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存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM) 分类现货
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APS6404L-3SQR-ZR
Apmemory · USON-8
50,334
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APS256XXN-OBR-WA
Apmemory · WLCSP-24
39,396
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K4B2G1646F-BFMA
SAMSUNG(三星半导体) · BGA
22,400
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K4AAG165WA-BITD
SAMSUNG(三星半导体) · BGA
18,000
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型号 / 品牌 / 摘要
类目
封装
库存
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APS6404L-3SQR-ZR
Apmemory
APS6404L-3SQR-ZR
分类
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
封装
USON-8
库存
50,334
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APS256XXN-OBR-WA
Apmemory
APS256XXN-OBR-WA
分类
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
封装
WLCSP-24
库存
39,396
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K4B2G1646F-BFMA
SAMSUNG(三星半导体)
K4B2G1646F-BFMA
分类
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
封装
BGA
库存
22,400
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K4AAG165WA-BITD
SAMSUNG(三星半导体)
K4AAG165WA-BITD
分类
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
封装
BGA
库存
18,000
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K4AAG165WB-MCTD
SAMSUNG(三星半导体)
K4AAG165WB-MCTD
分类
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
封装
FBGA-96
库存
17,396
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MT40A512M16TB-062E:J
micron(镁光)
MT40A512M16TB-062E:J
分类
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
封装
FBGA-96
库存
14,600
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K4Z80325BC-HC16
SAMSUNG(三星半导体)
K4Z80325BC-HC16
分类
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
封装
BGA
库存
12,080
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K4F6E3S4HM-THCL
SAMSUNG(三星半导体)
K4F6E3S4HM-THCL
分类
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
封装
FBGA
库存
12,005
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