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ASDM40DN20E-R
ASDsemi(安森德)
Trench Power LV MOSFET 技术 · 出色的散热封装 · 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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ASDM40N52E-R
ASDsemi(安森德)
特性:低导通电阻 · 100%雪崩测试 · 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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ASDM60R042NQ-R
ASDsemi(安森德)
特性:先进的沟槽MOS技术 · 低导通电阻 · 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8
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ASDM3010S-R
ASDsemi(安森德)
特性:双N沟道 · 5V逻辑电平控制 · 场效应管(MOSFET)三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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