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CM3407
Applied Power(应能微)
CM3407是采用高单元密度沟槽技术的P沟道增强型功率场效应晶体管 · 这种高密度工艺和设计优化了开关性能 · 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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CM3400
Applied Power(应能微)
CM3400是采用高单元密度沟槽技术的N沟道增强型功率场效应晶体管 · 这种高密度工艺和设计对开关性能进行了优化 · 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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AU1501D5
Applied Power(应能微)
AU1501D5是一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管 · 采用先进的单片硅技术 · ESD)三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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