功能可靠性认证,100%保证符合EAS标准。 | SGT工艺/N管/40V/100A/3.5mΩ/(典型2.8mΩ) | N管/30V/70A/6mΩ/(典型值4.5mΩ) |
| 操作 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 | 加入清单 |
关键差异
把封装、品牌、分类、资料和供货状态分开看,更容易判断哪些型号值得继续查看。
| 比较项 | 当前情况 | 页面信息 | 建议查看 |
|---|---|---|---|
| 封装一致性 | 封装方向接近 | DFN-5x6-8 | 可继续查看尺寸、引脚和订购后缀。 |
| 品牌/制造商 | 存在多品牌候选 | ASDsemi(安森德) / WINSOK(微硕) / DOINGTER(杜因特) | 提交需求时写明可接受品牌,避免默认等效。 |
| 分类与应用 | 用途方向接近 | 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) | 同类目不代表参数等效,仍需核对关键电气参数。 |
| 资料完整度 | 资料入口齐全 | 5 个有资料入口 | 使用PDF核对引脚、封装、绝对最大额定值和典型应用。 |
| 供货状态 | 有公开线索 | 0 个公开现货 / 0 个需询盘 | 页面库存仅供参考,下单前请再确认数量、批号、包装、交期和报价。 |
对比结果适合用于继续筛选和提交需求。替代、同封装、同系列或同品牌候选都还需要按资料确认。
同封装更利于替代,但仍需核对尺寸、引脚和订购料号。
页面数量仅供参考,批号、包装和可发数量以人工回复为准。
多个候选型号建议一次加入清单,让业务统一确认交期和替代建议。