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MMBF4393LT1G
onsemi(安森美)
此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
SOT-23
334,000
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MMBFJ177LT1G
onsemi(安森美)
此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
SOT-23
117,000
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MMBFJ176
onsemi(安森美)
P 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器 · 源自 Process 88三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
SOT-23
45,000
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MMBF4391LT1G
onsemi(安森美)
特性:S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用 · AEC-Q101合格且具备PPAP能力三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
SOT-23
43,000
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