先确认完整型号
同一品牌下后缀常代表封装、温度等级或包装方式,建议复制完整 MPN 提交。
同一品牌下后缀常代表封装、温度等级或包装方式,建议复制完整 MPN 提交。
本页样本常见封装:NA、FBGA-96、DFN-8、FBGA。
MICRON 多型号需求建议一次提交,便于统一核对批号、交期和替代料。
用于采购筛选和客户偏好表达,不等同于授权关系或最终供货来源承诺。
同一品牌写法可能对应官方制造商、代理简称或库存来源,提交前建议核对完整 MPN。
优先打开商品详情或资料中心里的制造商 PDF,再核对封装、引脚和订购后缀。
公开库存和价格只用于初筛,最终数量、批号、包装、交期和报价以业务确认结果为准。
页面说明
品牌页怎么用可以先看品牌筛选入口、公开型号数量、封装分布、PDF覆盖和可询库存线索。
不要把品牌页当成授权证明、官方制造商唯一证明、锁货承诺或最终成交报价。
需要把代理证书、授权区域、授权品类、有效期、交易主体和官网可查入口转到授权资料或供应线核验。
优先看当前页和实时筛选;需要更多说明时再看资料中心和品牌制造商判断问答。
补完整 MPN、数量、目标品牌/制造商、封装、批号包装、交期和可接受替代范围。
采购入口:MICRON 品牌 候选型号:FI-X30HL / MT41K128M16JT-125IT:K / MT41K256M16TW-107:P / MT41K256M16TW-107IT:P / MT29F2G01ABAGDWB-IT:G / MT29F1G08ABAEAH4:E 品牌/制造商范围:micron(镁光) / MICRON / Micron/镁光 / Micron/美光 / MICRON/镁光 分类范围:存储器 > DDR SDRAM / 现货库存 / 存储器 > NAND FLASH / 存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM) / 存储器 > eMMC 封装线索:NA / FBGA-96 / DFN-8 / FBGA / FBGA-78 需求数量:请按型号填写目标数量、阶梯数量或年用量 不可放宽参数:完整MPN、品牌/制造商、封装、引脚、电压、电流、温度等级、认证、替代边界 可接受替代范围:请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代 交付要求:批号、包装、交期、检测资料、含税报价、付款和交付条件 公开库存和价格仅用于采购初筛,最终以业务人员确认报价为准
采购路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
把优先样本带入对比或 BOM,避免从搜索入口反复重新查找。
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
MICRON
FI-X30HL,MICRON,现货库存,NA封装,116,980件现货micron(镁光)
MT41K128M16JT-125IT:K,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,106,691件现货,1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低压版本。在1.5V兼容模式下运行时,请参考DDR3 (1.5V) SDRAM数据手册规格。micron(镁光)
MT41K256M16TW-107:P,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,101,209件现货,商业级micron(镁光)
MT41K256M16TW-107IT:P,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,92,014件现货,DDR3L SDRAM(1.35V)是DDR3(1.5V)SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时,请参考DDR3(1.5V)SDRAM(芯片版本:E)数据手册规格。micron(镁光)
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G,micron(镁光),存储器 > NAND FLASH,DFN-8封装,63,050件现货,MT29F2G01ABAGDWB-IT:Gmicron(镁光)
MT29F1G08ABAEAH4:E,micron(镁光),存储器 > NAND FLASH,FBGA封装,60,826件现货,MT29F1G08ABAEAH4:Emicron(镁光)
MT41K64M16TW-107:J,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,45,550件现货,1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时,请参考 DDR3(1.5V)SDRAM 数据表规格。micron(镁光)
MT41K512M8DA-107IT:P,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-78封装,41,499件现货,DDR3L SDRAM (1.35V) 是 DDR3 (1.5V) SDRAM 的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时,请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM (Die Rev :E) 数据手册规格。micron(镁光)
MT29F8G08ABACAWP-IT:C,micron(镁光),存储器 > NAND FLASH,TSSOP-48封装,35,867件现货,MT29F8G08ABACAWP-IT:CMICRON
N25Q064A13ESF40F,MICRON,现货库存,SOP-16封装,34,680件现货micron(镁光)
MT29F2G08ABAGAWP-IT:G,micron(镁光),存储器 > NAND FLASH,TSSOP封装,33,512件现货,特性:符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8:2176字节 (2048 + 128字节)。块大小:64页 (128K + 8K字节)。平面大MICRON
M25PE20-VMN6TP,MICRON,现货库存,SOP-8封装,31,995件现货MICRON
M29W320EB70N6E,MICRON,现货库存,TSOP48封装,27,072件现货micron(镁光)
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E,micron(镁光),存储器 > NAND FLASH,TSOPI-48封装,25,503件现货,特性:符合开放 NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小 x8:2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16:1056 字 (1024 + 32 字)。块大micron(镁光)
MT41K128M16JT-125:K,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,25,228件现货,2-Gbit(128M × 16bit),工作电压:1.35VMICRON
M25P16-VMN6TP,MICRON,现货库存,SOP-8封装,25,000件现货micron(镁光)
MT41K512M8DA-107:P,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA封装,23,567件现货,4Gb:X4、x8、X16 DDR3L 同步动态随机存取存储器MICRON
MT25QL256ABA8E12-1SIT,MICRON,现货库存,BGA封装,22,500件现货micron(镁光)
MT47H64M16NF-25EIT:M,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-84封装,22,168件现货,特性:VDD = 1.8V±0.1V,VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O(SSTL_18兼容)。 差分数据选通(DQS,DQS#)选项。 4n位预取架构。 x8的双输出选通(RDQS)选项。micron(镁光)
MT41K128M16JT-107IT:K,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,22,000件现货,MT41K128M16JT 107 IT:Kmicron(镁光)
MT40A256M16GE-083E:B,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,21,732件现货,停产 MT40A256M16GE-083E:Bmicron(镁光)
MT29F1G08ABAEAWP:E,micron(镁光),存储器 > NAND FLASH,TSOP-48封装,20,233件现货,特性:符合开放 NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 标准。 单级单元 (SLC) 技术。 页面大小 x8:2112 字节 (2048 + 64 字节)。 页面大小 x16:1056 字 (1024 + 32 字)。 块大micron(镁光)
MT40A512M16LY-062E:E,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA封装,20,050件现货,特性:VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V 125mV + 250mV,片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内8192周期的刷新时间:-40°C至85°C时为64micron(镁光)
MT40A1G8SA-062EIT:R,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,BGA封装,20,000件现货,8Gb:X4、x8、x16 DDR4 SDRAMMicron/镁光
M25PX32-VMP6FBA,Micron/镁光,现货库存,QFN-8封装,19,700件现货Micron/美光
MT25QU256ABA1EW7-0SIT,Micron/美光,现货库存,BGA封装,19,500件现货micron(镁光)
MT53E1G32D2FW-046WT:B,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,TFBGA-200封装,18,033件现货,MT53E1G32D2FW-046 WT:Bmicron(镁光)
MT53E512M32D1ZW-046WT:B,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,TFBGA-200封装,17,600件现货,特性:超低电压核心和 I/O 电源: -VDD1 = 1.70-1.95V;标称值 1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V;标称值 1.10V。VDDQ = 0.57-0.65V;标称值 0.60V 或 Vmicron(镁光)
MT40A512M16TB-062E:R,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,17,003件现货,特性:VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/Omicron(镁光)
MT61K512M32KPA-14:C,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,BGA封装,16,380件现货,MT61K512M32KPA-14:Cmicron(镁光)
MT40A1G8SA-075:E,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-78封装,16,327件现货,MT40A1G8SA-075:Emicron(镁光)
MT53E128M32D2DS-053WT:A,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,BGA封装,16,079件现货,MT53E128M32D2DS-053 WT:Amicron(镁光)
MT40A1G16TB-062E:F,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,16,040件现货,特性:VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo opmicron(镁光)
MT53D512M32D2DS-046IT:D,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,BGA-200封装,16,000件现货,特性:超低电压核心和I/O电源:VDD1(overline) = 1.70-1.95V(标称值1.80V),VDD2(overline) = 1.06-1.17V(标称值1.10V),VDDQ(overline) =micron(镁光)
MT53D512M32D2DS-046WT:D,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,BGA-200封装,16,000件现货,停产 MT53D512M32D2DS-046 WT:Dmicron(镁光)
MT47H64M16NF-25E:M,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-84封装,15,750件现货,1Gb DDR2 SDRAM,支持4n位预取架构,具有差分时钟输入和输出数据同步功能。提供8个内部存储库以实现并发操作,支持可编程的读写突发长度。工作电压为1.8V ± 0.1V。micron(镁光)
MT29F4G08ABADAWP-IT:D,micron(镁光),存储器 > NAND FLASH,BGA封装,15,640件现货,特性:Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant。 单级单元 (SLC) 技术。 组织架构:页面大小 x8:2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16:105micron(镁光)
MT40A512M16TB-062E:J,micron(镁光),存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM),FBGA-96封装,14,600件现货,MT40A512M16TB-062E:JMicron/镁光
MT25QL256ABA1EW9-0SIT,Micron/镁光,现货库存,WPDFN-8封装,14,000件现货micron(镁光)
MT53E2G32D4DE-046AAT:C,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,BGA封装,14,000件现货,MT53E2G32D4DE-046 AAT:Cmicron(镁光)
MT29F2G08ABAEAWP:E,micron(镁光),存储器 > NAND FLASH,BGA封装,12,726件现货,Flash 2GBITMicron/美光
MT25QL01GBBB8ESF-0SIT,Micron/美光,现货库存,SOIC-16封装,12,558件现货MICRON/镁光
MT62F2G32D4DS-026WT:B,MICRON/镁光,现货库存,BGA封装,12,010件现货MICRON/美光
BY25FQ256ESSIG,MICRON/美光,现货库存,BGA封装,12,000件现货micron(镁光)
MT40A2G16SKL-062E:B,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,12,000件现货,32Gb TwinDie 单排 DDR4 SDRAM 是使用两个 16Gb 的 DDR4 SDRAM 芯片组合而成的一个 x16 设备。它使用 96 球 FBGA 封装,工作电压为 1.2V,支持 JEDEC 标准球图,低轮廓micron(镁光)
MT41J128M16JT-125:K,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,BGA-96封装,12,000件现货,特性:VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V中心端接推挽式I/O。 差分双向数据选通。 8n位预取架构MICRON/镁光
MT25QU512ABB8E12-0SIT,MICRON/镁光,现货库存,BGA-24封装,11,894件现货Micron/镁光
MT25QL128ABA1EW9-0SIT,Micron/镁光,现货库存,WPDFN8封装,11,397件现货micron(镁光)
MT29F4G08ABADAWP:D,micron(镁光),存储器 > NAND FLASH,BGA-78封装,11,393件现货,Flash 4GBITmicron(镁光)
MTFC2GMDEA-0MWTA,micron(镁光),存储器 > eMMC,BGA-153封装,11,377件现货,MTFC2GMDEA-0M WT AMICRON
MT25QL512ABB8ESF-0AAT,MICRON,现货库存,SOP-16封装,11,271件现货micron(镁光)
MT53E2G32D4DE-046WT:C,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-200封装,11,000件现货,MT53E2G32D4DE-046 WT:Cmicron(镁光)
MT47H32M16NF-25E:H,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,BGA封装,10,839件现货,MT47H32M16NF-25E:HMICRON
M25P80-VMW6TG,MICRON,现货库存,SOP-8封装,10,500件现货micron(镁光)
MT41K512M16VRP-107IT:P,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,10,400件现货,MT41K512M16VRP-107IT:Pmicron(镁光)
MT41K256M16TW-107AIT:P,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,BGA封装,10,113件现货,MT41K256M16TW-107AIT:Pmicron(镁光)
MT41K64M16TW-107AIT:J,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,10,029件现货,MT41K64M16TW 107 AIT:JMICRON
M25PX80-VMN6TP,MICRON,现货库存,SOP-8封装,10,000件现货micron(镁光)
MT41K128M16JT-125AAT:K,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA封装,10,000件现货,1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时,请参考 DDR3(1.5V)SDRAM 数据手册规格。micron(镁光)
MT41K128M16JT-125AIT:K,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,BGA封装,9,700件现货,MT41K128M16JT-125 AIT:K采购问答
当前 MICRON 页面收录 3,033 个公开可查询型号,页面展示高库存和近期更新的部分型号,实时库存请进入筛选页确认。
建议先核对完整型号、封装、批号、包装方式、交期、数据手册和替代要求,再提交询价或 BOM。
可以从同品牌、同封装或同类目继续筛选,也可以提交 BOM,由业务人员按参数和应用场景协助确认替代料。