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APS1604M-SQR-ZR
Apmemory
该伪静态随机存取存储器(Pseudo-SRAM)设备具有高速、低引脚数接口 · 它有4个I存储器 / PSRAM(伪静态)
USON-8
85,000
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APS1604M-SQR-SN
Apmemory
该伪静态随机存取存储器(Pseudo-SRAM)设备具有高速、低引脚数接口 · 它有4个I存储器 / PSRAM(伪静态)
SOP-8
66,370
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APS1604M-3SQR-SN
Apmemory
这款伪静态随机存取存储器(Pseudo - SRAM)器件具有高速、低引脚数接口的特点 · 它有 4 个输入存储器 / PSRAM(伪静态)
SOP-8
34,019
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LY68L6400SLIT
Lyontek(来扬)
特性:50Ω输出驱动强度VLCMOS · 线性突发(连续)或通过切换命令实现32字节环绕突发存储器 / PSRAM(伪静态)
SOP-8
15,000
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APS1604M-3SQR-ZR
Apmemory
这款伪静态随机存取存储器(Pseudo - SRAM)器件具有高速、低引脚数接口的特点 · 它有 4 个输入存储器 / PSRAM(伪静态)
N
8,600
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