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micron(镁光) 电子元器件现货与BOM询价

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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

MT41K128M16JT-125IT:K

micron(镁光)

MT41K128M16JT-125IT:K，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，106,691件现货，1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3 (1.5V) SDRAM数据手册规格。
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
106,691
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MT41K256M16TW-107:P

micron(镁光)

MT41K256M16TW-107:P，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，101,209件现货，商业级
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
101,209
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MT41K256M16TW-107IT:P

micron(镁光)

MT41K256M16TW-107IT:P，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，92,014件现货，DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
92,014
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MT29F2G01ABAGDWB-IT:G

micron(镁光)

MT29F2G01ABAGDWB-IT:G，micron(镁光)，存储器 > NAND FLASH，DFN-8封装，63,050件现货，MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
存储器 > NAND FLASH
DFN-8
63,050
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MT29F1G08ABAEAH4:E

micron(镁光)

MT29F1G08ABAEAH4:E，micron(镁光)，存储器 > NAND FLASH，FBGA封装，60,826件现货，MT29F1G08ABAEAH4:E
存储器 > NAND FLASH
FBGA
60,826
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MT41K64M16TW-107:J

micron(镁光)

MT41K64M16TW-107:J，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，45,550件现货，1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据表规格。
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
45,550
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MT41K512M8DA-107IT:P

micron(镁光)

MT41K512M8DA-107IT:P，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-78封装，41,499件现货，DDR3L SDRAM (1.35V) 是 DDR3 (1.5V) SDRAM 的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时,请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM (Die Rev :E) 数据手册规格。
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-78
41,499
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MT29F8G08ABACAWP-IT:C

micron(镁光)

MT29F8G08ABACAWP-IT:C，micron(镁光)，存储器 > NAND FLASH，TSSOP-48封装，35,867件现货，MT29F8G08ABACAWP-IT:C
存储器 > NAND FLASH
TSSOP-48
35,867
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MT29F2G08ABAGAWP-IT:G

micron(镁光)

MT29F2G08ABAGAWP-IT:G，micron(镁光)，存储器 > NAND FLASH，TSSOP封装，33,512件现货，特性：符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8：2176字节 (2048 + 128字节)。块大小：64页 (128K + 8K字节)。平面大
存储器 > NAND FLASH
TSSOP
33,512
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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

micron(镁光)

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E，micron(镁光)，存储器 > NAND FLASH，TSOPI-48封装，25,503件现货，特性：符合开放 NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。块大
存储器 > NAND FLASH
TSOPI-48
25,503
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MT41K128M16JT-125:K

micron(镁光)

MT41K128M16JT-125:K，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，25,228件现货，2-Gbit(128M × 16bit)，工作电压：1.35V
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
25,228
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MT41K512M8DA-107:P

micron(镁光)

MT41K512M8DA-107:P，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，23,567件现货，4Gb：X4、x8、X16 DDR3L 同步动态随机存取存储器
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
23,567
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MT47H64M16NF-25EIT:M

micron(镁光)

MT47H64M16NF-25EIT:M，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-84封装，22,168件现货，特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。 差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的双输出选通（RDQS）选项。
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-84
22,168
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MT41K128M16JT-107IT:K

micron(镁光)

MT41K128M16JT-107IT:K，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，22,000件现货，MT41K128M16JT 107 IT:K
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
22,000
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MT40A256M16GE-083E:B

micron(镁光)

MT40A256M16GE-083E:B，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，21,732件现货，停产 MT40A256M16GE-083E:B
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
21,732
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MT29F1G08ABAEAWP:E

micron(镁光)

MT29F1G08ABAEAWP:E，micron(镁光)，存储器 > NAND FLASH，TSOP-48封装，20,233件现货，特性：符合开放 NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 标准。 单级单元 (SLC) 技术。 页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。 页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。 块大
存储器 > NAND FLASH
TSOP-48
20,233
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MT40A512M16LY-062E:E

micron(镁光)

MT40A512M16LY-062E:E，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，20,050件现货，特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V 125mV + 250mV,片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内8192周期的刷新时间:-40°C至85°C时为64
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
20,050
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MT40A1G8SA-062EIT:R

micron(镁光)

MT40A1G8SA-062EIT:R，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，20,000件现货，8Gb：X4、x8、x16 DDR4 SDRAM
存储器 > DDR SDRAM
BGA
20,000
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MT53E1G32D2FW-046WT:B

micron(镁光)

MT53E1G32D2FW-046WT:B，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，TFBGA-200封装，18,033件现货，MT53E1G32D2FW-046 WT:B
存储器 > DDR SDRAM
TFBGA-200
18,033
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MT53E512M32D1ZW-046WT:B

micron(镁光)

MT53E512M32D1ZW-046WT:B，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，TFBGA-200封装，17,600件现货，特性：超低电压核心和 I/O 电源: -VDD1 = 1.70-1.95V；标称值 1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V；标称值 1.10V。VDDQ = 0.57-0.65V；标称值 0.60V 或 V
存储器 > DDR SDRAM
TFBGA-200
17,600
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MT40A512M16TB-062E:R

micron(镁光)

MT40A512M16TB-062E:R，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，17,003件现货，特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
17,003
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MT61K512M32KPA-14:C

micron(镁光)

MT61K512M32KPA-14:C，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，16,380件现货，MT61K512M32KPA-14:C
存储器 > DDR SDRAM
BGA
16,380
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MT40A1G8SA-075:E

micron(镁光)

MT40A1G8SA-075:E，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-78封装，16,327件现货，MT40A1G8SA-075:E
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-78
16,327
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MT53E128M32D2DS-053WT:A

micron(镁光)

MT53E128M32D2DS-053WT:A，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，16,079件现货，MT53E128M32D2DS-053 WT:A
存储器 > DDR SDRAM
BGA
16,079
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MT40A1G16TB-062E:F

micron(镁光)

MT40A1G16TB-062E:F，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，16,040件现货，特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo op
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
16,040
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MT53D512M32D2DS-046IT:D

micron(镁光)

MT53D512M32D2DS-046IT:D，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-200封装，16,000件现货，特性：超低电压核心和I/O电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V（标称值1.80V），VDD2(overline) = 1.06-1.17V（标称值1.10V），VDDQ(overline) =
存储器 > DDR SDRAM
BGA-200
16,000
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MT53D512M32D2DS-046WT:D

micron(镁光)

MT53D512M32D2DS-046WT:D，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-200封装，16,000件现货，停产 MT53D512M32D2DS-046 WT:D
存储器 > DDR SDRAM
BGA-200
16,000
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MT47H64M16NF-25E:M

micron(镁光)

MT47H64M16NF-25E:M，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-84封装，15,750件现货，1Gb DDR2 SDRAM，支持4n位预取架构，具有差分时钟输入和输出数据同步功能。提供8个内部存储库以实现并发操作，支持可编程的读写突发长度。工作电压为1.8V ± 0.1V。
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-84
15,750
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MT29F4G08ABADAWP-IT:D

micron(镁光)

MT29F4G08ABADAWP-IT:D，micron(镁光)，存储器 > NAND FLASH，BGA封装，15,640件现货，特性：Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant。 单级单元 (SLC) 技术。 组织架构：页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16：105
存储器 > NAND FLASH
BGA
15,640
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MT40A512M16TB-062E:J

micron(镁光)

MT40A512M16TB-062E:J，micron(镁光)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-96封装，14,600件现货，MT40A512M16TB-062E:J
存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-96
14,600
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MT53E2G32D4DE-046AAT:C

micron(镁光)

MT53E2G32D4DE-046AAT:C，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，14,000件现货，MT53E2G32D4DE-046 AAT:C
存储器 > DDR SDRAM
BGA
14,000
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MT29F2G08ABAEAWP:E

micron(镁光)

MT29F2G08ABAEAWP:E，micron(镁光)，存储器 > NAND FLASH，BGA封装，12,726件现货，Flash 2GBIT
存储器 > NAND FLASH
BGA
12,726
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MT40A2G16SKL-062E:B

micron(镁光)

MT40A2G16SKL-062E:B，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，12,000件现货，32Gb TwinDie 单排 DDR4 SDRAM 是使用两个 16Gb 的 DDR4 SDRAM 芯片组合而成的一个 x16 设备。它使用 96 球 FBGA 封装，工作电压为 1.2V，支持 JEDEC 标准球图，低轮廓
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
12,000
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MT41J128M16JT-125:K

micron(镁光)

MT41J128M16JT-125:K，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-96封装，12,000件现货，特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V中心端接推挽式I/O。 差分双向数据选通。 8n位预取架构
存储器 > DDR SDRAM
BGA-96
12,000
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MT29F4G08ABADAWP:D

micron(镁光)

MT29F4G08ABADAWP:D，micron(镁光)，存储器 > NAND FLASH，BGA-78封装，11,393件现货，Flash 4GBIT
存储器 > NAND FLASH
BGA-78
11,393
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MTFC2GMDEA-0MWTA

micron(镁光)

MTFC2GMDEA-0MWTA，micron(镁光)，存储器 > eMMC，BGA-153封装，11,377件现货，MTFC2GMDEA-0M WT A
存储器 > eMMC
BGA-153
11,377
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MT53E2G32D4DE-046WT:C

micron(镁光)

MT53E2G32D4DE-046WT:C，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-200封装，11,000件现货，MT53E2G32D4DE-046 WT:C
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-200
11,000
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MT47H32M16NF-25E:H

micron(镁光)

MT47H32M16NF-25E:H，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，10,839件现货，MT47H32M16NF-25E:H
存储器 > DDR SDRAM
BGA
10,839
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MT41K512M16VRP-107IT:P

micron(镁光)

MT41K512M16VRP-107IT:P，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，10,400件现货，MT41K512M16VRP-107IT:P
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
10,400
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MT41K256M16TW-107AIT:P

micron(镁光)

MT41K256M16TW-107AIT:P，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，10,113件现货，MT41K256M16TW-107AIT:P
存储器 > DDR SDRAM
BGA
10,113
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MT41K64M16TW-107AIT:J

micron(镁光)

MT41K64M16TW-107AIT:J，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，10,029件现货，MT41K64M16TW 107 AIT:J
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
10,029
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MT41K128M16JT-125AAT:K

micron(镁光)

MT41K128M16JT-125AAT:K，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，10,000件现货，1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据手册规格。
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
10,000
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MT41K128M16JT-125AIT:K

micron(镁光)

MT41K128M16JT-125AIT:K，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，9,700件现货，MT41K128M16JT-125 AIT:K
存储器 > DDR SDRAM
BGA
9,700
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MT40A1G16KNR-075:E

micron(镁光)

MT40A1G16KNR-075:E，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，8,899件现货，这款16Gb（TwinDie™）DDR4 SDRAM采用美光的8Gb DDR4 SDRAM芯片；将两片x8芯片组合成一片x16芯片。其信号与单x16芯片类似，多一个ZQ连接以实现更快的ZQ校准，并且x8寻址需要一个BG1控制信号。
存储器 > DDR SDRAM
BGA
8,899
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MT40A1G8SA-062EIT:E

micron(镁光)

MT40A1G8SA-062EIT:E，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-78封装，8,893件现货，MT40A1G8SA-062E IT:E 停产
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-78
8,893
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MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F

micron(镁光)

MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F，micron(镁光)，存储器 > NAND FLASH，SOIC-16封装，8,665件现货，MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F
存储器 > NAND FLASH
SOIC-16
8,665
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MT53E512M32D1ZW-046AAT:B

micron(镁光)

MT53E512M32D1ZW-046AAT:B，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，8,210件现货，MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
8,210
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MT41K64M16TW-107IT:J

micron(镁光)

MT41K64M16TW-107IT:J，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，8,013件现货，MT41K64M16TW-107IT:J
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
8,013
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MT53D512M32D2DS-053WT:D

micron(镁光)

MT53D512M32D2DS-053WT:D，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，8,008件现货，停产 MT53D512M32D2DS-053 WT:D
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
8,008
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MTFC4GMDEA-4MIT

micron(镁光)

MTFC4GMDEA-4MIT，micron(镁光)，存储器 > NAND FLASH，BGA-153封装，8,000件现货，MTFC4GMDEA-4M IT
存储器 > NAND FLASH
BGA-153
8,000
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MTFC4GACAJCN-4MIT

micron(镁光)

MTFC4GACAJCN-4MIT，micron(镁光)，存储器 > eMMC，FBGA-153封装，7,967件现货，特性：MultiMediaCard (MMC) 控制器和 NAND 闪存。 153 引脚 FBGA（符合 RoHS 标准，“绿色封装”）。 VCC：2.7-3.6V。 VCCQ（双电压）：1.7-1.95V；2.7-3.6V。 工业温度范围
存储器 > eMMC
FBGA-153
7,967
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MT53D1024M32D4DT-046WT:D

micron(镁光)

MT53D1024M32D4DT-046WT:D，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，7,701件现货，停产 MT53D1024M32D4DT-046 WT:D
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
7,701
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MTFC256GAVATTC-AAT

micron(镁光)

MTFC256GAVATTC-AAT，micron(镁光)，存储器 > EEPROM，BGA-153封装，7,600件现货，MTFC256GAVATTC-AAT
存储器 > EEPROM
BGA-153
7,600
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MT41K256M8DA-125:K

micron(镁光)

MT41K256M8DA-125:K，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，7,352件现货，1.35V DDR3L SDRAM 器件是 1.5V DDR3 SDRAM 器件的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据手册规格。
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
7,352
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MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C

micron(镁光)

MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C，micron(镁光)，存储器 > NAND FLASH，TSOP48封装，7,271件现货，MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C
存储器 > NAND FLASH
TSOP48
7,271
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MT40A2G8SA-062EIT:F

micron(镁光)

MT40A2G8SA-062EIT:F，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-84封装，7,000件现货，16Gb: x4, x8, x16 DDR4 SDRA
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-84
7,000
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MT41K256M16HA-125:E

micron(镁光)

MT41K256M16HA-125:E，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-96封装，6,768件现货，即将停产 MT41K256M16HA-125:E
存储器 > DDR SDRAM
BGA-96
6,768
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MT40A512M16JY-083E:B

micron(镁光)

MT40A512M16JY-083E:B，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-96封装，6,671件现货，停产 MT40A512M16JY-083E:B
存储器 > DDR SDRAM
BGA-96
6,671
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MT41J256M16HA-093G:E

micron(镁光)

MT41J256M16HA-093G:E，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，6,500件现货，MT41J256M16HA-093G:E
存储器 > DDR SDRAM
BGA
6,500
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MT53E1G32D2FW-046IT:B

micron(镁光)

MT53E1G32D2FW-046IT:B，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，6,500件现货，特性：超低电压核心和 I/O 电源: -VDD1 = 1.70-1.95V；标称值 1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V；标称值 1.10V。VDDQ = 0.57-0.65V；标称值 0.60V 或 VDDQ = 1.0
存储器 > DDR SDRAM
BGA
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BUYER FAQ

品牌采购常见问题

micron(镁光) 在华芯购有多少可查询型号？

当前 micron(镁光) 页面收录 2,901 个公开可查询型号，页面展示高库存和近期更新的部分型号，实时库存请进入筛选页确认。

采购 micron(镁光) 型号时应先核对什么？

建议先核对完整型号、封装、批号、包装方式、交期、数据手册和替代要求，再提交询价或 BOM。

micron(镁光) 型号找不到完全一致怎么办？

可以从同品牌、同封装或同类目继续筛选，也可以提交 BOM，由业务人员按参数和应用场景协助确认替代料。