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KIA50N06BD
KIA
KIA50N06BD，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-2封装，询盘确认库存，N沟道,60V,50A,10.5mΩ@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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KNY8104A
KIA
KNY8104A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON) = 12mΩ (typ.)@VGS = 10V。 极低导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。 改进的dv/dt能力。应用：PWM应用。 电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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KIA
KNG8104A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON)=12mΩ (typ.)@VGS = 10V。 极低导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。应用：PWM应用。 电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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KIA
KPY3203D，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON) = 3.5mΩ (typ.) @ VGS = 10V。 超低栅极电荷。 100% EAS保证。 绿色环保器件。 优异的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽工艺三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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KIA
KIA2301，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，P沟道,-20V,-2.8A,120mΩ@-4.5V,功能与引脚同 SI2301三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KIA
KIA3510AD，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-2封装，询盘确认库存，特性：RDS(on) = 9mΩ (典型值) @ VSS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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KIA
KPD7910A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：使用CRM(CQ)先进沟槽技术。 极低导通电阻Rps(on)。 出色的QgxRDS(on)乘积(FOM)。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA
KCY3310A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：低RDS(on)和FOM。 极低的开关损耗。 使用先进的SGT技术。 出色的稳定性和一致性。 快速开关和软恢复。 适用于功率开关应用。 低导通电阻（典型值）RDS(on)=5.0mΩ。 适用于硬开关和高频电路。 适用于不间断电源三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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KIA
KND3508A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，N沟道,80V,70A,11mΩ@10V,场效应管，MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA
KIA3407，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，P沟道,-30V,-4.1A,90mΩ@-4.5V,功能与引脚同 AO3407三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KIA
KIA3415，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，P沟道,-20V,-4.0A,45mΩ@-4.5V,功能与引脚同 AO3415三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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KIA
KPD6610B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，先进沟槽MOS技术。100%保证EAS。可靠且耐用。有环保器件可供选择三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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KIA
KIA50N03BD，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流。 50A，30V，RDS(on)典型值 = 6.5mΩ（典型值）@VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 快速开关。 改善的dv/dt能力三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA
KIA2305，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，P沟道,-20V,-3.5A,55mΩ@-4.5V,功能与引脚同 SI2305三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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KIA
KCD3304A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：先进的SGT技术，RDS(ON) = 6.2 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V。 超低栅极电荷。 提供绿色环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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KIA50N06DD，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，N管 50A 60V Rds7.5-9.0mΩ Ciss 3000PF TO-252三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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KIA
KND3308A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，N沟道,80V,80A,6.2mΩ@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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KIA
KND3404B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON)典型值 = 5.0mΩ（典型值），VGS = 10V。 使用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg x RDS(on)乘积（FOM）。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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KIA
KIA50N03CD，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，KIA50N03CD三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA
KIA5N50SD，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：坚固的高压终端。 导通电阻（RDS(ON)）：在VGS = 10V时，DFN5*6封装典型值为1.35Ω，TO-252封装典型值为1.38Ω。 规定了雪崩能量。 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当。 二极管适用于桥式电路。 规定了三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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KIA
KPE4403A2，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，询盘确认库存，高单元密度沟槽式双 P 沟道 MOSFET 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。它符合 RoHS 标准和绿色产品要求。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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KIA
KIA08TB70DD，KIA，二极管 > 快恢复/高效率二极管，TO-252-2封装，询盘确认库存，该系列是先进的器件，设计用于开关电源、逆变器，也可用作续流二极管。二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-252-2
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KIA
KND3080，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET。 RDS(ON) = 4.3mΩ (typ.) @ VGS = 10V。 Super Low Gate Charge。 Green Dev三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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KIA
KND3403C，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：80A, 30V, RDS(on)(典型值) = 5.0mΩ @ VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 快速开关。 改善的dv/dt能力。应用：UPS。 逆变器系统的电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA
KIA78L05FG，KIA，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-89-3封装，询盘确认库存，是一款单片固定电压调节集成电路，适用于需要高达100mA电源电流的应用。电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89-3
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KIA
KIA78L05T，KIA，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-89-3封装，询盘确认库存，KIA78L05是一款单片式固定电压调节集成电路，适用于所需供电电流高达100 mA的应用场景。电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89-3
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KIA
KIA35P10AD，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，-35A -100V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA
KND3403B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：85A, 30V, RDS(on) 典型值 = 4.5mΩ（典型值）@VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 快速开关。 改善的dv/dt能力。应用：UPS。 逆变器系统的电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA
KCD3008A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，电机驱动。同步整流 (SR)。DC/DC 转换器。通用应用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA
KND7N65B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：先进的平面工艺。 RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）@VGS = 10V。 符合RoHS标准。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：适配器。 充电器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA
KND3903A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON) = 3.6 mΩ（典型值），@VGS = 10V。 极低的导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。应用：PWM应用。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA
KND3404C，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量，具备完整功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA
KIA840SD，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-2封装，询盘确认库存，环保三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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KIA
KND42120A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：RoHS合规。 RDS(ON)，典型值 = 7.0Ω，VGS = 10V。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：适配器。 充电器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA
KNY6610A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：采用先进的平面条纹沟槽技术生产。 导通电阻RDS(ON)典型值为83mΩ（VGS = 10V时）。 极低的导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。应用：PWM应用。 电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KIA
KIA4603AE，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，询盘确认库存，N沟道 7A 30V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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KIA
KIA3400，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，N沟道,30V,4.8A,42mΩ@4.5V,功能与引脚同 AO3400三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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查看详情 >KNY3303C
KIA
KNY3303C，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON) = 2.6mΩ (typ.)@VGS = 10V,DFN3*3 / 5*6。 RDS(ON) = 3.2mΩ (typ.)@VGS = 10V,TO-252。 极低导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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查看详情 >KNY3404D
KIA
KNY3404D，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON) = 5.2mΩ (typ.)@VGS = 10V。 极低导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。应用：PWM应用。 电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6
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KIA
KPE4403B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON) = 40mΩ (典型值) @ VGS = -10V。 -5V逻辑电平控制。 P沟道SOP-8封装。 无铅，符合RoHS标准。应用：负载开关。 开关电路三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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KIA
KNG3303C，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON) = 2.6mΩ (typ.)@VGS = 10V,DFN3*3 / 5*6。 RDS(ON) = 3.2mΩ (typ.)@VGS = 10V,TO-252。 极低导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KIA
KNY3303A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，这款功率 MOSFET 采用 KIA 先进的平面条形 DMOS 技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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KIA
KIA20N50HF，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220IS封装，询盘确认库存，N沟道 20A 500V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220IS
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KIA
KNP6140S，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，询盘确认库存，设计用于高压、高速功率开关应用，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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KIA
KNF6140S，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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查看详情 >KNF4N65F
KIA
KNF4N65F，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，特性：先进的平面工艺。 RDS(ON) = 2.4Ω（典型值），VGS = 10V。 符合RoHS标准。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：适配器。 充电器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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KIA
KPY6115A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：先进的高单元密度沟槽技术。 低RDS(ON)以最小化传导损耗。 低栅极电荷，实现快速开关。 低热阻。 100%雪崩测试。 100% DVDS测试。应用：MB/VGA Vcore。 SMPS 2nd同步整流器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KIA
KNF7N65B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，特性：先进的平面工艺。 RDS(ON) = 1.2Ω（典型值），VGS = 10V。 符合 RoHS 标准。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：适配器。 充电器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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查看详情 >KNF12N65
KIA
KNF12N65，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，特性：先进的平面工艺。 RDS(ON) = 0.6Ω（典型值），VGS = 10V。 符合RoHS标准。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：适配器。 充电器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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查看详情 >KCY3008A
KIA
KCY3008A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，采用先进的SGT技术；极低的RDS(on).typ=4.5 mΩ@Vgs=10V；优异的栅极电荷x RDS(on)product(FOM)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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查看详情 >KIA2306
KIA
KIA2306，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，N沟道,30V,3.5A,94mΩ@4.5V,功能与引脚同 SI2306三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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查看详情 >KNF6450B
KIA
KNF6450B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，特性：快速开关。 导通电阻RDS(ON) = 0.35Ω（典型值），VGS = 10V。 低栅极电荷。 低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试。应用：适配器和充电器的电源开关电路三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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查看详情 >KCD3406A
KIA
KCD3406A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，KCX3406A是一款采用KIA公司的LVMOS技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供出色的开关性能。该器件广泛应用于次级同步整流器、逆变器系统的电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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查看详情 >KCP2915B
KIA
KCP2915B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，询盘确认库存，SGT MOSFET技术 先进沟槽MOS技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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查看详情 >KIA2906A
KIA
KIA2906A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，询盘确认库存，N沟道 130A 60V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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KIA
KNB2915A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-263封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON)= 10mΩ(typ.)@ VGS = 10V。 使用CRM(CQ)先进沟槽技术。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的QgxRDS(on)乘积(FOM)。 根据JEDEC标准合格。应用：电机控制和驱动。 电池管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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KIA
KNB3403C，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-263封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON) = 4.3mΩ（典型值），VGS = 10V，DFN3*3 / DFN5*6。 RDS(ON) = 4.5mΩ（典型值），VGS = 10V，TO-252 / TO-263。 极低导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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KIA
KNG3703A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：RDS(on)(典型值) = 7.5mΩ，VGS = 10V。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 完全表征的雪崩电压和电流。应用：笔记本电脑/上网本/超便携电脑/显卡的高频负载点同步降压转换器。 网络直流-直流电源系统三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KIA
KNB2908D，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-263封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON)=4.8mΩ（典型值）@VGS = 10V。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻，以最小化传导损耗。 高雪崩电流。应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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KNC2404A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-263-6L封装，询盘确认库存，特性：RDS(on)(TP) = 2.2mΩ @ VGS = 10V。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻，以最小化传导损耗。 高雪崩电流。应用：电源。 DC-DC转换器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263-6L
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品牌采购常见问题
KIA 在华芯购有多少可查询型号？
当前 KIA 页面收录 296 个公开可查询型号，页面展示高库存和近期更新的部分型号，实时库存请进入筛选页确认。
采购 KIA 型号时应先核对什么？
建议先核对完整型号、封装、批号、包装方式、交期、数据手册和替代要求，再提交询价或 BOM。
KIA 型号找不到完全一致怎么办？
可以从同品牌、同封装或同类目继续筛选，也可以提交 BOM，由业务人员按参数和应用场景协助确认替代料。