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DIODES(美台) 品牌现货

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DIODES(美台) 前排 4 款

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MMBT2222A-7-F

DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构 · 低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 150mA · 三极管(BJT)
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-23
489,136
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SDM40E20LC-7

DIODES(美台)

特性：极低的正向电压降 · 用于瞬态保护的保护环结构 · 肖特基二极管
二极管 / 肖特基二极管
SOT-23
416,000
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ZXTP2012ZTA

DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V · IC = -4.3A · 三极管(BJT)
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-89
410,230
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AS358MTR-G1

DIODES(美台)

AS358 · 358A · 运算放大器
运算放大器/比较器 / 运算放大器
SO-8
320,000
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