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碳化硅(SiC)器件 分类现货

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碳化硅(SiC)器件 前排 4 款

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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

C3M0075120K

WOLFSPEED

特性：第三代碳化硅MOSFET技术 · 采用独立驱动源引脚的优化封装
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
33,550
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UJ3C065030B3

UNITEDSIC

这款碳化硅场效应管（SiC FET）基于独特的“共源共栅”电路配置 · 其中常开碳化硅结型场效应管（JFET
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263
7,135
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SCTWA30N120

ST(意法半导体)

碳化硅功率MOSFET · 1200 V、45 A、90 mOhm（典型值
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
4,600
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IMW120R045M1

Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗 · 无阈值导通状态特性
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
1,200
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IMBF170R1K0M1XTMA1

Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料：碳化硅 · 针对反激拓扑进行优化
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
1,004
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IMZ120R090M1H

Infineon(英飞凌)

特性：非常低的开关损耗 · 无阈值导通状态特性
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
813
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IMZA65R048M1H

Infineon(英飞凌)

基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术构建 · 利用宽带隙碳化硅材料特性
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4
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SCT040HU65G3AG

ST(意法半导体)

汽车级碳化硅功率 MOSFET 650 V、40 mOhm（典型值）、30​​ A · 采用 HU3PAK
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
HU3PAK
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