先定应用与参数
存储器 > DDR SDRAM 采购前建议确认关键参数、封装尺寸和目标品牌。
按品牌缩小范围
本页样本常见品牌：Winbond(华邦)、micron(镁光)、SAMSUNG(三星半导体)、Nanya(南亚科技)。
保留替代要求
交期紧张时可在 BOM 备注中写明可替代品牌、封装和参数范围。
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
W632GU6RB-11
Winbond(华邦)
W632GU6RB-11，Winbond(华邦)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，285,120件现货，W632GU6RB-11存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
285,120
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查看详情 >W634GU6RB-11
Winbond(华邦)
W634GU6RB-11，Winbond(华邦)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，275,628件现货，W634GU6RB-11存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
275,628
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查看详情 >MT41K128M16JT-125IT:K
micron(镁光)
MT41K128M16JT-125IT:K，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，106,691件现货，1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3 (1.5V) SDRAM数据手册规格。存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
106,691
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查看详情 >MT41K256M16TW-107:P
micron(镁光)
MT41K256M16TW-107:P，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，101,209件现货，商业级存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
101,209
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查看详情 >MT41K256M16TW-107IT:P
micron(镁光)
MT41K256M16TW-107IT:P，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，92,014件现货，DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
92,014
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查看详情 >K4B4G1646E-BCNB
SAMSUNG(三星半导体)
K4B4G1646E-BCNB，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，90,590件现货，K4B4G1646E-BCNB存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
90,590
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查看详情 >K4B2G1646F-BCNB
SAMSUNG(三星半导体)
K4B2G1646F-BCNB，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-96封装，81,096件现货，DDR3 SDRAM内存存储器 > DDR SDRAM
BGA-96
81,096
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W9425G6KH-5
Winbond(华邦)
W9425G6KH-5，Winbond(华邦)，存储器 > DDR SDRAM，TSOP66封装，80,000件现货，256-Mbit(16M x 16bit)，工作电压：2.5V±0.2V存储器 > DDR SDRAM
TSOP66
80,000
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查看详情 >K4A4G165WF-BCTD
SAMSUNG(三星半导体)
K4A4G165WF-BCTD，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，78,824件现货，4Gb F-die x16 DDR4 SDRAM存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
78,824
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查看详情 >NT5CC256M16EP-EK
Nanya(南亚科技)
NT5CC256M16EP-EK，Nanya(南亚科技)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，50,470件现货，4Gb双数据速率3 (DDR3(L)) DRAM是一款高速CMOS SDRAM，包含4,294,967,296位。它在内部配置为八组DRAM。4Gb芯片的组织形式为64Mbit x 8 I/O x 8组和32Mbit x 16 I存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
50,470
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查看详情 >MT41K64M16TW-107:J
micron(镁光)
MT41K64M16TW-107:J，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，45,550件现货，1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据表规格。存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
45,550
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查看详情 >W9751G6NB-25
Winbond(华邦)
W9751G6NB-25，Winbond(华邦)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-84封装，42,400件现货，存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储器接口:并联 写周期时间-字,页:15ns 访问时间:400ps 安装类型:表面贴装型 封装/外壳: 84-VFBGA 供应商器件封装: 84-VFBGA（8x12.5）存储器 > DDR SDRAM
BGA-84
42,400
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查看详情 >NT5AD256M16E4-JR
Nanya(南亚科技)
NT5AD256M16E4-JR，Nanya(南亚科技)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，42,000件现货，特性：数据完整性。由DRAM内置TS实现自动自刷新（ASR）。自动刷新和自刷新模式-DRAM访问带宽。按存储体组分开的IO门控结构。自刷新中止。精细粒度刷新-信号同步存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
42,000
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查看详情 >MT41K512M8DA-107IT:P
micron(镁光)
MT41K512M8DA-107IT:P，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-78封装，41,499件现货，DDR3L SDRAM (1.35V) 是 DDR3 (1.5V) SDRAM 的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时,请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM (Die Rev :E) 数据手册规格。存储器 > DDR SDRAM
FBGA-78
41,499
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查看详情 >K4A8G165WB-BCRC
SAMSUNG(三星半导体)
K4A8G165WB-BCRC，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，33,600件现货，8Gb B-die DDR4 SDRAM x16，96FBGA封装，1.2V存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
33,600
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查看详情 >W664GG6RB-06
Winbond(华邦)
W664GG6RB-06，Winbond(华邦)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-96封装，33,245件现货，W664GG6RB-06存储器 > DDR SDRAM
BGA-96
33,245
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查看详情 >W971GG6NB-25
Winbond(华邦)
W971GG6NB-25，Winbond(华邦)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-84封装，29,370件现货，8M x 8 存储体 × 16 位 DDR2 SDRAM存储器 > DDR SDRAM
FBGA-84
29,370
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查看详情 >CXDB4CBAM-MK-A
CXMT(长鑫)
CXDB4CBAM-MK-A，CXMT(长鑫)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-200封装，27,480件现货，2GB LPDDR4X 同步动态随机存取存储器 停产存储器 > DDR SDRAM
BGA-200
27,480
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查看详情 >NT5CB64M16GP-EK
Nanya(南亚科技)
NT5CB64M16GP-EK，Nanya(南亚科技)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，26,700件现货，1Gb 双倍数据速率 3（DDR3(L)）G 型裸片动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。它为内部配置。存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
26,700
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查看详情 >H5CG48AGBDX018N
HYNIX(海力士)
H5CG48AGBDX018N，HYNIX(海力士)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，25,600件现货，H5CG48AGBDX018N存储器 > DDR SDRAM
BGA
25,600
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查看详情 >MT41K128M16JT-125:K
micron(镁光)
MT41K128M16JT-125:K，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，25,228件现货，2-Gbit(128M × 16bit)，工作电压：1.35V存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
25,228
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查看详情 >K4A4G165WG-BCWE
SAMSUNG(三星半导体)
K4A4G165WG-BCWE，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，24,640件现货，K4A4G165WG-BCWE存储器 > DDR SDRAM
BGA
24,640
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查看详情 >NT5CC64M16GP-DI
Nanya(南亚科技)
NT5CC64M16GP-DI，Nanya(南亚科技)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-96封装，23,800件现货，1Gb 双倍数据速率 3（DDR3(L)）G 型裸片 DRAM 采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。这款 1Gb 芯片的组织形式为 16Mbit × 8 I/O × 8 存储体，或 8Mbit × 1存储器 > DDR SDRAM
BGA-96
23,800
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查看详情 >MT41K512M8DA-107:P
micron(镁光)
MT41K512M8DA-107:P，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，23,567件现货，4Gb：X4、x8、X16 DDR3L 同步动态随机存取存储器存储器 > DDR SDRAM
FBGA
23,567
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查看详情 >K4A8G165WC-BCWE
SAMSUNG(三星半导体)
K4A8G165WC-BCWE，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，22,400件现货，特性：支持连接测试模式（TEN）存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
22,400
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查看详情 >MT47H64M16NF-25EIT:M
micron(镁光)
MT47H64M16NF-25EIT:M，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-84封装，22,168件现货，特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。 差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的双输出选通（RDQS）选项。存储器 > DDR SDRAM
FBGA-84
22,168
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查看详情 >MT41K128M16JT-107IT:K
micron(镁光)
MT41K128M16JT-107IT:K，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，22,000件现货，MT41K128M16JT 107 IT:K存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
22,000
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查看详情 >MT40A256M16GE-083E:B
micron(镁光)
MT40A256M16GE-083E:B，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，21,732件现货，停产 MT40A256M16GE-083E:B存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
21,732
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查看详情 >IS43TR16128DL-107MBLI
ISSI(美国芯成)
IS43TR16128DL-107MBLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，21,000件现货，存储IC存储器 > DDR SDRAM
BGA
21,000
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查看详情 >CXDQ3BFAM-IJ-A
CXMT(长鑫)
CXDQ3BFAM-IJ-A，CXMT(长鑫)，存储器 > DDR SDRAM，bga封装，20,080件现货，DDR SDRAM存储器 > DDR SDRAM
bga
20,080
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查看详情 >MT40A512M16LY-062E:E
micron(镁光)
MT40A512M16LY-062E:E，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，20,050件现货，特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V 125mV + 250mV,片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内8192周期的刷新时间:-40°C至85°C时为64存储器 > DDR SDRAM
FBGA
20,050
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查看详情 >MT40A1G8SA-062EIT:R
micron(镁光)
MT40A1G8SA-062EIT:R，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，20,000件现货，8Gb：X4、x8、x16 DDR4 SDRAM存储器 > DDR SDRAM
BGA
20,000
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查看详情 >K4U6E3S4AB-MGCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4U6E3S4AB-MGCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-200封装，18,240件现货，LPD4X,200B,2GB存储器 > DDR SDRAM
FBGA-200
18,240
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查看详情 >MT53E1G32D2FW-046WT:B
micron(镁光)
MT53E1G32D2FW-046WT:B，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，TFBGA-200封装，18,033件现货，MT53E1G32D2FW-046 WT:B存储器 > DDR SDRAM
TFBGA-200
18,033
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查看详情 >CXDQ3A8AM-CJ-A
CXMT(长鑫)
CXDQ3A8AM-CJ-A，CXMT(长鑫)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，18,000件现货，CXDQ3A8AM-CJ-A存储器 > DDR SDRAM
BGA
18,000
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查看详情 >K4F6E3S4HM-TFCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4F6E3S4HM-TFCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，17,920件现货，K4F6E3S4HM-TFCL存储器 > DDR SDRAM
FBGA
17,920
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查看详情 >MT53E512M32D1ZW-046WT:B
micron(镁光)
MT53E512M32D1ZW-046WT:B，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，TFBGA-200封装，17,600件现货，特性：超低电压核心和 I/O 电源: -VDD1 = 1.70-1.95V；标称值 1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V；标称值 1.10V。VDDQ = 0.57-0.65V；标称值 0.60V 或 V存储器 > DDR SDRAM
TFBGA-200
17,600
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查看详情 >MT40A512M16TB-062E:R
micron(镁光)
MT40A512M16TB-062E:R，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，17,003件现货，特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
17,003
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查看详情 >IS43TR16128DL-125KBLI-TR
ISSI(美国芯成)
IS43TR16128DL-125KBLI-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > DDR SDRAM，TFBGA-96封装，16,500件现货，128Mx16 DDR3 SDRAM，支持1600MHz，具有1.5V±0.075V的标准电压和1.35V±0.1V的低电压选项。支持异步复位和TDQS功能。存储器 > DDR SDRAM
TFBGA-96
16,500
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查看详情 >MT61K512M32KPA-14:C
micron(镁光)
MT61K512M32KPA-14:C，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，16,380件现货，MT61K512M32KPA-14:C存储器 > DDR SDRAM
BGA
16,380
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查看详情 >MT40A1G8SA-075:E
micron(镁光)
MT40A1G8SA-075:E，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-78封装，16,327件现货，MT40A1G8SA-075:E存储器 > DDR SDRAM
FBGA-78
16,327
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查看详情 >MT53E128M32D2DS-053WT:A
micron(镁光)
MT53E128M32D2DS-053WT:A，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，16,079件现货，MT53E128M32D2DS-053 WT:A存储器 > DDR SDRAM
BGA
16,079
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查看详情 >MT40A1G16TB-062E:F
micron(镁光)
MT40A1G16TB-062E:F，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，16,040件现货，特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo op存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
16,040
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查看详情 >H5AG46DXNDX117N
HYNIX(海力士)
H5AG46DXNDX117N，HYNIX(海力士)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，16,000件现货，H5AG46DXNDX117N存储器 > DDR SDRAM
BGA
16,000
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查看详情 >MT53D512M32D2DS-046IT:D
micron(镁光)
MT53D512M32D2DS-046IT:D，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-200封装，16,000件现货，特性：超低电压核心和I/O电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V（标称值1.80V），VDD2(overline) = 1.06-1.17V（标称值1.10V），VDDQ(overline) =存储器 > DDR SDRAM
BGA-200
16,000
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查看详情 >MT53D512M32D2DS-046WT:D
micron(镁光)
MT53D512M32D2DS-046WT:D，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-200封装，16,000件现货，停产 MT53D512M32D2DS-046 WT:D存储器 > DDR SDRAM
BGA-200
16,000
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查看详情 >W66DP2RQQAGJ
Winbond(华邦)
W66DP2RQQAGJ，Winbond(华邦)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-200封装，15,842件现货，W66DP2RQQAGJ存储器 > DDR SDRAM
BGA-200
15,842
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查看详情 >K4B4G1646E-BYMA
SAMSUNG(三星半导体)
K4B4G1646E-BYMA，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，15,783件现货，4Gb E型裸片，x16 DDR3L SDRAM存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
15,783
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查看详情 >MT47H64M16NF-25E:M
micron(镁光)
MT47H64M16NF-25E:M，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-84封装，15,750件现货，1Gb DDR2 SDRAM，支持4n位预取架构，具有差分时钟输入和输出数据同步功能。提供8个内部存储库以实现并发操作，支持可编程的读写突发长度。工作电压为1.8V ± 0.1V。存储器 > DDR SDRAM
FBGA-84
15,750
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查看详情 >GDQ2BFAA-WQ
GigaDevice(兆易创新)
GDQ2BFAA-WQ，GigaDevice(兆易创新)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-96封装，15,380件现货，GDQ2BFAA-WQ存储器 > DDR SDRAM
BGA-96
15,380
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查看详情 >GDQ3BFAM-CJ
GigaDevice(兆易创新)
GDQ3BFAM-CJ，GigaDevice(兆易创新)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，15,360件现货，GDQ3BFAM-CJ存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
15,360
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查看详情 >MT53E2G32D4DE-046AAT:C
micron(镁光)
MT53E2G32D4DE-046AAT:C，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，14,000件现货，MT53E2G32D4DE-046 AAT:C存储器 > DDR SDRAM
BGA
14,000
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查看详情 >NT5TU128M8HE-AC
Nanya(南亚科技)
NT5TU128M8HE-AC，Nanya(南亚科技)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，12,887件现货，NT5TU128M8HE-AC存储器 > DDR SDRAM
BGA
12,887
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查看详情 >GDQ2BFAA-CJ
GigaDevice(兆易创新)
GDQ2BFAA-CJ，GigaDevice(兆易创新)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-96封装，12,800件现货，GDQ2BFAA-CJ存储器 > DDR SDRAM
BGA-96
12,800
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查看详情 >H5AN4G6NBJR-UHC
HYNIX(海力士)
H5AN4G6NBJR-UHC，HYNIX(海力士)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，12,788件现货，H5AN4G6NBJR-XXC 是一款4Gb DDR4 SDRAM，适用于主内存，支持高带宽操作。该器件具有1.2V供电电压，支持多种时钟频率，包括1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 MHz。存储器 > DDR SDRAM
FBGA
12,788
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查看详情 >IS43TR16128DL-125KBLI
ISSI(美国芯成)
IS43TR16128DL-125KBLI，ISSI(美国芯成)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-96封装，12,500件现货，IS43TR16128D, IS43TR16128DL 是 256Mx8 和 128Mx16 2Gb DDR3L SDRAM，支持低电压 1.35V。具有高速数据传输速率，系统频率高达 1066MHz。支持 8 个内部ban存储器 > DDR SDRAM
BGA-96
12,500
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查看详情 >MT40A2G16SKL-062E:B
micron(镁光)
MT40A2G16SKL-062E:B，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，12,000件现货，32Gb TwinDie 单排 DDR4 SDRAM 是使用两个 16Gb 的 DDR4 SDRAM 芯片组合而成的一个 x16 设备。它使用 96 球 FBGA 封装，工作电压为 1.2V，支持 JEDEC 标准球图，低轮廓存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
12,000
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查看详情 >MT41J128M16JT-125:K
micron(镁光)
MT41J128M16JT-125:K，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-96封装，12,000件现货，特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V中心端接推挽式I/O。 差分双向数据选通。 8n位预取架构存储器 > DDR SDRAM
BGA-96
12,000
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查看详情 >NT5CC512M8EQ-EK
Nanya(南亚科技)
NT5CC512M8EQ-EK，Nanya(南亚科技)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，12,000件现货，DDR2存储器 > DDR SDRAM
BGA
12,000
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查看详情 >K4AAG165WC-BCWE
SAMSUNG(三星半导体)
K4AAG165WC-BCWE，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，11,736件现货，K4AAG165WC-BCWE存储器 > DDR SDRAM
FBGA
11,736
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查看详情 >BUYER FAQ
分类采购常见问题
存储器 > DDR SDRAM 分类有多少可查询型号？
当前 存储器 > DDR SDRAM 分类收录 3,043 个公开可查询型号，其中本页优先展示 60 个公开现货样本。
筛选 存储器 > DDR SDRAM 型号时应关注哪些条件？
建议结合品牌、封装、参数、库存数量、批号、包装和交期筛选。本页常见封装包括 FBGA-96、BGA-96、TSOP66、BGA-84、FBGA-78。
存储器 > DDR SDRAM 可以提交 BOM 批量询价吗？
可以。多个型号建议一次提交 BOM，业务人员会集中确认现货、可替代型号、最终报价和交期。