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C3M0075120K
WOLFSPEED
C3M0075120K，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，33,550件现货，特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 采用独立驱动源引脚的优化封装，漏源之间爬电距离为8mm。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷 (Qrr)。 无卤，符合RoHS标准。应用：可碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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WOLFSPEED
C4D02120E-TR，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-252封装，2,500件现货，特性：1.2kV肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 温度无关的开关特性。 极快的开关速度。 正向电压VF具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管二极管 > 碳化硅二极管
TO-252
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C3M0160120J-TR，WOLFSPEED，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-263-7封装，询盘确认库存，C3M0160120J-TR三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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C4D20120A，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-220-2封装，询盘确认库存，C4D20120A二极管 > 碳化硅二极管
TO-220-2
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C3D08065A，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-220-2封装，询盘确认库存，C3D08065A二极管 > 碳化硅二极管
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C3D06060G-TR，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-263-2封装，询盘确认库存，特性：600 伏肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。应用：开关模式电源（SMPS）。 功率因数校正（PFC）或直流/直流级中的升压二极管二极管 > 碳化硅二极管
TO-263-2
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C3M0060065D，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3封装，询盘确认库存，C3M0060065D碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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C3M0280090J，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7封装，询盘确认库存，C3M0280090J碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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C3M0060065J，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7封装，询盘确认库存，C3M0060065J碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3D03060A，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-220AC-2封装，询盘确认库存，C3D03060A二极管 > 碳化硅二极管
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C3M0160120D，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3封装，询盘确认库存，特性：C3M SiC MOSFET技术。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。 更高的系统效率。应用：可再生能源。 高压DC/DC转换器碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0350120J，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7封装，询盘确认库存，特性：第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术。 带驱动源极引脚的低阻抗封装。 漏极和源极之间的爬电距离为7mm。 高阻断电压和低导通电阻。 低电容的高速开关。 具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管。应用：可再生能源。碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3D03060E-TR，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-252-2封装，询盘确认库存，C3D03060E-TR二极管 > 碳化硅二极管
TO-252-2
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C3M0021120K，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4封装，询盘确认库存，特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 采用独立驱动源极引脚的优化封装。 漏极和源极之间有8mm爬电距离。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷(Qrr)。应用：太阳能逆变器。 电动汽碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0075120K-A，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4封装，询盘确认库存，特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 优化封装，带有独立驱动源引脚。 漏源之间爬电距离为8mm。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷。应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0040120K，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4封装，询盘确认库存，特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 优化封装，带有独立的驱动源极引脚。 漏极和源极之间的爬电距离为8mm。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷Qrr。应用：太阳能逆变器。 电动汽碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3D16060D，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-247-3封装，询盘确认库存，C3D16060D二极管 > 碳化硅二极管
TO-247-3
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C3D10060G-TR，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-263-2封装，询盘确认库存，特性：600 伏肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。应用：开关模式电源（SMPS）。 功率因数校正（PFC）或直流/直流阶段的升压二极管二极管 > 碳化硅二极管
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C3M0075120J，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7封装，询盘确认库存，特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 低阻抗封装，驱动源引脚，漏源之间爬电距离7mm。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷(Qrr)。 无卤，符合RoHS标准。应用：可再生能源。碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0075120D，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3封装，询盘确认库存，特性：C3M SiC MOSFET技术。高阻断电压，低导通电阻。高速开关，低电容。快速本征二极管，低反向恢复 (Qrr)。无卤，符合RoHS标准。更高的系统效率。应用：可再生能源。电动汽车电池充电器碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3D10065A，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-220-2封装，询盘确认库存，凭借碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管的性能优势，电力电子系统有望达到比基于硅的解决方案更高的效率标准，同时还能实现更高的频率和功率密度。SiC 二极管可以轻松并联以满足各种应用需求，无需担心热失控。结合 SiC 产品减少的散热要求和改进的热性能，SiC二极管 > 碳化硅二极管
TO-220-2
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C4D02120E，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-252-2封装，询盘确认库存，特性：1.2kV肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 温度无关的开关特性。 极快的开关速度。 正向电压VF具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管二极管 > 碳化硅二极管
TO-252-2
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C3M0015065K，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4封装，询盘确认库存，特性：C3M SiC MOSFET技术。 优化封装，带有独立驱动源引脚。 漏极和源极之间的爬电距离为8mm。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复 (Qrr)。应用：EV充电器。 太阳能碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4
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C3M0045065D，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3封装，询盘确认库存，特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。 更高的系统效率。应用：电动汽车充电器。 服务器和电信电源碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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E3M0075120K，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4封装，询盘确认库存，特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 采用独立驱动源引脚的优化封装。 漏极和源极之间的爬电距离为8mm。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷(Qrr)。应用：电动汽车电池充电器。碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0032120J1，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7封装，询盘确认库存，C3M0032120J1碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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C3M0060065K，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4封装，询盘确认库存，特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。 更高的系统效率。应用：电动汽车充电。 服务器电源碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C4D05120E-TR，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-252封装，询盘确认库存，特性：1.2kV肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。 正向电压（VF）具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管二极管 > 碳化硅二极管
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C3M0025065K，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4封装，询盘确认库存，特性：C3M™ SiC MOSFET技术。 优化封装，带有独立驱动源极引脚。 漏极和源极之间的爬电距离为8mm。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷(Qπ)。应用：EV充电器。 U碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C4D20120D，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-247-3封装，询盘确认库存，特性：1.2 kV 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频运行。 与温度无关的开关特性。 正向电压（VF）具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 功率因数校正（PFC）或直流/直流阶段的升压二极管二极管 > 碳化硅二极管
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C6D08065E-TR，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-252封装，询盘确认库存，C6D08065E-TR二极管 > 碳化硅二极管
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C3D08065I，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-220-2封装，询盘确认库存，特性：650 伏肖特基整流器。 陶瓷封装提供 2.5kV 隔离。 零反向恢复电流。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 正向电压（VF）正温度系数。应用：暖通空调。 开关模式电源（SMPS）二极管 > 碳化硅二极管
TO-220-2
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C3D20065D，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-247-3封装，询盘确认库存，特性：650伏肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管二极管 > 碳化硅二极管
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C6D08065A，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-220-2封装，询盘确认库存，凭借碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管的性能优势，电力电子系统有望达到比基于硅的解决方案更高的效率标准，同时还能实现更高的频率和功率密度。SiC 二极管可以轻松并联，以满足各种应用需求，而无需担心热失控。结合 SiC 产品减少的冷却要求和改善的热性能，Si二极管 > 碳化硅二极管
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C3M0016120D，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3封装，询盘确认库存，特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷 (Qrr)。 无卤，符合RoHS标准。 降低开关损耗，减少栅极振铃。应用：太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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C3M0065090D，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3封装，询盘确认库存，特性：C3M SiC MOSFET技术。 高阻断电压与低导通电阻。 低电容的高速开关。 低反向恢复（Qrr）的快速本征二极管。 无卤，符合RoHS标准。 更高的系统效率。应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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C3M0120090J-TR，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7封装，询盘确认库存，特性：新的C3M碳化硅MOSFET技术。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 带有驱动源的新型低阻抗封装。 快速本征二极管，低反向恢复（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。应用：可再生能源。 电动汽车电池充碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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C2M0040120D，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3封装，询盘确认库存，C2M0040120D碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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C2M0045170D，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3封装，询盘确认库存，C2M0045170D碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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C2M0045170P，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，C2M0045170P碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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C2M1000170D，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3封装，询盘确认库存，C2M1000170D 停产碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C374T-WNN-CW0Z0151，WOLFSPEED，二极管 > 发光二极管/LED，3mm Round封装，询盘确认库存，C374T-WNN-CW0Z0151二极管 > 发光二极管/LED
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查看详情 >C374T-WPS-CW0Y0131
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C374T-WPS-CW0Y0131，WOLFSPEED，二极管 > 发光二极管/LED，3mm Round封装，询盘确认库存，C374T-WPS-CW0Y0131二极管 > 发光二极管/LED
3mm Round
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C374T-WQS-CT0W0131，WOLFSPEED，二极管 > 发光二极管/LED，3mm Round封装，询盘确认库存，C374T-WQS-CT0W0131二极管 > 发光二极管/LED
3mm Round
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C3D02060E-TR，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-252-2封装，询盘确认库存，C3D02060E-TR二极管 > 碳化硅二极管
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C3D02060F，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，-封装，询盘确认库存，C3D02060F二极管 > 碳化硅二极管
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C3D02065E，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-252-2封装，询盘确认库存，特性：650-伏肖特基整流器。 针对PFC升压二极管应用进行优化。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高频操作。 与温度无关的开关特性。应用：开关电源 (SMPS)。 PFC或DC/DC级中的升压二极管二极管 > 碳化硅二极管
TO-252-2
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C3D02065E-TR，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-252-2封装，询盘确认库存，C3D02065E-TR二极管 > 碳化硅二极管
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C3D03060E，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-252-2封装，询盘确认库存，C3D03060E二极管 > 碳化硅二极管
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C3D03065E，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-252-2封装，询盘确认库存，C3D03065E二极管 > 碳化硅二极管
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C3D03065E-TR，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-252封装，询盘确认库存，C3D03065E-TR二极管 > 碳化硅二极管
TO-252
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C3D04060E-TR，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-252-2封装，询盘确认库存，特性：600伏肖特基整流器。针对PFC升压二极管应用进行优化。零反向恢复电流。零正向恢复电压。高频操作。与温度无关的开关特性。应用：开关模式电源（SMPS）。PFC或DC/DC级中的升压二极管二极管 > 碳化硅二极管
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C3D04060F，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，-封装，询盘确认库存，C3D04060F二极管 > 碳化硅二极管
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C3D04065A，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-220-2封装，询盘确认库存，C3D04065A二极管 > 碳化硅二极管
TO-220-2
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C3D04065E，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-252-2封装，询盘确认库存，C3D04065E二极管 > 碳化硅二极管
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C3D06065E，WOLFSPEED，二极管 > 碳化硅二极管，TO-252-2封装，询盘确认库存，特性：650 伏肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。应用：开关模式电源 (SMPS)。 PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管二极管 > 碳化硅二极管
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品牌采购常见问题
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采购 WOLFSPEED 型号时应先核对什么？
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