KIA2301
KIA
P沟道 · -20V · 场效应管(MOSFET)
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KIA3510AD
KIA
特性:RDS(on) = 9mΩ (典型值) @ VSS = 10V · 100%雪崩测试 · 场效应管(MOSFET)
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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KPD7910A
KIA
特性:使用CRM(CQ)先进沟槽技术 · 极低导通电阻Rps(on) · 场效应管(MOSFET)
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KCY3310A
KIA
特性:低RDS(on)和FOM · 极低的开关损耗 · 场效应管(MOSFET)
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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